天线原理与设计讲义课件.ppt
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1、天线原理与设计,教师:王建,电子工程学院二系,第十一章 单反射面天线,11.1 概述,单反射面天线是指用一个反射面来获得所需方向图的天线系统。天线的反射面可以是各种形状的导体表面。见图11-1,如旋转抛物面天线、柱形抛物面天线、球形反射面天线等。根据反射面的形状不同,它可以被一个或多个馈源照射。如柱形抛物面天线,圆环形抛物面天线,其反射面形状决定了应由多个单元天线组成馈源。单反射面天线中最典型的、用的较多的是旋转抛物面天线。,双反射面天线是指用两个反射面,使从馈源发出的电磁波经两次反射后在空间形成所需波束的天线系统。这在第十二章中介绍。,这一章重点介绍旋转抛物面天线,其结构为反射面和放置在焦点
2、处的馈源组成,如右图所示。将介绍其分析方法,几何结构,面电流分布,口径场分布,远区辐射场,电参量及各种馈源。,旋转抛物面天线是一种主瓣窄、副瓣低、增益高的微波天线。它广泛应用于雷达、通信、航天、天文等领域中。,一、旋转抛物面天线结构组成和工作原理,组成 它由一个旋转抛物面和一个馈源组成。其抛物面由抛物线绕其轴线旋转形成;其馈源可以是多种形式,如带反射板的短偶极子,缝隙天线,喇叭天线等,其相位中心放置在抛物面的焦点上。,返回,工作原理,作发射时,旋转抛物面天线利用抛物面的反射特性,使得由其焦点处的馈源发出的球面波前,经抛物面反射后转变为在抛物面口径面上的平面波前,从而使抛物面天线具有锐波束、高增
3、益的性能。,作接收时,外来的平面波经抛物面反射后,聚焦到其焦点处,由馈源接收。,二、分析方法,反射面的分析方法主要有两种:,1.面电流法,即先求出馈源所辐射的电磁场在反射面上激励起的感应电流密度,然后由此电流密度求远场。,在f、D的条件下反射面上某点的感应电流为:,on S(11.1),链接,式中,Hi为馈源辐射磁场在反射面上某点的值;为反射面上某点的法向矢量。见前面图。这个电流密度表示是在理想导电平面上导出的,对于曲面导电面只要该点的曲率半径远大于波长时,式(11.1)也是有效的。,2.口径场法,先根据几何光学定律,分析馈源照射到反射面的入射波,经反射后到达反射面的一个口径面S0上,求得反射
4、面的口径场分布,然后由口径场可求得远区辐射场,见前面图。,11.2 旋转抛物面天线的几何关系,可以证明,这两种方法是等同的。在反射面天线远场的主瓣及邻近的一个范围内两种方法求得结果十分吻合,但在主瓣的较远方向有一定差别。与实验结果比较,面电流法更精确些,但分析也复杂些。,旋转抛物面天线是由抛物线绕其轴旋转而成的,如后面图所示,反射面的焦点为F,由于是旋转抛物面,则由其焦点发出的球面波射线经反射面反射后,将变换为平面波。,几何光学只有波长趋于零时才正确,反射定律也只有当电磁波作用于一个导电平面上才正确。因此口径场法也是近似的。,取通过焦点F而垂直于反射面轴线z轴的一个平面S0,并设M为抛物线上的
5、点,P为S0上的点,Q为准线上的点,且此三个点在一条直线上。由抛物线性质,有,故,则,在 坐标系下,则,返回,(11.4),(11.5),平移坐标系为x,y,z,则得,(11.6),或写作,取x=D/2,=0得,(11.8),链接,当0=/2时,f/D=0.25,称为中等焦距抛物面;,当00.25,称为长焦距抛物面;,当0/2时,f/D0.25,称为短焦距抛物面;,这三种焦距的抛物面天线如图所示。,f/D是一个很重要的参量。一般来说f/D较大时,天线的电特性较好,但也不能取得太大,否则天线纵向尺寸太长,且能量泄漏大,f/D有一最佳值使G最大。,11.3 旋转抛物面表面上的电流分布,若给定抛物面
6、天线的增益G,就可确定口径直径D,再选定合适的f/D,则抛物面的形状就确定了。由下式,可求得0,则馈源需要照射的角度为20,这样便可设计馈源。,由馈源所辐射的电磁波照射抛物面(导电面),则将在其表面上感应起表面电流,由此电流分布就可求得远区辐射场。,旋转抛物面天线的馈源可为多种形式,不同形式的馈源照射到反射面上的磁场Hi不同,则由 得到的感应电流密度也不同。,不失一般性,作为例子。我们采用带反射盘的短偶极子作馈源。,一、带反射盘的短振子作馈源,1.求Hi,分析模型如图所示。,振子矢量位为,(11.9),镜象振子矢量位为,(11.10),返回,合成矢量位为,(11.11),式中,。由如下公式可计
7、算辐射磁场,(11.13),(11.12),因,若反射面在馈源的远区,忽略项,及代入 和,得,(11.14),链接,2.求,由抛物线极坐标方程,记=,并令,得抛物面法向矢量为,(11.16),其模为,把球坐标系中的矢量转换为直角坐标系中的矢量,可由如下公式,(11.18),3.求 J,在柱坐标系下表示的电流分布的三个分量Jx,Jy,Jz,由书上式(11.15)给出。由此可得图11-10所示的抛物面上的电流分布。,(11.20),4.讨论,由图可见,馈源为x方向极化时,反射面上感应的电流分布主极化分量是Jx,交叉极化分量为Jy和Jz。注意:Jy和Jz对远区场辐射的主瓣方向(z方向)没有贡献,但对
8、副瓣有影响。如果馈源极化为y方向,则感应电流的主极化分量就是Jy。不同焦距时反射面上的感应面电流密度如上图所示。,返回,长焦距情况(0/2),Jx分量大,Jy和Jz分量小,且照射均匀,反射面远场方向性强,副瓣相对较低。,中等焦距情况(0=/2),Jx分量为主,Jy分量增大,使辐射场交叉极化分量大。,短焦距情况(0/2),反射面上电流分布形成了两个极点区,在极点区的Jx与主区中的Jx反向,这将使主波束幅度降低,相应的副瓣就升高。因此,两个极点区我们称之为“害区”。,所以,实际使用中的旋转抛物面天线,一般都采用长焦距情况。如果要采用短焦距情况,则可把“害区”切割掉。,链接,以上分析是针对具体的馈源
9、带反射盘的短振子(x方向极化)进行的。如果不针对具体馈源,一般情况下可以进行如下分析。,二、一般馈源,假设在旋转抛物面焦点处有一增益为Gf(,)的x方向极化的馈源,输入功率为Pi,由增益定义,理想点源辐射功率为,(11.21),(11.23),11.4 旋转抛物面天线口径上的场分布,确定旋转抛物面天线口径上的场分布,首先需要确定其口径面S0,然后通过馈源照射到反射面上的场Ei确定反射场Er,从而求得口径面上的场Es。在这个过程中还要确定反射场的方向单位矢量。,返回,一、确定口径面S0,旋转抛物面天线的口径面,是一个垂直于z轴的平面。口径面大小是旋转抛物面圆口径在该平面上的投影,如下图所示。口径
10、面一般选择为通过焦点的平面。要确定口径面上的场分布,首先要求得馈源发出的场在反射面上的反射场。,二、确定反射场Er,前面式(11.24)给出了馈源入射到反射面上某点的电场Ei(,),若不计反射面损耗,则为全反射,即|Er|=|Ei|,因此有:,返回,则S0面上的场为,式中,r+z0-z=f+z0是射线由焦点到口径平面上的总光程,在口径面S0上,场相位为常数。,三、单位矢量 的确定,可由边界条件 来确定,可得,(11.28),(11.29),对长焦距情况(0/2),。,链接,四、口径场法和面电流法的比较,重写前面式(11.28)的口径场表示,(11.31),式中,erx和ery由书上式(11.2
11、6)给出。由P260式(11.29)的面电流分布,(11.30),比较式(11.30)和(11.31)可以看出,面电流比口径场多了一个z方向分量,另外一个分量在计算远场时两者幅度是一样的。而多出的z分量对方向图主瓣无贡献。所以不管用面电流还是口径场作为初始数据来求辐射场。两者的结果在主瓣范围内是相同的。,11.5 旋转抛物面天线的辐射场,两种方法的区别是,口径场法未考虑Jz对远区场的贡献。而Jz在主瓣范围内贡献很小,但对远副瓣有贡献。因此,面电流法更准确些。,旋转抛物面天线的辐射场,既可以根据其口径场分布来计算,也可以根据面电流来计算。,一、由口径面S0上的场分布Es求远区辐射场,设S0上的场
12、为,则口径面上的等效电磁流为,(11.32),(11.33),可得,(11.34),二、面电流法计算远区辐射场,式中,s是为反射面表面。若馈源为x方向极化(如前面提到的带反射盘的偶极子),则抛物面天线的辐射场主要是由抛物面上的Jx确定,因此,由式(11.36)可得分量为,返回,(11.37),式中,,则,式中,sin=R/r。抛物面的表面积分面元为,(11.38),Jx由书上式(11.15)表示,然后可得书上式(11.40),经一系列运算,最后可得式书上(11.43)的结果。由式(11.43)可得到E面和H面的归一化方向图,见书上图11-16。,链接,比较E面和H面方向图,可见H面方向图主瓣窄
13、些,这是因为口径面上H面的场(或电流密度)分布比E面的要均匀些。,对不同的R0/f 值,方向图也有所不同。这是由于口径场幅度分布随R0/f 的不同所致。小口径(焦距f大)的场分布要均匀些,主瓣也窄些,但副瓣大些。,P264表11.1列出了不同R0/f 值时的主瓣宽度和副瓣电平。当R0/f=1.3时,其增益最大,此时对应的主瓣宽度为,(11.39),11.6 空间衰减因子,一、空间衰减,空间衰减是指球面波在传播过程中随距离的增加而引起的衰减。在前面导出的抛物面天线的口径场分布为,式中,。,此式说明:抛物面天线的的口径场分布,不仅与馈源的方向图函数有关,而且还与由焦点到反射面上某点的距离r有关。,
14、由抛物面天线工作原理可知,由焦点处馈源发出的波为球面波,到达反射面的场与距离成反比(即空间衰减),到达反射面的场经反射后变换为平面波,经过距离z0-z到达口径面。由于假设为平面波,所以这段距离的传播只考虑相位变化,不考虑空间衰减。如下图所示。,抛物面天线的空间衰减因子就集中体现在由焦点发出的球面波入射到反射面这段空间。由,且r+z0-z=C,则口径电场分布可写作,(11.40a),返回,式中,单位矢量 由P260式(11.26)表示。,空间衰减定义为:均匀辐射的馈源在抛物面的边缘与中央的功率密度之比。,按此定义取Ff(,)=1,此时式(11.40a)可写作,(11.40b),在抛物面的中心处(
15、=0),,(11.41),由功率密度公式,可得空间衰减为,链接,(11.42),二、口径场分布的近似,由馈源方向图函数Ff(,)来计算旋转抛物面天线的口径场分布Es较复杂,从而使得计算远场也复杂。大多情况下可用典型分布来逼近Es。例如,x方向的短电偶极子,其方向图函数为,当抛物面的焦径比为f/D=0.35时,由f/D=ctg(0/2)/4,可得0=71.2,此时可求得口径面上的分布图|Es|。见P267图11-19虚线。,由半空间余弦方向图函数得到的口径场为,对长焦情况。把它代入式(11.34)计算远场是较复杂的。可取典型口径分布,链接,来逼近。式中K为口径边缘的场强,由0确定.当0=71.2
16、和K=0.215,且取P=1.5和P=2时可得两者的口径场分布如P267图11-19所示.图中说明两者的口径场分布十分接近。因此可用近似口径场分布代替实际分布计算远场.由书上P209表9.4可得抛物面天线的方向图参量为,这一节先讨论馈源为带反射盘的偶极子时的增益,然后讨论一般馈源时的旋转抛物面天线的增益。,一、馈源为带反射盘的偶极子,由增益定义出发可得,(相同Pin)(11.43),式中,E为抛物面天线远场,见书上式(11.43);Gf为馈源增益;Ei=Il/(r)为馈源在最大方向上的远场。增益因子g为,11.7 旋转抛物面天线的增益,(11.44),馈源增益约为Gf05.15,可得gR0/f
17、 曲线如下图所示,由此图可见,当R0/f=1.3时增益因子最大,为 g=0.83,最大增益物理解释,当馈源方向图和抛物面天线的焦径比确定时,并非所有馈源功率都照射在反射面上。焦距大时则照射功率漏失大,如下图所示。,(1)当R0/f减小时(长焦),漏失的能量增大,使增益因子g减小。,(2)R0/f减小的同时,馈源照射到反射面上的场的均匀程度也增加了,这反而使g增大。,这两个因素的影响结果就得到一个最佳值(R0/f=1.3)。我们可把这两个因素分开写作g1和g2,因此得到增益表示为,(11.45),式中,g1表示口径效率(与同),与照射均匀程度有关;,g2表示截获效率(或波束效率),与馈源方向图和
18、f/D有关。,下面就一般形式的馈源来讨论g1和g2。,二、一般形式的馈源,一般形式馈源的增益表示可写作,(11.46),1.口径效率g1,把前面式(9.6)重写如下,返回,(11.47),为馈源到反射面上某点的距离。,式(11.47)分母上的面积分计算,注意到该面积分是对馈源功辐射率密度的积分,可看作是馈源在张角为20的一个圆锥立体角内辐射的功率,且式(11.46)表示的增益方向图为旋转对称的(与无关),则该面积分可化作,链接,(11.50),式中,R0为抛物面天线口径半径。由书上P258式(11.17)得,(11.51),(11.52),返回,在口径边缘,口径面积为,(11.53),把式(1
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