缝隙天线与微带天线课件.ppt
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1、第5章 缝隙天线与微带天线,5.1 缝隙天线 5.2 微带天线,5.1 缝隙天线,5.1.1 理想缝隙天线 如图511所示,理想缝隙天线是开在无限大、无限薄的理想导体平面上(yOz)的直线缝隙,它可以由同轴传输线激励。缝隙的宽度w远小于波长,而其长度2l通常为/2。,无论缝隙被何种方式激励,缝隙中只存在切向的电场强度,电场强度一定垂直于缝隙的长边,并对缝隙的中点呈上下对称的驻波分布,即,(511),式中Em为缝隙中波腹处的场强值。如果引入等效的磁流源,在x0的半空间内,缝隙相当于一个等效磁流源,其等效磁流密度为,(512),也就是说,缝隙最终可以被等效成一个片状的、沿z轴放置的、与缝隙等长的磁
2、对称振子。当讨论远区的辐射问题时,可以将缝隙视为线状磁对称振子,根据与全电流定律对偶的全磁流定律,(513),对于x0的半空间内,其等效磁流强度为,(514),上式中的磁流最大值为2Emw。,图511 理想缝隙的坐标图,根据电磁场的对偶原理,磁对称振子的辐射场可以直接由电对称振子的辐射场对偶得出为,(515),(516),在x0的半空间内,由于等效磁流的方向相反,因此电场和磁场表达式分别为(5 15)式和(516)的负值。我们通常称理想缝隙与和它对偶的电对称振子为互补天线,因为它们相结合时形成单一的导体屏而没有重叠或孔隙。它们的区别在于场的极化不同:H面(通过缝隙轴向并且垂直于金属板的平面)、
3、E面(垂直于缝隙轴向和金属板的平面)互换,,参见图512,但是两者具有相同的方向性,其方向函数为,(517),例如,理想半波缝隙天线(2l=/2)的H面方向图如512(b)图所示,而其E面无方向性。理想缝隙天线同样可以计算其辐射电阻。如果以缝隙的波腹处电压值Um=Emw为计算辐射电阻的参考电压,缝隙的辐射功率Pr,m与辐射电阻Rr,m之间的关系为,(518),图512 缝隙的场矢量线分布图(a)电力线;(b)磁力线,将电对称振子的场强表达式(144)与缝隙的场强表达式(515)对比可知,若理想缝隙天线与其互补的电对称振子的辐射功率相等,则Um和电对称振子的波腹处电流值Iem应满足下面的等式:,
4、(519),因为电对称振子的辐射功率Pr,e与其辐射电阻Rr,e的关系为,(5110),由式(518)、(519)和式(5110),可推导出理想缝隙天线的辐射电阻与其互补的电对称振子的辐射电阻之间关系式:,(5111),与之对应的辐射电导Gr,m0.002S。和半波振子类似,理想半波缝隙天线的输入电阻也为500,该值很大,所以在用同轴线给缝隙馈电时存在困难,必须采用相应的匹配措施。,因此,理想半波缝隙天线的辐射电阻为,(5111)式可以推广到辐射阻抗,即 Zr,mZr,e=(60)2(5112)还可以推广到输入阻抗,即 Zin,mZin,e=(60)2(5113),式(5112)和式(5113
5、)表明,任意长度的理想缝隙天线的输入阻抗、辐射阻抗均可以由与其互补的电对称振子的相应值求得。由于谐振电对称振子的输入阻抗为纯阻,因此谐振缝隙的输入电阻也为纯阻,并且其谐振长度同样稍短于/2,且缝隙越宽,缩短程度越大。,5.1.2 缝隙天线 最基本的缝隙天线是由开在矩形波导壁上的半波谐振缝隙构成的。由电磁场理论,对TE10波而言,如图513所示,在波导宽壁上有纵向和横向两个电流分量,横向分量的大小沿宽边呈余弦分布,中心处为零,纵向电流沿宽边呈正弦分布,中心处最大;,图513 TE10波内壁电流分布与缝隙配置示意图,而波导窄壁上只有横向电流,且沿窄边均匀分布。如果波导壁上所开的缝隙能切割电流线,则
6、中断的电流线将以位移电流的形式延续,缝隙因此得到激励,波导内的传输功率通过缝隙向外辐射,这样的缝隙也就被称为辐射缝隙,例如图514所示的缝隙a、b、c、d、e。当缝隙与电流线平行时,不能在缝隙区内建立激励电场,这样的缝隙因得不到激励,不具有辐射能力,因而被称为非辐射缝隙,如缝隙f。,缝隙g虽然与纵向电流平行,但是其旁边设置了电抗振子h,电抗振子是插入波导内部的螺钉式金属杆,由于该螺钉平行于波导内部的电场,因此被感应出的传导电流流向螺钉底部处的波导内壁而形成径向电流,于是纵缝g可以切断其中的一部分而得到激励。,图514 宽边上纵缝的E面方向图,受激励的波导缝隙形成了开在有限金属面上的窄缝。当金属
7、面的尺寸有限时,缝隙天线的边界条件发生了变化,对偶原理不能应用,有限尺寸导电面引起的电波绕射会使得天线的辐射特性发生改变。严格的求解缝隙的辐射场需要几何绕射理论或数值求解方法。,实验和计算均表明,对于开在矩形波导上的缝隙,E面(垂直于缝隙轴向和波导壁面的平面)方向图与理想缝隙天线相比有一定的畸变。对于宽边上的纵缝,由于沿E面的电尺寸对标准波导来说只有0.72,所以其E面方向图的差别较大(如图514所示);而开在宽边上的横缝,随着波导的纵向尺寸变长,其E面方向图逐渐趋向于理想的半圆形。矩形波导缝隙天线的H面(通过缝隙轴向并且垂直于波导壁的平面)沿金属面方向的辐射为零,所以波导的有限尺寸带来的影响
8、相对较小,因此其H面方向图与理想缝隙天线差别不大。,考虑到波导缝隙天线和理想缝隙天线的辐射空间不同,波导缝隙天线的辐射功率相当于理想缝隙天线的一半,因此波导缝隙天线的辐射电导也就为理想缝隙天线的一半,对于半波谐振波导缝隙,其辐射电导为Gr,m0.001S。波导上的辐射缝隙给波导内的传输带来的影响,不仅是将传输的能量经过缝隙辐射出去,还引起了波导内等效负载的变化,从而引起波导内部传输特性的变化。根据波导缝隙处电流和电场的变化,可以把缝隙等效成传输线中的并联导纳或串联阻抗,从而建立起各种波导缝隙的等效电路。,由微波技术知识可知,波导可以等效为双线传输线,所以波导上的缝隙可以等效为和传输线并联或串联
9、的等效阻抗。如图515所示,由于宽壁横缝截断了纵向电流,因而纵向电流以位移电流的形式延续,其电场的垂直分量在缝隙的两侧反相,导致缝隙的两侧总电场发生突变,故此种横缝可等效成传输线上的串联阻抗。而如图516所示的波导宽壁纵缝却使得横向电流向缝隙两端分流,因而造成此种缝隙两端的总纵向电流发生突变,所以矩形波导宽壁纵缝等效成传输线上的并联阻抗或导纳。若某种缝隙同时引起纵向电流和电场的突变,则可以把它等效成一个四端网络。图517给出了矩形波导壁上典型缝隙的等效电路。,图515 波导宽壁横缝附近的电场,图516 波导宽壁纵缝附近的电流,图517 矩形波导壁上各种缝隙的等效电路,如果波导缝隙采用了谐振长度
10、,它们的输入电抗或输入电纳为零,即它们的等效串联阻抗或并联导纳中只含有实部,不含有虚部。图518显示了三种典型缝隙的位置参数。图518(a)是宽边纵向半波谐振缝隙,其归一化电导为,(5114),式中,a、b分别为波导宽边、窄边的口径尺寸;g、分别为波导波长、自由空间波长;x1为缝隙中心到波导对称轴的垂直距离(下同)。图518(b)是宽边横向半波谐振缝隙,其归一化电阻为,(5115),图518(c)是窄边斜半波谐振缝隙,其归一化电导为,(5116),计算任意缝隙的等效阻抗或导纳是一个极复杂的问题,也没有其等效电路的一般公式,等效电路的参数可以由实验来决定。,图518 三种缝隙位置的等效电路,有了
11、相应的等效电路,波导内的传输特性就可以依赖于微波网络理论来分析,例如后向散射系数|s11|及频率响应曲线,从而更方便地计算矩形波导缝隙天线的电特性,例如传输效率及匹配情况。在已获得匹配的波导上开出辐射缝隙,将会破坏波导的匹配情况。为了使带有缝隙的波导匹配,可以在波导的末端短路,利用短路传输线的反射消去谐振缝隙带来的反射,使得缝隙波导得到匹配。,5.1.3 缝隙天线阵 为了加强缝隙天线的方向性,可以在波导上按一定的规律开出一系列尺寸相同的缝隙,构成波导缝隙阵(Slot Arrays)。由于波导场分布的特点,缝隙天线阵的组阵形式更加灵活和方便,但主要有以下两类组阵形式。,1.谐振式缝隙阵(Reso
12、nant Slot Arrays)波导上所有缝隙都得到同相激励,最大辐射方向与天线轴垂直,为边射阵,波导终端通常采用短路活塞。图519给出了常见的谐振式缝隙阵,其中图(a)为开在宽壁上的横向缝隙阵,为保证各缝隙同相,相邻缝隙的间距应取为g。由于波导波长g大于自由空间波长,这种缝隙阵会出现栅瓣,同时在有限长度的波导壁上开出的缝隙数目受到限制,增益较低,因此实际中较少采用。,实际应用中的谐振式纵向缝隙阵多为图519(b),(c)显示的结构。图(b)对应的缝隙阵,利用了在宽壁中心线两侧对称位置处横向电流反相、沿波导每隔g/2场强反相的特点,纵缝每隔g/2交替地分布在中心线两侧即可得到同相激励。而图(
13、c)对应的螺钉也需要交替地分布在中心线两侧。对于开在窄壁上的斜缝,如图(d)所示,相邻斜缝之间的距离为g/2,斜缝通过切入宽壁的深度来增加缝隙的总长度,并且依靠倾斜角的正负来获得附加的相差,以补偿横向电流g/2所对应的相差而得到各缝隙的同相激励。,2.非谐振式缝隙阵(Nonresonant Slot Arrays)在图519所示的结构中,如果将波导末端改为吸收负载,让波导载行波,并且间距不等于g/2,就可以构成非谐振式缝隙阵。显然,非谐振缝隙天线各单元不再同相。由传输线理论可知,类似于图519(a)的缝隙天线阵,相邻缝隙的相位依次落后。类似于图519(b)的缝隙天线阵,相 邻缝隙除行波的波程差
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