图像传感器总结课件.ppt
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1、第5章 图像传感器,5.1 CCD 图像传感器 5.2 CMOS 图像传感器 5.3 CCD和CMOS图像传感器应用实例 5.4 实训,5.1 CCD图像传感器,CCD(Charge Coupled Device)图像传感器由CCD电荷耦合器件制成,是固态图像传感器的一种,是贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年发明的新型半导体传感器。它是在MOS集成电路基础上发展起来的,能进行图像信息光电转换、存储、延时和按顺序传送。它的集成度高、功耗小、结构简单、耐冲击、寿命长、性能稳定,因而被广泛应用。,5.1.1 CCD电荷耦合器件 CCD电荷耦合器件是按一定规律排列的MOS(
2、金属氧化物半导体)电容器组成的阵列,其构造如图5-1所示。,图5-1 CCD电荷耦合器件,在P型或N型硅衬底上生长一层很薄(约1200A)的二氧化硅,再在二氧化硅薄层上依次沉积金属或掺杂多晶硅形成电极,称为栅极。该栅极和P型或N型硅衬底形成了规则的MOS电容器阵列。加上两端的输入及输出二极管构成了CCD电荷耦合器件芯片。,每一个MOS电容器实际上就是一个光敏元件。当光照射到MOS电容器的P型硅衬底上时,会产生电子空穴对(光生电荷),电子被栅极吸引存储在陷阱中。入射光强,则光生电荷多,入射光弱,则光生电荷少。无光照的MOS电容器则无光生电荷。,若停止光照,由于陷阱的作用,电荷在一定时间内也不会消
3、失,可实现对光照的记忆。MOS电容器可以被设计成线阵或面阵。一维的线阵接收一条光线的照射。二维的面阵接收一个平面的光线的照射。CCD摄像机、照相机光电转换如图5-2所示。,景物,CCD面阵,存储,显示,透镜,滤光片,放大器,图5-2 面阵MOS电容器的光电转换,CCD电荷耦合器件的集成度很高,在一块硅片上制造了紧密排列的许多MOS电容器光敏元件。线阵的光敏元件数目从256个到4096个或更多。面阵的光敏元件的数目可以是500500个(25万个),甚至20482048个(约400万个)以上,现在已出现1200万以上的面阵。,在CCD芯片上同时集成有扫描电路,它们能在外加时钟脉冲的控制下,产生三相
4、时序脉冲信号,由左到右,由上到下,将存储在整个面阵的光敏元件下面的电荷逐位、逐行快速地以串行模拟脉冲信号输出。,5.1.2 CCD图像传感器 MOS电容器实质上是一种光敏元件与移位寄存器合而为一的结构,称为光积蓄式结构,这种结构最简单。但是因光生电荷的积蓄时间比转移时间长得多,所以再生图像往往产生“拖尾”,图像容易模糊不清。另外,直接采用MOS电容器感光虽然有不少优点,但它对蓝光的透过率差,灵敏度低。,现在更多地在CCD图像传感器上使用的是:光敏元件与移位寄存器分离式的结构,如图5-3所示。,(a)单读示(b)双读示图5-3 光敏元件与移位寄存器分离式结构,采用光敏二极管阵列作为感光元件,在受
5、到光照时,产生相应于入射光量的电荷。经过电注入法将这些电荷引入CCD电容器阵列的陷阱中,成为用光敏二极管感光的CCD图像传感器。特点是灵敏度极高,在低照度下也能获得清晰的图像,在强光下也不会烧伤感光面。CCD电容器阵列只起移位寄存器作用。,图5-4为分离式的2048位MOS电容器线阵CCD电荷耦合器件示意图。,图5-4 分离式2048位线阵CCD内部框图,图5-4中移位寄存器被分别配置在光敏元件线阵的两侧,奇、偶数号位的光敏元件分别与两侧的移位寄存器的相应小单元对应。这种结构为双读式结构,它与长度相同的分离式相比较,可以获得高出两倍的分辨率。,因为CCD移位寄存器的级数仅为光敏单元数的一半,可
6、以使CCD特有的电荷转移损失大为减少,较好地解决了因转移损失造成的分辨率降低的问题。面阵固态图像传感器由双读式结构线阵构成,它有多种类型。常见的有行转移(LT)、帧转移(FT)和行间转移(ILT)方式。,5.1.3 CCD图像传感器的应用 CCD电荷耦合器件单位面积光敏元件位数很多、一个光敏元件形成一个像素,成像分辨率高、信噪比大、动态范围大,可以在微光下工作。彩色图像传感器采用三个光敏二极管组成一个像素的方法。,被测景物的图像的每一个光点由彩色矩阵滤光片分解为红、绿、蓝三个光点,分别照射到每一个像素的三个光敏二极管上,各自产生的光生电荷分别代表该像素的红、绿、蓝三个光点的亮度。经输出和传输后
7、,可在显示器上重新组合,显示出每一个像素的原始彩色。,固态图像传感器输出信号特点:(1)与光像位置对应的时间先后性,即能输出时间系列信号;(2)串行的各个脉冲可以表示不同信号,即能输出模拟信号;(3)能够精确反映焦点面信息,即能输出焦点面信号。,将不同的光源或光学透镜、光导纤维、滤光片及反射镜等光学元件灵活地与这三个特点组合,可以获得固态图象传感器的各个用途。如图5-5所示。,图5-5 固态图象传感器的用途1滤光片;2光导纤维;3平行光;4透镜,(1)组成测试仪器可测量物位、尺寸、工件损伤等;(2)作为光学信息处理装置的输入环节。例如:用于传真技术、光学文字识别技术以及图象识别技术、传真、摄像
8、等方面;,(3)作自动流水线装置中的敏感器件。例如:可用于机床、自动售货机、自动搬运车以及自动监视装置等方面;(4)作为机器人的视觉,监控机器人的运行。,5.2 CMOS 图像传感器,CMOS图像传感器是按一定规律排列的互补型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)组成的阵列。,5.2.1 CMOS型光电转换器件 以E型NMOS场效应管V1作为共源放大管,以E型PMOS场效应管V2、V3构成的镜像电流源作为有源负载。构成了CMOS型放大器。,图5-6 CMOS型放大器,由图5-6可见,CMOS型放大器是由NMOS场效应管和PMOS场效应管组合而成的互补放大电路,CMOS就叫互补型金属氧化物半导
9、体。,CMOS型光电变换器件原理如图5-7所示。与CMOS型放大器源极相连的P型半导体衬底充当光电变换器的感光部分。当CMOS型放大器的栅源电压uGS=0时,CMOS型放大器处于关闭状态,即iD=0。,图5-7 CMOS型光电变换器件,CMOS型放大器的P型衬底受光信号照射产生并积蓄光生电荷,可见CMOS型光电变换器件同样有存储电荷的功能。当积蓄过程结束,栅源之间加上开启电压时,源极通过漏极负载电阻对外接电容充电形成电流。即为光信号转换为电信号的输出。,5.2.2 CMOS图像传感器 利用CMOS型光电变换器件可以做成CMOS图像传感器。由CMOS衬底直接受光信号照射产生并积蓄光生电荷的方式不
10、大采用。现在更多地在CMOS图像传感器上使用的是:光敏元件与CMOS型放大器分离式的结构。,图5-8 CMOS线型图像传感器构成,由图58可见,CMOS线型图像传感器由光敏二极管和CMOS型放大器阵列以及扫描电路集成在一块芯片上制成。一个光敏二极管和一个CMOS型放大器组成一个像素。光敏二极管阵列在受到光照时,便产生相应于入射光量的电荷。,扫描电路以时钟脉冲的时间间隔轮流给CMOS型放大器阵列的各个栅极加上电压,CMOS型放大器轮流进入放大状态,将光敏二极管阵列产生的光生电荷放大输出。,CMOS面型图像传感器则是由光敏二极管和CMOS型放大器组成的二维像素矩阵,分别设有XY水平与垂直选址扫描电
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