电工学电子技术基础 第4章 习题解答.docx
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1、电工学电子技术基础 第4章 习题解答第4章 场效应管放大电路与 功率放大电路 4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压Uth约是多少。 iD / mA-iD / mA321-10iD / mA1-32uGS / V-3-2-10uGS / V(a)-4-20uGS / V(b)(c)图4.1 习题4.1图 解:(a) N沟道 耗尽型FET UP=3V; (b) P沟道 增强型FET UT=4V; (c) P沟道 耗尽型FET UP=2V。 4.2 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = 8V。(1) 此元件是P沟道还是N沟道?(2)
2、 计算UGS = 3V是的ID;(3) 计算UGS = 3V时的ID。 解:(1) N沟道; UGS3)=10(1-)=3.9(mA) UP8U3(3) ID=IDSS(1-GS)=10(1+)=18.9(mA) UP8(2) ID=IDSS(1-4.3 画出下列FET的转移特性曲线。 (1) UP = 6V,IDSS = 1mA的MOSFET;(2) UT = 8V,K = 0.2mA/V2的MOSFET。 解: iD/mA1iD/mA3.26(1) ouGS/V (2) o812uGS/V4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图,并标明各自的开启电压或
3、夹断电压。 解: iD耗尽型N沟道增强型N沟道UPoUTUTUPuGS4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。 解: (a) 能放大 增强型耗尽型P沟道P沟道(b) 不能放大,增强型不能用自给偏压 (c) 能放大 &U(BR)DS,击穿 (c) ID=Kn(UGS-Uth)2 9= Kn (42)2 Kn =2.25mA/V2 UGSQ=3V IDQ=2.25(32)2 IDQ=2.25mA UDSQ=122.255=0.75(V)UGSQUth =1V 处于恒流区 4.11 图4.8所示场效应管工作于放大状态,rds忽略不计,电容对交流视为短路。跨导为gm=1ms。画出电路的
4、交流小信号等效电路;求电压放大倍数Au和源电压放大倍数Aus;求输入电阻Ri和输出电阻Ro。 图4.8 习题4.11电路图 解: Rs+Rg3&UgsRg2+&gmUgs+&Ui&UsRg1Ri&RdUR1oRo(2) Ri=Rg3+Rg2/Rg1=2+0.3/0.1=2.075(M) Ro=Rd=10k &U-gmRd110&(3) Au=o=-=-3.3 &1+12Ui1+gmR12.075&=RiA&=- A3.3-3.3 usuRi+Rs2.075+0.001&、4.12 电路如图4.9所示,已知FET在Q点处的跨导gm = 2mS,=0,试求该电路的AuRi、Ro的值。 Rg12MC
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