模拟电子技术单选.docx
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1、模拟电子技术单选一填空题。 1. N型半导体中多数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是 B 。 A自由电子 B空穴 2. N型半导体 C ;P型半导体 C 。 A带正电 B带负电 C呈电中性 3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于 B ,而少子的浓度则受 A 的影响很大。 A温度 B掺杂浓度 C掺杂工艺 D晶体缺陷 4. PN结中扩散电流方向是 A ;漂移电流方向是 B 。 A从P区到N区 B从N区到P区 5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流 C 飘移电流。 A大于 B小于 C等于 6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E ;当PN结外加反向电压时,扩散电流
2、B 漂移电流,耗尽层 D 。 A大于 B小于 C等于 D变宽 E变窄 F不变 7. 二极管的正向电阻 B ,反向电阻 A 。 A大 B小 8. 当温度升高时,二极管的正向电压 B ,反向电流 A 。 A增大 B减小 C基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在 C 状态。 A正向导通 B反向截止 C反向击穿 1. 晶体管能够实现放大的内部结构条件是 ( D )。 A.两个背靠背的PN结 B.空穴和电子都参与了导电 C.有三个掺杂浓度不一样的域 D.发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,并且基区很薄,集电结面积比发射结大 2. 晶体管能够实现放大的外部条件是 ( B )。 A.发射结正偏,集电结正偏
3、B.发射结正偏,集电结反偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的为( A )。 A.60 B.61 C.100 D.50 4. 射极输出器的特点是( C )。 &l,输入电阻小,输出电阻大 B.A&1,输入电阻大,输出电阻小 A.Auu&1且A& & l,输入电阻小,输出电阻 C.Al,输入电阻大,输出电阻小 D.Auuu大 5. 有两个放大电路A1和A2分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时,A1和A2输出电压相同。而接入相同的负载电阻后,Uo1Uo2。由此可知,A1比A2的。 A
4、.输出电阻大 B.输出电阻小 C.输入电阻大 D.输入电阻小 6. 在图T2.2.6所示NPN管放大偏置电路中,若VCC增加,则IB。 A.几乎不变 B.略有减小 C.略有增大 D.无法判定 IE RB VBBIC VCCAIB VCC 图T2.2.6 图T2.2.7 7. 图T2.2.7中微安表测得的电流是。 A.穿透电流ICEO B.集电结反向饱和电流 C.集电极最大允许电流 D.工作点电流 8. 关于晶体管特性曲线的用途,下述说法中的不正确。 A.判断晶体管的质量 B.估算晶体管的一些参数 C.计算放大电路的一些指标 D.分析放大器的频率特性 9.工作在放大区的某晶体管,如果当IB从12
5、A增大到22A时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为 C 。 A.83 B.91 C.100 10.分析放大电路时,常常采用交流分析和直流分析分别进行的方法,这是因为。 A.晶体管是非线性器件 B.电路中有电容 C.交流成分与直流成分变化规律不同 D.在一定条件下电路可视为线性电路,因此可用叠加定理 1. 场效应管的栅-源之间的电阻比晶体管基-射之间的电阻 A 。 A大 B小 C差不多 2. 场效应管是通过改变 A 来改变漏极电流的。所以是 D 控制型器件。 A栅源电压 B漏源电压 C栅极电流 D电压 E电流 3. 用于放大时,场效应管工作在特性曲线的 B 。 A可变电阻区 B恒流区 C截止
6、区 4. N沟道结型场效应管中参加导电的载流子是 B 。 A自由电子和空穴 B自由电子 C空穴 5. 对于结型场效应管,当uGSUGS(off)时,管子一定工作在 C 。 A恒流区 B可变电阻区 C截止区 B击穿区 6. 当栅源电压uGS0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A C 。 A结型场效应管 B增强型MOS管 C耗尽型MOS管 7. 某场效应管的开启电压UGS(th)=2V,则该管是 A 。 AN沟道增强型MOS管 BP沟道增强型MOS管 CN沟道耗尽型MOS管 DP沟道耗尽型MOS管 8. 共源极场效应管放大电路,其输出电压与输入电压 B ;共漏极场效应管放大电路,其输出电压与输入
7、电压 A 。 A同相 B反相 1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是(C)。 A电阻阻值有误差 B晶体管参数的分散性 C晶体管参数受温度影响 D电源电压不稳定 2. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(AC)。 A便于设计 B放大交流信号 C不易制作大容量电容 D电路具有最佳性能 3. 选用差动放大电路的原因是(A)。 A克服温漂 B提高输入电阻 C稳定放大倍数 D提高放大倍数 4. 差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A),共模信号是两个输入端信号的(C)。 A差 B和 C平均值 D无关 5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻RE,单端输出电路的(B)。 A差模放
8、大倍数数值增大 B抑制共模信号能力增强 C差模输入电阻增大 D差模输出电阻增大 6. 补输出级采用共集形式是为了使(C)。 A电压放大倍数的数值大 B最大不失真输出电压大 C带负载能力强 D改善电路的静态工作点 7. 直接耦合放大电路的特点是(BCD)。(多项选择) A工作点互相独立 B便于集成 C存在零点漂移 D能放大变化缓慢的信号 E不便调整 8. 关于集成运算放大器,下列说法正确的是(ACD)。 A集成运放是一种高电放大倍数的直接耦合放大器 B集成运放只能放大直流信号 C希望集成运放的输入电阻大,输出电阻小 D集成运放的KCMR大 E集成运放只能用于模拟信号的运算 9. 为了放大变化缓慢
9、的微弱信号,放大电路应采用(A)耦合方式;为了实现阻抗变换,放大电路内采用(C)耦合方式。 A直接 B阻容 C变压器 D光电 10. 阻容耦合与直接耦合多级放大器之间的主要不同是(AC)。 A所放大的信号不同 B交流通路不同 C直流通路不同 D微变等效电路不同 11. 因为阻容耦合电路(B1),所以这类电路(B2),但是(B3)。 A1各级静态工作点相互影响 B1各级静态工作点独立C1各级放大倍数互相影响 D1各级放大倍数互不影响 A2温漂小 B2能放大直流信号 C2放大倍数稳定 D2放大倍数不稳定 A3温漂大 B3不能放大直流信号 C3放大倍数不稳定 D3易于集成 1 某放大器频率特性为:f
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