微电子工艺考题 .docx
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1、微电子工艺考题 一、填空与选择题 1结晶的SiO2是Si-O四面体结构,而无定形SiO2不是Si-O四面体结构,因而密度小。对/错 2杂质在硅晶体中的扩散机构主要有 和 两种。 3二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有: 对杂质的掩蔽作用 对器件表面的保护和钝化作用 用于器件的电绝缘和电隔离 作为电容器的介质材料 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料 A B. C. D. 4扩散系数与下列哪些因素一定成增函数关系 杂质的浓度梯度 温度 扩散过程的激活能 杂质的迁移率 A. B. C. D. 5硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于_ 。 A.替位式扩散 B.间隙式扩散 6下面选项属于主扩散的作用有。
2、调节表面浓度 控制进入硅表面内部的杂质总量 控制结深 A. B. C . D. 7.结深表达式可统一写成: ,对于有限表面源扩散,A= a b 8.扩散多在_ _ 温下进行, 恒定表面源扩散的杂质分布服从_ _ 分布,有限表面源扩散的杂质分布服从_ _分布。 9. 结深的测量方法有_ 法、磨槽法、光干涉法。 10离子注入掺杂纯度高,是因为。 A.杂质源的纯度高 B.注入离子是通过质量分析器选出来的 11LSS理论认为,注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程: , 。 12.减弱或消除沟道现象的措施有: 1.入射方向偏离沟道轴向 2. 入射方向平行沟道轴向 3.样品表面淀积一层二氧化硅
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