天大微电子考研0613真题.doc

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1、天大微电子96-13年真题天大微电子历年考研真题，包含最新13年初复试真题，自己整理的半导体物理笔记，复试笔记，及复试经验总结，对天大微电子考研有很大帮助。如需要可联系扣扣：156110013或 【淘】【宝】 搜索 天大微电子考研真题按一级学科设置自命题考试科目二级学科名称：微电子学与固体电子学 课程编号：813初试考试科目名称：半导体物理或电介质物理 一、考试的总体要求 本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。二、考试的内容及比例： （一）考试内容要点：第一部分：（70%）1、半导体能带

2、结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半 导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应； 3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；5、p-n结、MOS结构：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管； 6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C

3、-V特性， MOS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响），表面电场对p-n结特性的影响；第二部分：（30%）7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器, 半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念；（二）比例：考试内容前6个问题占70%，后3个问题占30%，计算与推导题基本覆盖在2至6个问题中。三、试卷题型及比例1、概念与问答题：40%；2、论述题：30%；3、计算与推导题：20%；4、实验与综合题：10%。四、考试形式及时间 考试形式均为笔试。考试时间为三小时(满分150)部分文档在网络上收集，请下载后24小时内删除，不得传播，不得用于商业目的，如有侵权，请联系本人。谢谢