双向IO口与双向IO口的区别.docx

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1、双向IO口与双向IO口的区别单片机P0口是双相口，而P1P2P3是准双相口。举个例子：相信大家都理解准妈妈，就是怀孕的女人，当然这里也是这样的，就不是真正的双相口了。 为什么P0是双向口，这里的差别是什么呢？最主要原因是：P0没有上拉电阻，所以当P0最IO口的时候一定要加上上拉电阻，否则的话，你输出的1就是无效了，这样T2截止了，那么P0都就是呈现高阻状态了。下图分别是P0，P1P2P3的读写数据，红线表示输出，蓝线表示输入(读引脚） 还有一个就是读锁存器的，没画出来。在读引脚的时候，有一点注意：每当读引脚的时候要确保场效应管T2是截止的，否则的话1外部数据读不出来，T2会把它拉低，所以通过M

2、OV PX,FFH，把T2截止，就完美了。 在单片机学习、开发和应用中，IO口的配置对功能的实现起着重要的作用，下面介绍常见的四种配置，而现在很多单片机都兼有这四种配置，可供选择。 一.准双向口配置 如下图，当IO输出为高电平时，其驱动能力很弱，外部负载很容易将其拉至低电平。当IO输出为低电平时，其驱动能力很强，可吸收相当大的电流。 准双向口有三个上拉晶体管，一个“极弱上拉”，当端锁存器为逻辑“1”时打开，当端口悬空时，“极弱上拉”将端口上拉至高电平。 第二个上拉晶体管为“弱上拉”，当端口锁存器为逻辑“1”且端口本身也为“1”时打开，此上拉提供的电流，使准双向口输出为“1”。如果此时端口被外部

3、装置拉到逻辑“0”时，通过施密特触发器，控制“弱上拉”关闭，而“极弱上拉”维持开状态，为了把这个端口拉低，外部装置必须有足够的灌电流能力，使管脚上的电压，降到门槛电以下。 第三个上拉晶体管为“强上拉”，当端口锁存器由“0”跳变到“1”时，这个上拉用来加快端口由逻辑“0”到逻辑“1”的转换速度。 准双向口做为输入时，通个一个施密特触如器和一个非门，用以干扰和滤波。 准双向口用作输入时，可对地接按键，如下图1，当然也可以去掉R1直接接按键，当按键闭合时，端口被拉至低电平，当按键松开时，端口被内部“极弱上拉”晶体管拉至高电平。当端口作为输出时，不应对地外接LED如图形控制，这样端口的驱动能力很弱，L

4、ED只能发很微弱的光，如果要驱动LED，要采用图 3的方法，这样准双向口在输出为低时，可吸收20mA的电流，故能驱动LED。图4的方法也可以，不过LED不发光时，端口要吸收收很大电流。 二.开漏输出配置 这种配置，关闭所有上拉晶体管，只驱动下拉晶体管，下拉与准双向口下拉配置相同，因此只能输出低电平，和高阻状态。不能输出高电平。如果要作为逻辑输出，必须接上拉电阻到VCC。这种配置也可以通过上图3和图4来驱动LED。 三.推挽输出配置 这种配置的下拉与准双向口和开漏配置相同，具有较强的拉电流能力，不同的是，具有持续的强上拉。因此可以用上图2的方法来驱动LED。 四.仅为输入配置 这种配置不能输出电

5、流，也不能有收电流，只能作为输入数据使用。 以上四种配置各有其特点，在使用中应根据其特点灵活运用。 准双向口的最大特点是既可以作为输入，也可以作为输出，不需要通过控制切换。 推挽输出的特点是，无论输也高电平还是低电平都有较大的驱动能力，在输也高电平时，也能直接点亮LED，这在准双向口中是不能办到的。这种配置不宜作为输入，因为这需要外部设备有很强的拉电流的能胃。 仅为输入配置的特点是端口只能作为输入使用，可以获得很高的输入阻抗，在有模拟比较器或ADC的端口中用得较多。 开漏输出配置与准又向口相似，但内部没有上拉电阻。有很好的电气兼容性，外部接上拉电阻到3V电源，就能和3V逻辑器件连接。外部接上拉

6、电阻到5V电源，就要以和5V器件连接。 需要说明的是以上四种配置均可以作为输入，也就是都可以检测端的逻辑状态，但其特性不同，不是每种配置都可以直接接按键。 =下面通过51的IO口介绍各种状态的工作原理 MCS-51有4组8位I/O口：P0、P1、P2和P3口，P1、P2和P3为准双向口，P0口则为双向三态输入输出口，下面我们分别介绍这几个口线。 一、P0口和P2口 图1和图2为P0口和P2口其中一位的电路图。由图可见，电路中包含一个数据输出锁存器和两个三态数据输入缓冲器，另外还有一个数据输出的驱动和控制电路。这两组口线用来作为CPU与外部数据存储器、外部程序存储器和I/O扩展口，而不能象P1、

7、P3直接用作输出口。它们一起可以作为外部地址总线，P0口身兼两职，既可作为地址总线，也可作为数据总线。 图1 单片机P0口内部一位结构图 图2 单片机P0口内部一位结构图 P2口作为外部数据存储器或程序存储器的地址总线的高8位输出口AB8-AB15，P0口由ALE选通作为地址总线的低8位输出口AB0-AB7。外部的程序存储器由PSEN信号选通，数据存储器则由WR和RD读写信号选通，因为216=64k，所以MCS-51最大可外接64kB的程序存储器和数据存储器。 二、P1口 图3为P1口其中一位的电路图，P1口为8位准双向口，每一位均可单独定义为输入或输出口，当作为输入口时，1写入锁存器，Q(非

8、)=0，T2截止，内上拉电阻将电位拉至1，此时该口输出为1，当0写入锁存器，Q(非)=1,T2导通，输出则为0。 图3 单片机P2口内部一位结构图 作为输入口时，锁存器置1，Q(非)=0，T2截止，此时该位既可以把外部电路拉成低电平，也可由内部上拉电阻拉成高电平，正因为这个原因，所以P1口常称为准双向口。 需要说明的是，作为输入口使用时，有两种情况: 1.首先是读锁存器的内容，进行处理后再写到锁存器中，这种操作即读修改写操作，象JBC(逻辑判断)、CPL(取反)、INC(递增)、DEC(递减)、ANL(与逻辑)和ORL(逻辑或)指令均属于这类操作。 2.读P1口线状态时，打开三态门G2,将外部

9、状态读入CPU。 三、P3口 P3口的电路如图4所示，P3口为准双向口，为适应引脚的第二功能的需要，增加了第二功能控制逻辑，在真正的应用电路中，第二功能显得更为重要。由于第二功能信号有输入输出两种情况，我们分别加以说明。 图4 单片机P0口内部一位结构图 P3口的输入输出及P3口锁存器、中断、定时/计数器、串行口和特殊功能寄存器有关，P3口的第一功能和P1口一样可作为输入输出端口，同样具有字节操作和位操作两种方式，在位操作模式下，每一位均可定义为输入或输出。 我们着重讨论P3口的第二功能，P3口的第二功能各管脚定义如下： P3.0 串行输入口(RXD) P3.1 串行输出口(TXD) P3.2

10、 外中断0(INT0) P3.3 外中断1(INT1) P3.4 定时/计数器0的外部输入口(T0) P3.5 定时/计数器1的外部输入口(T1) P3.6 外部数据存储器写选通(WR) P3.7 外部数据存储器读选通(RD) 对于第二功能为输出引脚，当作I/O口使用时，第二功能信号线应保持高电平，与非门开通，以维持从锁存器到输出口数据输出通路畅通无阻。而当作第二功能口线使用时，该位的锁存器置高电平，使与非门对第二功能信号的输出是畅通的，从而实现第二功能信号的输出。对于第二功能为输入的信号引脚，在口线上的输入通路增设了一个缓冲器，输入的第二功能信号即从这个缓冲器的输出端取得。而作为I/O口线输

11、入端时，取自三态缓冲器的输出端。这样，不管是作为输入口使用还是第二功能信号输入，输出电路中的锁存器输出和第二功能输出信号线均应置“1”。 四、IO口工作原理 1. P0作为地址数据总线时，T1和T2是一起工作的,构成推挽结构。高电平时，T1打开，T2截止；低电平时，T1截止，T2打开。这种情况下不用外接上拉电阻.而且,当T1打开,T2截止,输出高电平的时候,因为内部电源直接通过T1输出到P0口线上,因此驱动能力(电流)可以很大,这就是为什么教科书上说可以驱动8个TTL负载的原因。 2. P0作为一般端口时，T1就永远的截止，T2根据输出数据0导通和1截止，导通时拉地，当然是输出低电平；要输出高

12、电平，T2就截止，P0口就没有输出了，(注意,这种情况就是所谓的高阻浮空状态),如果加上外部上拉电阻，输出就变成了高电平1。 3. 其他端口P1、P2和P3,在内部直接将P1口中的T1换成了上拉电阻,所以不用外接，但内部上拉电阻太大，电流太小，有时因为电流不够，也会再并一个上拉电阻。 4. 在某个时刻,P0口上输出的是作为总线的地址数据信号还是作为普通I/O口的电平信号,是依靠多路开关MUX来切换的。而MUX的切换,又是根据单片机指令来区分的。当指令为外部存储器/IO口读/写时,比如 MOVX A,DPTR ,MUX是切换到地址/数据总线上；而当普通MOV传送指令操作P0口时,MUX是切换到内

13、部总线上的。 5. P0、P1、P2、P3口用于输入时，需要写1使IO下拉的MOS管截止，以免MOS管导通将输入拉底为0，当一直用于输入时不用置1，将IO写1后，该IO锁存器不会变了，所以再一直用于输入不用置1。p0用于地址数据线时输入不用写1，因为MUX没和锁存器相连。 PS: Because Ports 1, 2, and 3 have fixed internal pullups, they are sometimes called “quasi- bidirectional” ports. 因为端口1、2、3有固定的内部上拉,所以有时候他们被称为准双向口。 Port 0, on the

14、 other hand, is considered “true” bidirectional, because when configured as an input it floats. 端口0, 从另外一方面来说,就被 认为是真正的双向,因为当它被设置为输入的时候是浮空(高阻态)的。 五、P0口上拉电阻选择 如果是驱动led，那么用1K左右的就行了。如果希望亮度大一些，电阻可减小，最小不要小于200欧姆，否则电流太大；如果希望亮度小一些，电阻可增大，增加到多少呢，主要看亮度情况，以亮度合适为准，一般来说超过3K以上时，亮度就很弱了，但是对于超高亮度的LED，有时候电阻为10K时觉得亮度还

15、能够用。我通常就用1k的。 对于驱动光耦合器，如果是高电位有效，即耦合器输入端接端口和地之间，那么和LED的情况是一样的；如果是低电位有效，即耦合器输入端接端口和VCC之间，那么除了要串接一个14.7k之间的电阻以外，同时上拉电阻的阻值就可以用的特别大，用100k500K之间的都行，当然用10K的也可以，但是考虑到省电问题，没有必要用那么小的。 对于驱动晶体管，又分为PNP和NPN管两种情况：对于NPN，毫无疑问NPN管是高电平有效的，因此上拉电阻的阻值用2K20K之间的，具体的大小还要看晶体管的集电极接的是什么负载，对于LED类负载，由于发管电流很小，因此上拉电阻的阻值可以用20k的，但是对

16、于管子的集电极为继电器负载时，由于集电极电流大，因此上拉电阻的阻值最好不要大于4.7K，有时候甚至用2K的。对于PNP管，毫无疑问PNP管是低电平有效的，因此上拉电阻的阻值用100K以上的就行了，且管子的基极必须串接一个110K的电阻，阻值的大小要看管子集电极的负载是什么，对于LED类负载，由于发光电流很小，因此基极串接的电阻的阻值可以用20k的，但是对于管子的集电极为继电器负载时，由于集电极电流大，因此基极电阻的阻值最好不要大于4.7K。 对于驱动TTL集成电路，上拉电阻的阻值要用110K之间的，有时候电阻太大的话是拉不起来的，因此用的阻值较小。但是对于CMOS集成电路上拉电阻的阻值就可以用的很大，一般不小于20K，我通常用100K的，实际上对于CMOS电路，上拉电阻的阻值用1M的也是可以的，但是要注意上拉电阻的阻值太大的时候，容易产生干扰，尤其是线路板的线条很长的时候，这种干扰更严重，这种情况下上拉电阻不宜过大，一般要小于100K，有时候甚至小于10K。