半导体PN结的物理特性及弱电流测量.docx
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1、半导体PN结的物理特性及弱电流测量半导体PN结的物理特性及弱电流测量 1 在室温时,测量PN结电流与电压关系,证明此关系符合玻尔兹曼分布律; 2 在不同温度条件下,测量玻尔兹曼常数; 3 学习用运算放大器组成电流电压变换器测量弱电流。 FDPN2PN结物理特性测定仪 一、 PN节物理特性及玻尔兹曼常数测量 由半导体物理学可知,PN结的正向电流电压关系满足 I=I0(eeUKT-1) 式中I是通过PN结正向电流,I0是不随时电压变化的常数,T是热力学温度,e是电子的电荷量,U为PN结正向电压降。由于在常温时,KT/e0.026V,而PN正结正向压降约为十分之几伏,则e项完全可以忽略,于是有: I
2、=I0eeUKTeUKT1,式括号内-1也即PN结正向电流随正向电压按指数规律变化。若测得PN结IU关系值,则利用式可以求出e/KT。在测得T后,就可以得到e/K常数,把电子电量作为已知值代入,即可求出玻尔兹曼常数K。 在实际测量中,二极管的正向IU关系虽然能较好满足指数关系,但求得的常数K往往偏小。这是因为通过二极管电流不只是扩散电流,还有其他电流。一般它包括三种成分:1、扩散电流,它严格遵循式;2、耗尽层复合电流,它正比于eeeUmKTeU2KT;3、表面电流,它是由Si和SiO2界面中杂质引起的其值正比于,一般m2。因此,为了验证式及求出准确的e/K常数,不宜采用硅二极管,而采用硅三极管
3、接成共基极线路,因为此时集电极与基极短接,集电极电流中仅仅是扩散电流。复合电流主要在基极出现,测量集电极电流时,将不包括它。本实验选取性能良好的硅三极管,实验中又处于较低的正向偏置,这样表面电流影响也完全可以忽略,所以此时集电极电流与结电压将满足式。实验线路如图1所示。 二、 弱电流测量 物理实验中10-6A10-11A量级弱电流通常采用光点反射式检流计测量,该仪器灵敏度较高,约为10-9A/分度,但有许多不足之处。如十分怕震,挂丝易断;使用时稍有不慎,光标易偏出满度,瞬间过载引起挂丝疲劳变形产生不回零点及指示变化大;使用和维修极不方便。近年来,集成电路与数字化显示技术越来越普及。高输入阻抗运
4、算放大器性能优良,价格低廉,用它组成电流电压变换器测量弱电流信号,具有输入阻抗低、电流灵敏度高、温漂小、线性好、设计制作简单、结构牢靠等优点,因而被广泛应用于物理测量中。 LF356是一个高输入阻抗集成运算放大器,用它组成电流电压变换器,如图2所示。其中虚框内电阻Zr为电流电压变换器等效输入阻抗。由图2可知,运算放大器的输出电压U0为: U0=-K0Ui 式中UI为输入电压,K0为运算放大器开环电压增益,即图2中电阻Rf时的电压增益,Rf称为反馈电阻。因为理想运算放大器的输入阻抗rf,所以信号源输入电流只流经反馈网络构成的通路。因而有: IS=(Ui-U0)/Rf=U0(1+K0)/Rf 由式
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- 半导体 PN 物理 特性 电流 测量
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