模版环境影响评价全本江苏华盛天龙光电设备股份有限公司“多晶硅铸锭实验示范工厂项目和产400台单晶硅、多晶硅、单晶硅晶体生长炉150台单晶硅切割机床150.doc
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1、JTEM 42070-2012建 设 项 目 竣 工 环 境 保 护验 收 监 测 报 告(2015)环监(综合)字第( )号 项目名称: 多晶硅铸锭实验示范工厂项目和年产400台单晶硅、多晶硅、单晶硅晶体生长炉,150台单晶硅切割机床,150台单晶硅切方滚圆机、100台多晶硅铸锭炉,60台单晶硅籽晶炉迁建项目 委托单位: 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 金坛市环境监测站 2015年1月 承担单位:金坛市环境监测站站长:虞 晖项目负责人:陈 辉报告编写:陈 辉审 核:李雨来签 发:谢惠琴 参加人员:王 俊、陈 辉、刘小丽、沈留祥等 金坛市环境监测站(负责单位)电话:0519-82321153
2、传真:0519-82321153邮编:213200地址:金坛市北环东路96号 目 录1、前言12、验收监测依据23、建设项目工程概况33.1建设项目基本情况33.2建设项目生产工艺、设备、原辅材料及产污情况63.3污染物排放及防治措施153.4环保措施落实及运行情况汇总224. 环评结论及环评批复意见234.1 环评主要结论和建议234.2 环评批复意见235. 验收监测评价标准245.1废水排放标准24 5.2厂界噪声标准24 5.3总量控制指标246、验收监测内容246.1 验收监测期间工况246.2 污水监测256.3厂界噪声监测276.4总量核算277、验收监测数据的质量控制和质量保证
3、307.1 质量控制和质量保证措施307.2 监测分析方法308、环境管理检查319、结论和建议339.1 结论339.2 建议34江苏华盛天龙光电设备股份有限公司多晶硅铸锭实验示范工厂项目和年产400台单晶硅、多晶硅、单晶硅晶体生长炉,150台单晶硅切割机床,150台单晶硅切方滚圆机、100台多晶硅铸锭炉,60台单晶硅籽晶炉迁建项目验收1、前言江苏华盛天龙光电设备股份有限公司为持续改进自己所产多晶硅铸锭炉质量,也为下游多晶硅片生产企业培训合格的生产及技术人员,决定在公司现有厂区内实施多晶硅铸锭实验示范工厂项目。该项目为光伏设备及元器件制造业(C3825)。示范工厂建成后,可年产1200万片的
4、太阳能多晶硅片。本项目产品具有硅片尺寸大、铸锭周期更短、原材料利用率高等特点。其技术达到国内领先水平,与世界太阳能光伏产业先进水平同步。太阳能级硅晶片是制作太阳能电池的核心材料,产品被广泛应用于航天、通讯、交通以及偏远地区居民的生产、生活供电等领域,还可以应用于太阳能灯、草坪灯和屋顶太阳能光伏发电等新的领域。本项目产品多晶硅片是太阳能光伏产业的重要组成部分,是技术含量高、资金投入大的一个环节。其发展水平、速度和规模,直接影响到太阳能电池和电池组件的生产规模和成本,也会影响到太阳能发电事业的推广范围、速度和效益。江苏华盛天龙光电设备股份有限公司(原名常州华盛天龙机械有限公司、江苏华盛天龙机械股份
5、有限公司)成立于2001年12月,并于2009年12月在深圳证券交易所上市,其证券简称为“天龙光电”、证券代码为300029,公司注册资本2亿元,是一家专业的光伏设备研发生产企业,也是目前国内太阳能电池加工设备领域中产品种类最齐全的企业之一。公司目前的主要产品包括单晶硅生长炉、单晶硅切断机和单晶硅切方滚磨机等光伏设备,覆盖了人工晶体生长和加工的多个工序范围。公司已实现批量生产的产品和在研项目的技术水平在国内同行业中处于领先地位,部分达到国际先进水平。公司累计承担省、市级科技项目3项,获得国家知识产权专利10项,正在受理专利申请9项,拥有专有技术1项。2008年,公司85A型单晶炉还获得江苏省科
6、技进步三等奖。公司先后获得江苏省民营科技型企业、江苏省百强民营科技企业、江苏省高新技术企业、常州市民营科技型企业等多种荣誉,被江苏省发改委评为“江苏省人工晶体设备工程中心”,并被江苏省科技厅、江苏省财政厅等部门联合认定为高新技术企业。公司已通过ISO9001:2000质量管理体系认证。2009年12月25日,公司在深交所正式上市,由此成为全国光伏生产设备制造行业首家上市公司,常州市首家成功登陆创业板的企业,同时也是金坛第一家上市公司。面对光伏行业的发展前景和金坛良好的投资环境,公司在市委、市政府的领导下,在全体员工的共同努力下,充分发挥自身优势,将打造成一个高标准、高效率的国际化上市公司,跻身
7、世界一流企业之列,创造出最高的经济效益和社会效益,为世界光伏行业的发展作出更大的贡献。为了严格贯彻执行国家、江苏省及常州市有关环保政策、法规的要求,江苏华盛天龙光电设备股份有限公司委托常州市环境保护研究所编制了年产400台单晶硅、多晶硅、单晶硅晶体生长炉,150台单晶硅切割机床,150台单晶硅切方滚圆机、100台多晶硅铸锭炉,60台单晶硅籽晶炉迁建项目环评报告表,委托江苏久力环境工程有限公司编制了多晶硅铸锭实验示范工厂项目环境影响报告书,并分别2008年4月11日和2012年8月7日通过金坛市环保局审批,项目工序已基本建设完成,投入生产阶段,目前企业生产工况稳定,具备了环保“三同时”竣工验收监
8、测条件。根据国家环保总局第13号令建设项目竣工环境保护验收管理办法等文件的要求,受江苏华盛天龙光电设备股份有限公司委托,金坛市环境监测站组织专业技术人员于2013年5月对该项目工程建设现状、污染物排放、环保治理设施的运行等进行了现场勘查和调研,并编制了本项目竣工验收监测报告。2、验收监测依据建设项目环境保护管理条例(国务院令第253号令);建设项目竣工环境保护验收管理办法(国家环保总局第13号令,2001年12月);关于建设项目环境保护设施竣工验收监测管理有关问题的通知及其附件关于建设项目环境保护设施竣工验收监测技术要求(国家环保总局200038号);江苏省排污口设置及规范化整治管理办法(江苏
9、省环境保护局,苏环管97122号);江苏省排放污染物总量控制暂行规定(省政府1993第38号令);江苏华盛天龙光电设备股份有限公司年产400台单晶硅、多晶硅、单晶硅晶体生长炉,150台单晶硅切割机床,150台单晶硅切方滚圆机、100台多晶硅铸锭炉,60台单晶硅籽晶炉迁建项目环评报告表(常州市环境保护研究所,2008年4月)江苏华盛天龙光电设备股份有限公司多晶硅铸锭实验示范工厂项目环评报告书。(江苏久力环境工程有限公司,2011年7月);“关于对江苏华盛天龙光电设备股份有限公司多晶硅铸锭实验示范工厂项目项目环境影响报告书的审批意见”(坛环审2012120号,金坛市环境保护局,2012年8月)。3
10、、建设项目工程概况3.1建设项目基本情况项目名称:多晶硅铸锭实验示范工厂项目和年产400台单晶硅、多晶硅、单晶硅晶体生长炉,150台单晶硅切割机床,150台单晶硅切方滚圆机、100台多晶硅铸锭炉,60台单晶硅籽晶炉迁建项目验收 建设单位:江苏华盛天龙光电设备股份有限公司;项目性质:新建和迁建;人员编制:全厂人员100人;工作制度:年工作约300d,8h/班,四班三运转,年工作时数7200h。 本项目产品方案见表3.1-1,项目多晶硅片规格表见表3.1-2,主体工程、公用及辅助工程等见表3.1-3。本项目选址于公司现有厂区内建设,一方面可就近利用现有项目所产多晶硅铸锭炉,另一方面也便于向公司多晶
11、硅铸锭炉的潜在客户展示公司产品性能。项目的建设可在一定程度上延伸公司现有产品的生产线、优化公司产品结构,也可帮助现有项目所产的多晶硅铸锭炉做大市场。项目已基本建设完成,目前企业产负荷在75%以上,项目已具备竣工环保部分验收监测条件。表3.1-1项目产品方案序号车间/工段名称产品名称及规格设计能力运行时数h/a1多晶硅片生产线多晶硅片1200万片/a7200 表3.1-2 项目多晶硅片规格表序号项目指标1长度156mm2宽度156mm3厚度20020um4倒角12mm5电阻率1-3cm6少子寿命2us7氧含量11018at/cm38碳含量51016at/cm3表3.1-3 主体工程、公用及辅助工
12、程等项目名称建设名称设计能力备注主体工程生产车间多晶硅片1200万片/a本项目拟在公司厂区西南侧新建一幢两层、总建筑面积约13200m2的综合楼,生产车间集中在一层,二层用于办公及仓储等。贮运工程原料及助剂3600 m2位于新建厂房二楼成品库1800 m2内部周转电梯及电动行车外部运输公路运输辅助工程机修车间2200m2利用公司现有工程中心办公用房1200m2位于新建厂房二楼(只限本项目管理人员)食堂等7800m2公司现有公用工程给水81000m3/a来自当地自来水管网排水45000 m3/a最终送金坛市第二污水处理厂集中处理供电系统1800万kWh/a 项目在厂房一楼设单独变配电室供气176
13、t/a公司在铸锭过程中用的氩气保护气,外购。循环冷却水198万m3/a建一套能力400 m3/h的密闭型冷却塔等循环系统环保工程废气加强车间通风废水处理公司生产废水经沉淀、过滤去除少量多晶硅屑后与生活污水及车间地面冲洗水一起进行生化处理。循环冷却系统排水及纯水系统排水经收集后进区域雨水管网,最终就近排入尧塘河。经公司预处理的废水再经金坛市第二污水处理厂集中处理后达标排入尧塘河。固废处理废切削液:交专业公司分离、提纯后利用。废多晶硅屑(块):交专业公司回收、清洗后利用。包装桶、袋:交物资回收公司部门回收,实行综合利用。废玻璃、废坩埚:交相关企业综合利用。生活垃圾和生化污泥:交环卫部门卫生填埋处置
14、。全部综合利用或安全处置噪声处理噪声较强设备均置于室内,噪声经厂房隔声、距离衰减后排放,部分设备装有减振垫等。厂界达标景观水池约2000 m2(已有)绿化13600 m2(全厂,已有)全厂厂区绿化率约8%。3.2建设项目生产工艺、设备、原辅材料及产污情况经现场踏勘核对,各产品具体工艺流程、原辅材料消耗、产污环节等与环评所述内容基本相同。故本项目相关内容具体可参见环评报告。3.2.1建设项目生产工艺1、坩埚喷涂将方形石英坩埚准备好,在坩埚内表面涂一薄层Si3N4涂料(将Si3N4和水调和后高压喷涂),烘干,以防止铸成的晶锭与坩埚内壁粘连,影响晶锭的质量。2、装料装炉将不同电阻率的洁净硅原料根据电
15、阻率计算结果进行配比按工艺要求投入长方体石英陶瓷坩埚中,每次投料重量约500kg。将坩埚放入定向凝固法铸锭炉。3、熔铸、脱模熔铸过程包含多晶硅熔化、结晶、退火、冷却等工艺环节,均在熔锭炉中进行。按正常工艺,一炉熔铸时间共约62h。将冷却后的多晶硅锭和石英陶瓷坩埚一起通过行车从熔铸炉中吊出,然后手工敲碎石英陶瓷坩埚,获得长方体多晶硅锭。在整个熔铸过程中需通入氩气保护气,通入保护气是为防止炉中残留空气中的少量氧气氧化原料硅,氩气通入量为35L/min。熔铸炉在熔化、结晶、退火工艺环节均需用夹套冷却水,以冷却熔铸炉炉壁。4、开方将多晶硅锭切割成一定规格的长方体。开方(切方)在全自动电脑控制开方机上进
16、行,开方过程中需用切削液冲洗刀口,切削液冲洗起润滑和冷却作用。开方机自带过滤系统将切削液滤除颗粒物后循环利用,过滤过程产生的滤渣主要是废硅屑(块)。图3.2.1-1 项目生产工艺流程及物料平衡图(t/a)切削液主要成分为聚乙二醇和碳化硅(1:1),即将碳化硅微粉(经专用设备进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体)搅拌到聚乙二醇中形成的悬浮液。5、检验采用寿命仪、万用表、氧硅仪、红外探伤仪等测试设备检测长方体硅锭是否合格,其中寿命仪、万用表、氧硅仪分别检测电频率、电阻率、氧硅含量和晶体缺陷。6、磨面、倒角通过精磨机对切方硅锭进行表面平磨和倒角,其中精磨可使柱面达到光滑、平整,倒角使锐利直角磨成圆弧形
17、,防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生。7、水洗采用水喷淋方式对平磨倒角硅锭进行冲洗,去除表面残留精磨颗粒物。8、切片将平磨倒角硅锭切割成规格为156mm156mm0.20mm 的硅片。在需切割硅锭表面涂一层粘结剂(环氧树脂AB胶,无挥发组分),以将硅块与玻璃板粘结在一起。固化粘结好的硅块用专用工具装入全自动电脑控制的多线切割机,被带着切割液的钢线切割成片。利用专用工具将成组的硅片与玻璃板分离。切片过程中需用切削液冲洗刀口,起润滑和冷却作用。9清洗先采用超声波清洗方式,以去除粘附在硅片表面的杂质和粘结剂,清洗用水中加入适量的硅片专用清洗剂(主要有效成分为十二烷基苯磺酸和聚醚),再用去离子水进行逆流漂
18、洗。将洗净的多晶硅片进行离心脱水,去除硅片表面残留水份。(超声波清洗原理是利用每秒钟上万次的机械振动,使超声波以正压和负压重复交替变化的方式传播,在清洗水中不断产生数以万计的微细气泡。由于正压和负压的作用,使气泡破裂时对空穴周围产生巨大的冲击,放出巨大的能量,从而去除粘附在表面的杂质,利用超声波清洗可达到比人工或机械清洗更好的效果。)10、检验、包装检验硅片尺寸、厚度、表面质量等指标。将成品硅片用海绵一隔一叠放置后,打包入库。 3.2.2主要设备见表3.2.2-1本项目主要生产设备见表3.2.2-1。表3.2.2-1 项目生产设备一览表序号名称规格数量(台、套)产地1多晶铸锭炉DRZF-450
19、520华盛天龙2烧结炉1陕西咸阳3开方机100KW380V2上海4磨面机380V2无锡5切片机58KVA380V20日本6分选机4KV380V2德国7倒角机2美国8纯水装置10t/h1国产9冷却塔400m3/h1 3.2.3建设项目主要原辅材料消耗情况见表3.2.3-1。本项目所用原料均来自市场采购,全部采用袋装、箱装或桶装,在质量满足生产要求的情况下,包装规格一般不作具体要求。所有原料分类储存于原辅材料库中,各种产品分类存放。建设项目主要原辅材料特性表见表3.2.3-2。表3.2.3-1建设项目主要原辅料消耗一览表原料名称耗用量t/a最大贮存量t/a物质形态包装方式储存方式多晶硅26030固
20、态袋装原料库仓储碳化硅770100固态袋装原料库仓储聚乙二醇77060液态桶装原料库仓储坩埚5010固态箱装原料库仓储氮化硅11固态袋装原料库仓储粘结剂31液态桶装原料库仓储清洗剂0.60.5液态桶装原料库仓储玻璃板225固态袋装原料库仓储钢线3000卷200卷固态箱装原料库仓储合计1876.6207.5表3.2.3-2 建设项目主要原辅材料特性表名称理化性质危险特性毒性、毒理多晶硅是单质硅的一种形态,灰色,有金属光泽。密度2.322.34。熔点1410。沸点2355。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。室温下质脆,切割时易碎裂。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。具有半导体性
21、质,是极为重要的优良半导体材料。/聚乙二醇浅黄色-无色油状液体。平均分子量:300500,沸点大于250,pH值(1%水液)6-7,无刺激性,具有良好的水溶性,并与许多有机物组份有良好的相溶性。不易挥发。难燃。无毒、无刺激性。碳化硅又称碳硅石,也称金钢砂或耐火砂,因含杂质分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.203.25,硬度介于刚玉和金刚石之间。可用于单晶硅、多晶硅等线切割。氮化硅Si3N4分子量140.28,白色无定形粉末,含杂质时呈灰色,相对密度3.44(20),熔点1900。膨胀系数小,不溶于水,在沸水中缓慢分解。氮化硅是一种超硬原子晶体,本身具有润滑性,具有高强度、
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