低温多晶硅行业研究报告.doc
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1、低温多晶硅基础资料一、名词释义1LTPSLow Temperature Poly-Silicon,低温多晶硅,它是多晶硅技术的一个分支。对LCD显示器来说,采用多晶硅液晶材料有许多优点,在多晶硅技术发展的初期,为了将玻璃基板从非晶硅结构(a-Si)转变为多晶硅结构,就必须借助一道激光退火(Laser Anneal)的高温氧化工序,此时玻璃基板的温度将超过摄氏1000度。与传统的高温多晶硅相比,低温多晶硅虽然也需要激光照射工序,但它采用的是准分子激光作为热源,整个处理过程是在摄氏500-600度以下完成,普通的玻璃基板也可承受。2a-Siamorphous silicon,又称无定形硅。单质硅的
2、一种形态。棕黑色或灰黑色的微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞,纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。3ppipixels per inch,每英寸所拥有的像素数目。所表示的是每英寸所拥有的像素(pixel)数目。因此ppi数值越高,即代表显示屏能够以越高的密度显示图像。当然,显示的密度越高,拟真度就越高。4AMOLEDActive Matrix/Organic Light Emitting Diode,是有源矩阵有机发光二极体面板。相比传统的液晶面板,AMOLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。5TFTThin Film Transistor,薄膜场效应晶体管,是指液晶显示器
3、上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息。6LCDLiquid Crystal Display,即液晶显示器。LCD 的构造是在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体,两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线,透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向,将光线折射出来产生画面。7AMFPDActive Matrix Flat Panel Display,即有源矩阵平板显示器,该类器件主要特征就是在显示屏的每一个像素点上都有一个电开关器件,如三极管开关器件,用以控制每一个像素点液晶的开关状态,如TFT LCD、AMOLED等。8CG SiContin
4、uous Grain Silicon,即连续粒状结晶硅,是SHARP公司的一项专利技术工艺,基于此技术开发的TFT屏幕,具有比 LTPS更佳的电子迁移特性,能超越 CRT实现高图像分辨率。它允许在基底玻璃上直接形成具有良好性能(速度)的半导体器件以及 LCD矩阵的有源晶体管, 从而降低整个显示器的元件数量、尺寸和重量。二、低温多晶硅简述低温多晶硅的全称是“Low Temperature Poly-Silicon(LTPS,多晶硅又简称为p-Si,下同)”,这项技术是指在低于600摄氏度的温度下,在玻璃基板甚至塑料基板上生成多晶硅薄膜的工艺,它是多晶硅技术的一个分支。对显示器制造来说,采用多晶硅
5、材料有许多优点,如薄膜电路可以做得更薄更小、功耗更低等等。在多晶硅技术发展的初期,为了将玻璃基板从非晶硅结构(a-Si)转变为多晶硅结构,就必须借助一道激光退火(Laser Anneal)的高温氧化工序,此时玻璃基板的温度将超过摄氏1000度。众所周知,普通玻璃在此高温下就会软化熔融,根本无法正常使用,只有石英玻璃才能够经受这样的高温处理。而石英玻璃不仅价格昂贵且尺寸都比较小,无法作为显示器的面板,厂商很自然选择了廉价的非晶硅材料(a-Si),a-Si TFT技术也成为了现在的主流技术。不过,业界并没有因此放弃努力,发展低温多晶硅技术成为共识,在经过多年的努力之后,低温多晶硅终于逐步走入现实。
6、与传统的高温多晶硅相比,低温多晶硅虽然也需要激光照射工序,但它采用的是准分子激光作为热源,激光经过透射系统后,会产生能量均匀分布的激光束并被投射于非晶硅结构的玻璃基板上,当非晶硅结构的玻璃基板吸收准分子激光的能量后,就会转变成为多晶硅结构。由于整个处理过程是在摄氏500-600度以下完成,普通的玻璃基板也可承受,这就大大降低了制造成本(与高温多晶硅使用石英基板相比较)。而除了制造成本降低外,低温多晶硅技术的优点还体现在以下几个方面:1电子迁移速率更快 电子迁移率以“cm/V-sec”为单位,指的是每秒钟每伏特电压下电子的运动范围大小。传统的a-Si非晶硅材料,电子迁移率指标多数都在0.5 cm
7、/V-sec以内,而P-Si多晶硅的电子迁移率可达到200 cm/V-sec,整整是非晶硅材料的400倍之多。由于在该项指标上多晶硅材料占据绝对优势,使得多晶硅LCD的反应速度极快,体现在显示器产品中便是响应时间可以做到更短,更好满足大屏幕LCD的实用需求。另外,对于在业界中堪称“下一代的完美显示技术”AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)即有源矩阵有机发光二极体面板,鉴于OLED为电流驱动元件,对于驱动背板所能提供的载子迁移率要求较高,所以现阶段使用LTPS TFT基板已成为了主流,并且LTPS 是目前唯一可实现量产的技术。2薄膜
8、电路面积更小 液晶材料通过控制光的通断来显示不同的画面,这样,每个液晶像素都必须有一个专门的TFT薄膜电路。这个薄膜电路与液晶像素一一对应,且成为像素的一部分,由于电路本身并不透光,来自背光源的光线便会被它遮挡。薄膜电路占据的面积越大,能透过的光能就越少,体现在最终显示上就是液晶像素较暗。而如果薄膜电路占据的面积较小,透过的光线就较多,在背光源不变的情况下,液晶像素也可以拥有较高的输出亮度。LCD业界引入“开口率(Aperture Ratio)”指标来描述此种情况,开口率是指每个像素可透光的区域与像素总面积的比例。显然,薄膜电路占据的面积越小,可透光区域就越大,开口率越高,整体画面就越亮。 传
9、统a-Si非晶硅材料在开口率方面的表现难如人意,原因就在于对应的薄膜电路体积较大,虽然许多厂商想尽办法提升该项指标,但收效甚微。而p-Si多晶硅材料在这方面具有绝对的优势,用该技术制造的LCD面板,薄膜电路可以做得更小、更薄,电路本身的功耗也较低。更重要的是,较小的薄膜电路让多晶硅LCD拥有更高的开口率,在背光模块不变的情况下可拥有更出色的亮度及色彩输出。换个角度考虑,采用多晶硅材料也可以在确保亮度不变的前提下,有效降低背光源的功率,整机的功耗将因此大大降低,这对于笔记本LCD屏来说具有相当积极的意义。 3更高的分辨率 越来越多的液晶厂商开始重视p-Si多晶硅技术。如前所述,p-Si多晶硅面板
10、的薄膜电路尺寸极小,开口率比传统非晶硅面板高得多,对应的LCD面板要做到高分辨率不仅相对容易,且可以拥有更为出色的显示效果。举例来说,对于12英寸的笔记本LCD屏,如果改用低温多晶硅技术,显示屏就可以在实现1024768高分辨率的同时,将开口率指标保持在与常规桌面型LCD显示器相当的水准,由此大幅度改善屏幕的亮度输出、对比度和色彩效果,“12英寸无好屏”的说法自然也就成为历史。事实上,多晶硅技术所能达到的分辨率远超乎人们的想象,如在三片式LCD投影机中,高温多晶硅(High Temperature Poly-Silicon)技术被广泛使用,而它可以在面板尺寸仅有1.3英寸时,就实现102476
11、8的超高分辨率,如果换作是普通的非晶硅技术则远远无法达到这一指标。 4结构简单、稳定性更高 对于传统的非晶硅LCD显示器,驱动IC与玻璃基板是不可集成的分离式设计,因此,在驱动IC与玻璃基板之间需要大量的连接器。一般来说,一块非晶硅LCD面板,需要的连接器数量在4000个左右,这不可避免导致结构变得复杂,模块制造成本居高不下,且面板的稳定性较差,故障率会比较高。再者,驱动IC与玻璃基板的分离式设计也让LCD难以实现进一步轻薄化,这对轻薄型笔记本电脑和平板PC而言都是个不小的打击。相比之下,低温多晶硅技术同样没有这个问题。驱动IC可以同玻璃基板直接集成,所需的连接器数量锐减到200个以下,显示器
12、的元器件总数比传统的a-Si非晶硅技术整整少了40%。这也使得面板的结构变得很简单、稳定性更强,理论上说,多晶硅LCD面板的制造成本也将低于传统技术。与此同时,集成式结构让驱动IC不必占据额外的空间,LCD显示屏可以做得更轻更薄,这一点无疑可以得到市场的广泛欢迎。 三、低温多晶硅的制作方式1固相结晶(Solid Phase Crystallization;SPC) 所谓的固相结晶是利用加热的方式使硅原子能够得到足够的能量而重新排列。由于属于均质成核,在非晶硅膜的每个位置都有可能成核,导致成核数目过多,反而使得晶粒在成长过程中受到周围晶粒的限制而无法得到大晶粒。通常是将非晶硅薄膜在600摄氏度热
13、处理20到48小时,与直接成长多晶硅相比,仍具有较大的晶粒,因此有较高的载子迁移率,且波膜表面粗糙度也较低。2准分子激光退火结晶(Excimer Laser Crystallization;ETC) 近年来以准分子激光取代传统的加热方式已经被广泛研究。利用准分子激光所产生的高温仅对薄膜加热,使其溶解后结晶。重复制程后可得到大晶粒的多晶硅薄膜。遗照激光能量密度可分为三种形式: 完全熔融:以较高的激光能量密度将非晶硅薄膜完全熔融后,冷却后结晶。此时属于均质成核,结晶颗粒为不规则的多角形。 接近完全熔融:降低激光能量密度使非晶硅层不会完全被溶化,在玻璃基板上留下一些非晶硅颗粒,当冷却成长时,会以非晶
14、硅颗粒为晶种往外成长而得到大晶粒。 部分熔融:利用激光仅将非晶硅薄膜上层溶解,而留下一层非晶硅结构。当冷却时,会以下层的非晶硅为晶种做纵向成长,此时得到的晶粒为垂直薄膜的长条形晶粒。 在TFT的制作上,为了提高电子迁移率也就是要减少晶界的数目,换句话说就是需要大的晶粒产生,因此多以“接近完全熔融”的方式制造。但激光退火的缺陷除了设备成本高以外,在激光将非晶硅层将薄膜熔融后,晶粒随着激光的方向成长,随后在两晶粒的交界处产生晶界。此现象会导致表面粗糙,将会影响元件的制造。 3金属诱发结晶 目前已知少量的特定金属可以帮助多晶硅结晶,降低固相结晶所需的热处理温度。这些金属依照不同诱发结晶的方式可以分为
15、两类:一种是与硅产生共晶反应(例如:Al、Au),温度一般比单相结晶的温度低,且金属溶解在硅中可加强非晶硅的结晶,所以可以在低温下产生结晶。以Al为例,Al与Si的共同温度在5777摄氏度,但在200摄氏度左右便开始与非晶硅层反应产生结晶。金属向内扩散时不仅可使非晶硅结晶,同时因为金属掺杂的关系导致Si层转变成P型。另一种方式是利用金属与硅反应成稳定的硅化物(例如Ni,Pd等),在硅化物移动的过程中,金属原子的自由电子与Si-Si共价键发生反应,以NiSi2作为硅结晶的晶种,降低非晶硅结晶所需的能障,使得结晶温度降低。在Si薄膜上选择镀覆(Ni或是Pd)可以诱发金属覆盖区以外的地方结晶,此种现
16、象称为金属诱发侧向结晶(Metal induced lateral Crystallization;MILC)。在热处理时,金属覆盖下的非晶硅反应生成多晶硅,再以这些多晶硅为晶种进行侧向结晶,因此金属的含量很低,且能获得较大的结晶晶粒。四、低温多晶硅应用领域及用途多晶硅是半导体工业、电子信息产业、太阳能光伏电池产业的最主要、最基础的功能性材料。主要用做半导体的原料,是制做单晶硅的主要原料,可作各种晶体管、整流二极管、可控硅、太阳能电池、集成电路、电子计算机芯片以及红外探测器等。多晶硅也是制备单晶硅和太阳能电池的原材料,是全球电子工业及光伏产业的基石。按照硅含量纯度可分为太阳能级硅(6 N)和电
17、子级硅(11N)。近年来,基于低温多晶硅的薄膜晶体管LTPS TFT在平板显示器的驱动中显现出了优异的性能,已被业界视为实现全彩色大尺寸平板显示的主要技术发展方向之一,但是目前由于使用该技术制造大面积基板较为困难,主要是因为良品率不高,现在还主要只能用于高精细度中小尺寸面板的量产上,使用LPTS技术的面板分辨率已经可以达到250ppi 甚至300ppi以上。目前,低温多晶硅技术主要应用在携带型资讯产品、数位相机、监视器、投影机等产品领域。要理解LTPS TFT技术在平板显示器制造中的应用,还需要了解目前开发出来的平板显示技术的种类。下图为平板显示技术的分类:从技术分类来看,平板显示(FPD)技
18、术主要包括发射类显示技术和非发射类显示技术。其中发射类显示技术包括等离子显示(PDP)、有机发光二极管显示(OLED)、场发射显示器(FED);非发射类显示技术主要为液晶显示(LCD),包括有源矩阵显示(薄膜晶体管液晶显示,TFT-LCD)和无源矩阵显示(TN/STN-LCD)。目前,LTPS TFT此项技术的主要应用在于制造TFT LCD和AMOLED。从另一角度来说,TFT LCD 和AMOLED又属于AMFPD(Active Matrix Flat Panel Display)即有源矩阵平板显示器,该类器件主要特征就是在显示屏的每一个像素点上都有一个电开关器件,如三极管开关器件,用以控制
19、每一个像素点液晶的开关状态。下面对这两种不同的显示技术及应用在这两种显示技术上的TFT技术做一个介绍及比较:1)TFT LCDTFT LCD 即薄膜晶体管液晶显示器,是有源矩阵类型液晶显示器(AMLCD)中的一种,意思是液晶显示器上的每一个液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管(TFT)来驱动。采用的是有源驱动方式,与其他的LCD技术相比, TFT LCD 的每个像素点都是由集成在自身上的TFT来控制,不但反应时间可以极大地提高 ,起码可以到80ms左右,而且对比度和亮度也大大提高了,同时分辨率也达到了空前程度。因其具有比其他两种LCD显示器更高的对比度和更丰富的色彩,屏幕更新频率也更快,俗称
20、“真彩”。TFT LCD是目前的显示器市场上最主流的平板显示技术。TFT LCD分为a-Si TFT LCD(Amorphous Silicon Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)非晶硅薄膜晶体管液晶显示器和LTPS TFT LCD(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器。其中,a-Si TFT LCD是以非晶硅为半导体材料,使用无硷玻璃基板,制程温度在350以下,以NMOS为晶体管结构者。因材料限制迁移
21、率较差,故使用非晶硅薄膜制程的面板驱动电路需外部安装。目前,a-Si技术仍占主导地位,通常所说的薄膜晶体管液晶显示器也说的是a-Si TFT LCD。LTPS TFT LCD制程温度可在600 以下,以多晶硅为半导体材料,使用无硷玻璃,主要靠固相成长原理达到晶体成长的目的,晶体管结构为CMOS。与传统的非晶硅a-Si相比,多晶硅p-Si分子结构在一颗晶粒(Grain)中的排列状态是整齐而有方向性的,因此电子移动率比排列杂乱的非晶硅快了200-300倍。因此,相比a-Si TFT LCD,LTPS TFT LCD具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点,并且可以将外围驱动电路同时制作在玻
22、璃基板上,达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本。但是,在LTPS的生产规模还没有大规模的提升,以及LTPS技术还没有完全成熟之前,LTPS还不能够完全替代非晶硅技术,其原因之一是LTPS技术成本比较高,退火工艺是增加其成本的一个原因,退火设备本身造价就很昂贵,而且退火过程还需要耗费额外的时间成本;另一个原因是TFT的关态电流(即漏电流)较大,以及高迁移率P-Si材料低温大面积制程较困难。2)AMOLEDAMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)即有源矩阵有机发光二极体面板,是有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入复
23、合实现发光的器件。与目前显示器主流并且在技术前沿的TFT LCD 相比,在显示效能方面,AMOLED反应速度较快、对比度更高、视角也较广,这些是AMOLED天生就胜过TFT LCD的地方;另外AMOLED具自发光的特色,不需使用背光板,因此比TFT更能够做得轻薄,而且更省电;还有一个更重要的特点,不需使用背光板的AMOLED可以省下占TFT LCD 34成比重的背光模块成本。另外相比传统的液晶面板,AMOLED还具有高清晰、高亮度、使用温度范围广、抗震能力强和可实现柔软显示等特点。因此,AMOLED在业界中堪称“下一代的完美显示技术”。鉴于OLED为电流驱动元件,对于驱动背板所能提供的载子迁移
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