键合线生产可行性分析报告.doc
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1、公 司 简 介合肥工科力研金属材料科技有限公司是一家主要从事金属新材料研发、生产、销售的科技型公司。公司主要产品为用于半导体封装引线的铜、银、银系列合金、铜镀钯等金属材料及半导体封装键合线。公司为客户提供机电一体化、自动化、智能化的解决方案,提供设计、研发、生产、销售全方位的创新服务。公司业务包括电子材料装备、新材料、IC及LED封装等,在内地的南京、深圳、合肥、绍兴、邢台、成都等城市设有全资或合资企业和研发机构。公司的主要产品有:半导体封装键合引线成套生产设备;各种材料、各种规格的键合引线;铜、银、银合金、铜镀钯等高端键合线材料,电子元器件以及相关技术的研发、转让。合肥工科力研金属材料科技有
2、限公司有限公司是国内目前唯一具有完整键合线成套设备生产能力的企业,其键合引线生产设备为国内首创。拥有完全自主的知识产权,技术装备及生产工艺已达国际水平。 地址:合肥经开区合工大新区(翡翠路393号) 电话:0551-646025976 网址: 半导体封装键合引线生产分析报告一、概论半导体产业分为集成电路和分立器件两大分支,近几年市场对LED高亮和超高亮发光的强劲需求,LED成为半导体产业增长最重要的因素之一。封装是指把硅芯片上的电路管脚用导线连接到外部引脚处并用树脂将其密封以便于与其他器件连接,半导体封装包括集成电路封装和分立器件封装,LED封装是在分立器件封装基础上发展和演变而来,它与分立器
3、件封装最大的不同是不仅有电参数的设计和要求也有光参数的设计和要求,LED封装已成为半导体封装的一个重要分支。半导体封装的四大材料是芯片、框架、键合引线和塑封树脂,LED封装还包括反光材料。传统的键合引线材料以金线为主,但随着半导体产业的技术进步,金键合线在性能上已不能满足需要,特别是黄金价格的飙升,半导体封装厂商更亟待寻求性能更优越、价格更低廉的替代产品。科技部、财政部、国家税务总局在国科发火(2008)172号文件中将集成电路引线框架材料生产列入国家重点支持的高新技术领域。合肥工科力研金属材料科技有限公司早在2007年开始就注意到了半导体封装键合引线发展的趋势,和相关科研机构、半导体厂商联合
4、设计、研发新型键合引线生产设备和材料工艺,经数年潜心研究,目前已取得满意的效果并已走出实验室,实现工业化生产。生产设备具有完全自主的知识产权,技术先进,自动化程度高,产量高,产品质量稳定,可生产银、铜、铜钯、金银钯系列合金等材料键合线;材料工艺完全达到了进口同类产品的水平,部分指标国际领先。公司建有研发、生产基地,生产键合线设备、键合线材料和系列键合线产品,经权威机构检测和用户实际使用,证明达到了行业领先水平。为此,我们编制了此报告,以供投资者参考。二、半导体封装电,存在于自然界中,中国人最早从雷闪中引出电的概念,1752年美国科学家富兰克林进行了危险的风筝引闪电实验是人类第一次真正认识了电,
5、此实验导致了避雷针的发明。意大利科学家伏特发明的蓄电池使得电学研究有了巨大的进步。俄罗斯科学家西林格发明的电报和美国科学家贝尔发明的电话使人类的通信进入了全新的时代。1883年,爱迪生发现从电灯泡的热丝上飞溅出来的电子把灯泡的一部分熏黑了,这种现象被称为爱迪生效应。1904年,弗莱明从爱迪生效应得到启发,发明了二极管,用它来进行检波。1907年,美国的福雷斯特在二极管的阳极和阴极之间又加了一个叫做栅极的电极,发明了三极管。这种三极管既可以用于放大信号电压,也可以配以适当的反馈电路产生稳定的高频信号,可说是一个划时代的电路元件,三极管经过进一步的改进,能够产生短波,超短波等高频信号。在此基础上科
6、学家们又发明了四极管、五极管等,这些电子器件统称为电子管,早期的收音机、电视机、电子计算机所使用的都是电子管。金属都具有良好的导电性能,称之为导体,陶瓷等材料则与之相反,称为绝缘体,介乎两者之间的称为半导体,最常用的半导体材料是硅和锗。科学家在研究中发现将半导体材料掺入适当的杂质,其导电性能会发生变化,在一定条件下具有单向导电或单向阻断电流的特征,实现电子管的功能。半导体材料都是非常规则的晶体,所以用半导体材料制造的二极管、三极管等电子器件称为晶体管。与电子管相比晶体管寿命长、体积小、能耗低、开机不需预热、造价低廉,现在除极少数需要很大功率的电子设备外,电子管已完全被晶体管所替代。1、集成电路
7、1958年美国提出了用半导体制造全部电路元器件,实现集成电路化的方案。1961年,德克萨斯仪器公司开始批量生产集成电路。集成电路并不是用一个一个电路元器件连接成的电路,而是把具有某种功能的若干个电路“埋”在半导体晶体里的一个器件。它易于小型化和减少引线端,所以具有可靠性高的优点。集成电路的集成度在逐年增加。元件数在100个以下的小规模集成电路,1001000个的中规模集成电路,1000100000个大规模集成电路,以及100000个以上的超大规模集成电路,都已依次开发出来,并在各种装置中获得了广泛应用。集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把
8、一个电路中所需的二极管、三极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路有很多种封装形式(如SLP,SOIC,TSOP,QFP,BGA,LGA等等),集成电路封装所用的材料包括芯片、框架、键合引线、塑封树脂。图1、集成电路封装示意图芯片集成电路的心脏是芯片,是在面积很小的硅板上通过特殊工艺集成了多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块。框架框架的主要功能是为芯片提供机械
9、支撑载体,并作为导电介质连接IC外部电路,传送电信号,以及与引线、塑封材料一起,向外散发芯片工作时产生的热量,常用的框架材料有铁镍、铜铁、铜铬等。键合引线引线键合是封装工艺中半导体芯片和外界实现电气连接的关键性工艺,通过超声或热超声压焊工艺将芯片与框架引脚互联的连接线称为键合引线,常用的键合引线有金、银、铜、合金等。键合引线生产是本报告书的主旨。塑封树脂键合完成后的集成电路需要用树脂类聚合材料将其密封,隔绝框架内部与外界空气、灰尘的接触。2、分立器件半导体产业有两大分支,集成电路和分立器件,“分立”是相对于“集成”来区分的,分立器件被广泛应用到消费电子、计算机及外设、网络通信,汽车电子、LED
10、显示等领域,细分产品为电容、电阻、电感器件、电声器件、磁材料及器件、电接插元等。包括: 半导体二极管:锗二极管、硅二极管、化合物二极管等; 半导体三极管:锗三极管、硅三极管、化合物三极管等; 特种器件及传感器; 敏感器件:压力敏感器件、磁敏器件、气敏器件、湿敏器件、离子敏感器件、声敏感器件、射线敏感器件、生物敏感器件、静电感器件等。分立器件的封装和集成电路封装类似,所用材料包括芯片、框架、引线、塑封树脂四大类。常用的键合引线材料有金、银、铜、铝、合金等。3、LEDLED是英文Light Emitting Diode的缩写,意即发光二极管,是一种将电能转变为可见光的固体半导体器件,为半导体分立器
11、件的一种。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴 占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长决定光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。LED受到广泛重视和迅速发展,广泛用于照明、汽车、交通、室内外显示,液晶显示等行业,其优点概括为亮度高、工作电压
12、低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。LED的发展前景极为广阔,目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性,可靠性、全色化方向发展。图2、LED发光管图3、LED封装示意图LED封装键合引线的作用是晶片和引脚之间的电气连接,常用的材料有金、银、铜、合金等。三、键合线运用的现状无论是集成电路封装还是分立器件封装,用于芯片和框架引脚互联的键合引线都是至关重要的材料,半导体技术向小体积,高性能,高密集,多芯片方向推进,对集成电路封装引线材料的要求越来越细,要求引线具有良好的导电性、导热性,符合以上要求有金、银、铜、铝四种金属。金银铜铝电阻率、导热率比较银铜金铝电阻率(
13、2/m)0.015860.016780.0240.0265520导热率 (w/(mk)429401317240300K通过以上比较我们得出如下结论:导电能力依次为银、铜、铝、金;导热能力依次为银、铜、金、铝。半导体封装的发展源于上世纪50年代的美国,在以上四种金属中由于金具有较好的导电性和导热性,良好的化学稳定性、延展性,易于加工到键合所需要的直径,传统的键合引线为金线。但是随着半导体工业的发展,半导体封装业正快速地向小体积,高性能,高密集,多芯片方向推进,从而对封装引线材料的要求越来越细,而超细的键合金线在键合工艺中已不能胜任窄间距、长距离键合技术指标的要求。在超细间距球形键合工艺中,由于封
14、装引脚数的增多,引脚间距的减小,由于金的再结晶温度较低等因素的影响,超细的键合金线在键合过程中常常造成键合引线的摆动、键合断裂和塌丝现象,对器件包封密度的强度也越来越差,成弧能力的稳定性也随之下降,从而加大了键合难度。另外,近几年来,黄金价格一路飕升,给使用键合金线的厂商增加了沉重的成本压力,加大了生产及流动成本,制约了整个行业的技术提升及规模发展。传统的键合金丝已经达到了其能力极限,难以满足小线径、高强度、低弧度、长弧形、并保持良好导电导热性的要求。随着半导体产业的发展,键合金丝无论从质量上、数量上和成本上都难以满足市场的发展需求。所以国家把提高新型电子器件创新技术和工艺研发纳入国家专项实施
15、重点规划项目,鼓励开发高科技、节能降耗、绿色环保型半导体封装新材料。最初被用来替代金键合线的是硅铝丝(AI-1%Si),硅铝丝作为一种低成本的键合引线受到人们的广泛重视,国内外很多科研单位都在通过改变生产工艺来生产各种替代金丝的硅铝丝,但仍存在较多的问题。1、普通硅铝丝在球焊时加热易氧化,生产一层硬的氧化膜,此膜阻碍球的形成,而球形的稳定性是硅铝丝键合强度的主要特性,实验证明,金线球焊在空气中焊点圆度高,硅铝丝球焊由于表面氧化的影响,空气中焊点圆度低。2、硅铝丝的拉伸强度和耐热性不好,容易发生引线下垂和塌丝。3、在可用于生产封装键合线的金、银、铜、铝四种金属中,铝的导电、导热性较差,用铝作键合
16、线的半导体产品在性能上难以满足设计要求。由于存在以上问题,铝主要应用于功率器件、微波器件和光学器件封装上,难以用于IC和LED封装。鉴于以上现状,国外主要键合线生产厂商都在积极开发新型键合线材料,主要有铜、银、铜镀钯、金银钯合金、金银合金等。部分产品开发成功并已进入市场,目前国内高端键合线市场基本被国外产品垄断,这些国外公司包括德国的贺利氏(Heraeus)公司,日本的田中(TANAKA)株式会社和拓自达(TATSUTA)株式会社,韩国的MK电子以及台湾省的乐金电子等。四、新材料键合线金属大多具有良好的导电导热性能,普通的金属是由无数个晶粒组成的晶体,晶粒呈无序排列,晶粒和晶粒之间存在称之为“
17、晶界”的界面,电信号通过晶界时会产生折射和反射,从而造成信号的衰减和失真。普通金属材料在受力变形时晶粒和晶粒之间会在晶界上产生移位和断裂,很难加工到键合线要求的极小直径(目前已达到0.016mm)。科学家在研究中发现,通过热型连铸连锻的生产工艺金属能加工成晶粒在整根金属棒上按一个线性方向呈柱状排列的金属材料,单方向柱状晶体材料亦即所谓的“单晶”材料,单晶金属材料并非真正意义的单晶体物质。由于其晶粒按同一线性方向呈柱状有序排列,信号通过“晶界”的衰减小,具有更好更稳定的导电、导热性能,极好的高保真信号传输能力和超常的物理机械加工性能,是极好的半导体封装键合线材料。实验证明单方向结晶线材导电率比同
18、直径普通线材提高10%左右,目前已工业化生产的有铜和银等。1、铜键合引线单方向结晶铜(即“单晶铜”)用于键合引线的优势主要表现在以下几个方面:1、晶粒呈单方向柱状排列:相对普通铜材晶粒在同一线性方向呈柱状排列,铜杆有致密的定向凝固组织,“晶界”间信号衰减小,极少有缩孔、气孔等铸造缺陷;且结晶方向与拉丝方向相同能承受更大的塑性变形,是拉制键合引线(0.016-0.03)的理想材料。2、高纯度:目前可以做到99.9999%(6N)的纯度。 3、机械性能好:与金键合线相比具有良好的拉伸、剪切强度。铜线相对于金线具有更高的球剪切力、线弧拉力值,铜线键合球剪切力比金线高15%25%,拉力值比金线高10%
19、20%,且在塑封料包封时线弧抗重弯率(wire sweep)更强。4、 导电性好:20时铜的电阻率为0.016782/m,比金的电阻率0.0242/m低,在直径相同的条件下铜丝可以承载更大的电流,使得铜引线不仅用于功率器件,也应用于需要更小直径引线的高密度IC封装和LED封装。5、导热性好:铜的导热性好,传热效率更高,300K时金为317 w/(mk),铜为401 w/(mk)。6、低成本:铜线成本只有金线的1/201/30,可节约键合线成本90%以上。不过,相对于金线,铜线化学稳定性较差,容易被氧化,铜的硬度、屈服强度等物理参数高于金线,这意味着键合时需要施加更大的超声能量和键合压力,因此容
20、易对芯片造成损伤甚至破坏,这是铜线封装键合工艺的瓶颈。相关厂商通过对焊接材料(铜丝、基板、框架)和封装键合工艺两方面来改善其可焊性,根据现阶段铜线封装键合应用发展状况,这一瓶颈已经得到了有效的突破,铜线封装键合工艺得到广泛的推广应用和发展,受到业界普遍青睐,铜线焊接键合工艺必将成为今后半导体封装的主流技术。2、铜镀钯键合线铜键合线代替金键合线是未来半导体产业发展的必然趋势,但由于铜的化学稳定性较差,易于氧化,在生产、贮存、运输以及焊接工艺上都受到一定的制约,也不太适合用于功率高、发热大的高端半导体封装(例如超大规模IC、高亮LED等)。我们在解决这一难题的过程中找到了非常完美的解决方案铜镀钯,
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