大连天壹电子有限公司建设项目环境影响报告书简本.doc
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1、大连天壹电子有限公司建设项目环境影响报告书简本环评单位:大连机工机械环保研究所建设单位:大连天壹电子有限公司编制时间:二O一四 年 一 月1.总 则1.1评价目的(略)1.2编制依据(略)1.3评价标准1.3.1环境质量标准(1) 环境空气:环境空气质量标准(GB3095-2012)中的二级标准;工业企业设计卫生标准(TJ36-79)。(2) 噪声:声环境质量标准(GB3096-2008)中3类功能区标准。1.3.2排放标准(1) 废气:大气污染物综合排放标准排放标准(GB16297-1996)中新污染源二级标准、恶臭污染物排放标准(GB14554-93)和饮食业油烟排放标准GB18483-2
2、001中相关标准。(2) 噪声:营运期执行工业企业厂界环境噪声标准(GB12348-2008)中厂界外为3类声环境功能区噪声标准。(3) 废水:辽宁省污水综合排放标准(DB21/1627-2008)中表1“排入污水处理厂的水污染物最高允许排放浓度”标准。(4) 固体废弃物 一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准(GB 18599-2001); 辽宁省工业固体废物污染控制标准(DB21-777-94)。 危险废物贮存污染控制标准(GB18597-2001); 国家危险废物名录(2008年本)。1.4评价等级划分及评价范围1.4.1大气评价等级划分及评价范围根据环境影响评价技术导则大气环境(HJ
3、/T2.2-2008),本项目大气环境影响评价等级定为三级。结合项目的环境空气污染影响特点及项目所在区域环境空气污染特征,本次评价的大气评价范围确定为:以厂区为中心,南北延伸2.5km,东西延伸2.5km。1.5.2水环境评价等级划分及评价范围根据导则要求,可以只进行污染物排放类型和数量、给排水情况、排放去向等简单的环境影响分析。本次评价的水环境评价范围确定为项目的污水排放口。1.5.3噪声评价等级划分及评价范围噪声评价等级定为三级。根据评价等级,并综合考虑周边环境影响,评价范围控制噪声评价范围确定为厂界外1m。1.5.4环境风险评价工作等级根据环境风险评价技术导则(HJ/T169-2004)
4、中关于风险评价等级的划分原则以及本项目所用氨水、异丙醇三甲基铝和过氧化氢等物质的危险特性、周围环境敏感程度以及重大危险源判定结果,本项目风险评价级别应定为二级。环境风险评价范围为,以厂房为中心,半径3km范围内。1.5 环境因子识别与筛选(1) 环境空气环境空气现状评价因子:SO2、NO2、TSP、氨气、有机废气。工程分析评价因子:氨气、有机废气、颗粒物。大气环境影响预测因子:氨气、有机废气。(2) 水环境工程分析评价因子:COD、氨氮、磷酸盐、pH。总量控制分析的评价因子:COD、氨氮。(3) 声环境声环境现状评价因子:昼间等效声级(Ld)、夜间等效声级(Ln)。声环境影响评价因子:昼间等效
5、声级(Ld)。1.6评价工作内容 根据建设项目的性质、排污特点及环境功能状况确定本次评价工作内容:(1) 环境空气: 评价区域环境质量现状调查、监测及评价; 通过工程分析,确定项目各主要污染源的特征、主要污染物的种类及产生量; 分析本项目主要大气污染物的影响程度和范围; 提出污染防治和缓解措施。(2) 水环境: 对本项目废水产生、排放情况进行统计计算; 对本项目废水提出合理的污染防治措施。(3) 声环境: 在项目所涉及区域内进行现状调查、监测和评价; 各生产设备噪声情况进行分析,分析其对周围环境的影响情况; 提出合理可行的防治噪声污染的措施及建议。(4) 其他: 对本项目可能发生的风险事故进行
6、预测分析,并提出防止该类事故发生的措施以及发生事故后的应急措施; 提出污染物总量控制和环境管理、环境监测要求; 进行公众意见调查,了解并汇总公众对本项目的意见。1.7污染控制与环境保护目标1.7.1污染控制目标采取切实有效的污染防治措施保证项目建成后各污染因子达标排放。1.7.2环境保护目标评价范围内主要环境保护目标见表1-1。表1-1 环境保护目标分布表序号名称与本项目最近距离及相对位置影响要素1大连开发区五中NW,1200m大气环境2卧龙园小区NW,1400m大气环境3福泉小区W,1600m大气环境2.建设项目概况2.1项目概况建设项目名称:大连天壹电子有限公司建设项目建设单位名称:大连天
7、壹电子有限公司建设项目性质:新建建设项目位置:大连市开发区光谷路11号,大连半导体照明工业园区1B座4层东,见图2-1。建设项目投资规模:4981.6万元建设项目位置 图2-1 建设项目位置图2.2建设内容及平面布局天壹电子公司计划引进韩国先进电容器生产制造设备,建设2条国际先进的片式薄膜电容器生产线,尽快形成年产新型片式积层蒸镀陶瓷电容器EIA CC0201电容163亿枚或EIA CC0402电容78.3亿枚生产规模,积极开拓国内外市场。本项目租用大连半导体照明工业园区的厂房进行生产经营活动,所用土地为工业用地,项目所在厂房为大连半导体照明工业园区1B座4层东,包括生产车间,办公室,会议室,
8、食堂等。2.3主要生产设备本项目主要生产设备见表2-1。表2-1 主要生产设备明细表序号设备名称单位数量备注1水平式化学气象沉积系统套1韩国进口2垂直式化学气象沉积系统套1韩国进口3溅射系统套1韩国进口4掩膜校准机套1韩国进口5光刻胶涂布机套1韩国进口6清洗站(含尾气处理装置)套1韩国进口7甩干机台1国产8工艺尾气处理装置套1韩国进口9空压机台1国产10排风机台2国产11真空泵台8国产12中央空调(空冷型)组1国产13纯水机系统组1国产2.4主要原辅材料、水和能源耗用情况2.4.1主要原辅材料消耗建设项目主要原辅材料使用情况如表2-2。表2-2 主要原辅材料用量表序号名称年用量用途储存方式1硅
9、晶片60000张基板真空包装,室温2光刻胶240L光刻图形低温储藏柜3显影液1200L为光刻胶显影室温,黄光区4剥离液1200L剥离光刻胶室温,黄光区5铜108kg做电极板设备内6氨水21600L清洗晶片室温,黄光区7过氧化氢64800L清洗晶片室温,黄光区8三甲基铝7kg做电介质层设备内9氧气400L/月做电介质层隔离间10氩气400L/月保护气/吹扫气隔离间11液氮20t/月保护气/吹扫气隔离间12异丙醇300L清洁擦拭设备室温,黄光区项目主要能源消耗情况见表2-3。表2-3 建设项目主要能源消耗序号名称单位用量1电kWh/a9800002水生产用水t/a2279生活用水t/a3973液化
10、气m3/a28002.5大连半导体照明工业园基础设施配套情况及本项目公用工程(1) 园区基础设施配套情况 给水系统给水水源为城市自来水,拟从城市自来水管网引入DN90mm的给水管两根,在厂区内部形成环网。园区生产生活和消防供水分别设置供水系统。预计总用水用量约336/d,其中生产用水量136t/d,生活用水量200t/d。 排水系统工厂排水系统分为生活污水、生产废水和雨水,排水系统采用雨污、污污分流制。a. 生活污水食堂污水经隔油池除油后,与生活污水一起进入市政污水管网,最终排入小窑湾污水处理厂。b. 生产废水各入驻企业根据环评时具体要求设置预处理设施,处理后的污水排入厂区废水处理站进行统一处
11、理达标后,最终排入小窑湾污水处理厂。园区废水处理站位于厂区东南角。c. 雨水室外雨水经雨水排水管网排入市政雨水系统。 消防园区消防池储存2小时室内消火栓用水量约200m3。主要消防设施有:室外消火栓给水设施、室内消火栓给水设施、手提式灭火器等。厂区内自来水给水形成环状管网,室外每隔100m设置室外消火栓1个。在厂区各建筑均设置室内消火栓消防系统,在水泵房内设加压泵,消防用水加压后送至厂区内各建筑物的消防供水管网。供电园区用电负荷性质为二级负荷。供电电源拟采用一路10KV电源供电,在号建筑生产厂房内设变配电站。变电站配置高压开关柜、干式变压器、断路开关及低压配电柜等,高压满足项目建设需求,各标准
12、厂房根据生产要求设计车间变电站,解决该建筑物变配电供电。 通信、信息a. 综合布线系统设计交换容量为800门的电话交换站,充分满足企业需求。b. 火灾报警及应急广播系统生产厂房、动力站房、气体供给间、变电站设置火灾报警。报警监控中心设在生产厂房消防值班室内。应急广播设在报警监控中心,平时进行普通广播,火灾时作为应急广播,供疏散人群和组织救火使用。 供热园区由大连东浩热力公司的东浩锅炉房集中供热(相关手续在办理过程中),供热管网已建设完毕。该供热公司位于开发区三号路(距离本项目约2km),共有2台90t/h热水锅炉,总供热面积约180万m2,目前主要为卧龙居民小区、福泉小区以及周边大连机床厂等企
13、业供热,还剩余约90万m2供热能力。园区采暖面积约173,368.03m2,该供热公司的剩余供热能力能满足园区的需求。(2) 本项目公用工程(1)、给水系统本项目给水由市政给水管网供给。(2)、排水系统本项目生产废水包括、清洗废水(含显影液、剥离液)、湿法尾气处理器排水(弱碱性废水)、工艺尾气处理废水(含AL2O3)。这些废水都收集后定期交给东泰处理,不外排。本项目食堂污水经隔油池除油后,与生活污水一起进入市政污水管网,最终排入小窑湾污水处理厂。(3)、供电本项目用电来自市政电力管网。(4)、供暖及通风工程本项目供暖及通风换气有中央空调机组提供。2.6劳动定员与生产班制本项目定员19人,工人实
14、行8小时工作制,年工作日为261天。2.7 项目建设进度根据本项目建设内容和建设单位计划安排,项目从2012年12月开始筹建,计划中2014年4月投入运营。项目具体实施进度安排如下:2012年12月2013年6月,项目前期准备工作;2013年6月2013年12月,设备装配;2013年12月2014年4月,试制生产;2014年4月,正式生产。3.工程分析3.1项目建设期工程分析本项目厂房为租赁使用,因此不存在建设期环境影响问题。3.2项目营运期工程分析3.2.1工艺流程及产污环节项目的生产工艺及产污环节流程图见图3-1。工艺流程简述:1) 硅晶片和原材料准备:将硅晶片用一定比例的双氧水和氨水进行
15、清洗,然后用超纯水进行冲洗并甩干。该过程主要污染因素为氨气和尾气处理后产生的弱碱性废水。2) 光刻胶涂布和曝光:将硅晶片表片均匀旋涂一层光刻胶,然后用曝光机对硅晶片上的光刻胶按照制定模板进行曝光。该过程主要污染因素为光刻胶少量挥发产生的有机废气和废光刻胶。3) 显影和清洗:将带有曝光后光刻胶的硅晶片送往湿站进行显影(显影液),并用超纯水洗掉残余显影液,甩干。该过程主要污染因素为含有显影液的废水。4) 溅射电极层:将显影后的硅晶片送往溅射设备,溅射电极层。5) 剥离:将上一步结束后的硅晶片送往湿站进行剥离(剥离液),形成指定的电极图形,并用超纯水清洗,甩干。该过程主要污染因素为含有剥离液的废水。
16、6) 蒸镀介质层:将剥离后带有指定电极图案的晶片送往电介质蒸镀设备,进行蒸镀(TMA)。该过程主要污染因素为含微量三甲基铝颗粒的N2和Ar(废气),经工艺尾气处理装置后,三甲基铝全部反应,剩余惰性气体排出;尾气处理装置收集反应后产生的含Al2O3的废水。工艺流程污染因素防治措施氨气G1弱碱性废水W1有机废气G2废光刻胶S1湿站尾气处理器1#排气筒20米排放活性炭吸附2#排气筒20米排放收集后送有资质单位进行无害化处理收集后送有资质单位进行无害化处理排放位置准备硅晶片和原料光刻胶涂布,曝光溅射电极层显影,并用超纯水清洗蒸镀介质层研磨切割封装,测试包装、成品剥离外包图3-1 生产工艺及污染流程图废
17、显影液S2含显影液废水W2积层废剥离液S3含剥离液废水W3含三甲基铝颗粒的废气G3含Al2O3的废水W41#排气筒20米排放工艺尾气处理器收集后送有资质单位进行无害化处理7) 积层:根据需求进行重复(2-6)步骤。8) 外包(切割研磨,封装测试):对完成上述步骤的硅晶片进行研磨和切割,封装形成独立产品,进行测试。包装成品:将测试通过的产品进行包装。3.2. 2污染因素汇总本项目产生的污染物主要有:(1) 废水本项目产生的废水包括员工生活污水和生产废水(包括湿法尾气处理产生弱碱性废水、清洗工序产生的含显影液和玻璃液的废水、工艺尾气处理产生的含Al2O3的废水)。(2) 废气生产过程中产生的氨气、
18、有机废气、含三甲基铝颗粒的Ar和N2、及食堂产生的油烟废气。(3) 一般固体废物生活垃圾,废包装材料。(4) 危险废物废光刻胶、废显影液、废玻璃液、异丙醇废液。(5) 生产设备产生的噪声。3.2.3物料平衡(1)水平衡本项目用水平衡图见图3-2。含显影液、剥离液废水3060弱碱性废水2176小窑湾污水处理厂2176221901002279317.63972676送东泰送东泰循环量:500小窑湾污水处理厂清净下水损耗1循环冷却水损耗10清洗站纯水制备机工艺尾气处理生活用水自来水循环量:800损耗79.4图3-2 水平衡图(单位:t/a)(2)物料平衡本项目主要原辅材料的物料平衡见表3-1。表3-
19、1 物 料 平 衡 表序号名称年用量去向1硅晶片60000张进入产品100%2光刻胶240L废光刻胶24L/a(10%)挥发出有机废气微量曝光分解后溶于水216L/a(90%)3显影液1200L废显影液1200L/a4剥离液1200L废剥离液1200L/a5铜108kg进入产品108kg/a6氨水21600L氨气6480L/a废氨水溶液15120L/a7过氧化氢64800L废过氧化氢溶液64800L/a8三甲基铝7kg进入产品6.79kg/a被保护气带走0.21kg/a9异丙醇300kg废异丙醇30kg/a挥发270kg/a3.2.4污染物核算(1) 废水本项目产生的废水包括员工生活污水和生产
20、废水。 生活污水员工的生活用水按每人每天80L计,核定员工19人,则项目生活用水总量397t/a。根据环境统计手册,生活污水的产生量约占总用水量的80%,则本项目生活污水排放量为317.6t/a。员工生活污水水质取大连城市生活污水平均水质,即CODCr:270mg/L、NH3-N:20mg/L、SS:200mg/L,磷酸盐:3mg/L,则生活污水污染物的产生量为CODCr:0.086t/a、NH3-N:0.006t/a、SS:0.064t/a、磷酸盐:0.001t/a。 生产废水项目生产用水全部为纯水机制得的超纯水,纯水机24小时运行,产生纯水的同时会有废水产生,此部分废水作为清净下水,直接排
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