数字电路基础ppt课件：第2章 逻辑门电路.ppt

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1、2023/3/10,1,第2章 逻辑门电路,2.1 二极管及三极管的开关特性,2.2 基本逻辑门电路,2.1.1 二极管的开关特性,2.1.2 三极管的开关特性,2.2.1 二极管与门,2.2.2 二极管或门,2.2.3 关于高低电平的概念及状态赋值,2.2.4 二极管非门（反相器）,2.2.5 关于正逻辑和负逻辑的概念,返回,结束放映,2023/3/10,2,复习,请回忆实现与、或、非逻辑的开关电路形式？它们有何共同特点？开关电路与逻辑电路是如何联系起来的？,2023/3/10,3,2.1 二极管及三极管的开关特性,数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。导通状态：相当于开关

2、闭合截止状态：相当于开关断开。,半导体二极管、三极管和MOS管，则是构成这种电子开关的基本开关元件。,2023/3/10,4,(1)静态特性：断开时，开关两端的电压不管多大，等效电阻ROFF=无穷，电流IOFF=0。,闭合时，流过其中的电流不管多大，等效电阻RON=0，电压UAK=0。,(2)动态特性：开通时间 ton=0 关断时间 toff=0,理想开关的开关特性：,2023/3/10,5,客观世界中，没有理想开关。乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分接近理想开关，但动态特性很差，无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用时，其静态特

3、性不如机械开关，但动态特性很好。,2023/3/10,6,2.1.1 二极管的开关特性,返回,1.静态特性及开关等效电路,正向导通时UD(ON)0.7V（硅）0.3V（锗）RD几 几十相当于开关闭合,2023/3/10,7,反向截止时反向饱和电流极小反向电阻很大（约几百k）相当于开关断开,2023/3/10,8,图2-2 二极管的开关等效电路(a)导通时(b)截止时,2023/3/10,9,2.动态特性：,若输入信号频率过高，二极管会双向导通，失去单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。,二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。,反向恢复时间tre：二

4、极管从导通到截止所需的时间。一般为纳秒数量级（通常tre 5ns）。,2023/3/10,10,2.1.2 三极管的开关特性,1.静态特性及开关等效电路,在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。,图2-3三极管的三种工作状态（a）电路（b）输出特性曲线,返回,2023/3/10,11,开关等效电路,(1)截止状态,条件：发射结反偏特点：电流约为0,2023/3/10,12,(2)饱和状态,条件：发射结正偏，集电结正偏特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅,2023/3/10,13,图2-4三极管开关等效电路(a)截止时(b)饱和

5、时,2023/3/10,14,2.三极管的开关时间（动态特性）,图2-5 三极管的开关时间,2023/3/10,15,(1)开启时间ton 三极管从截止到饱和所需的时间。ton=td+tr td：延迟时间 tr：上升时间,(2)关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需的时间。toff=ts+tf ts：存储时间（几个参数中最长的；饱和越深越长）tf：下降时间,toff ton。开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。,2023/3/10,16,门电路的概念：实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等。,分立

6、元件门电路和集成门电路:分立元件门电路：用分立的元件和导线连接起来构成的门电路。简单、经济、功耗低，负载差。集成门电路：把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体芯片上，再封装起来，便构成了集成门电路。现在使用最多的是CMOS和TTL集成门电路。,2.2 基本逻辑门电路,2023/3/10,17,2.2.1 二极管与门电路,1.电路,2.工作原理,A、B为输入信号（+3V或0V）F 为输出信号 VCC+12V,表2-1电路输入与输出电压的关系,返回,2023/3/10,18,用逻辑1表示高电平（此例为+3V）用逻辑0表示低电平（此例为0.7V）,3.逻辑赋值并规定高低电平,4.真值表,可见实

7、现了与逻辑,2023/3/10,19,5.逻辑符号6.工作波形(又一种表示逻辑功能的方法）7.逻辑表达式FA B,图2-6 二极管与门（a）电路（b）逻辑符号（c）工作波形,2023/3/10,20,2.2.2 二极管或门电路,1.电路,2.工作原理,A、B为输入信号（+3V或0V）F为输出信号,返回,2023/3/10,21,4.真值表,可见实现了或逻辑,3.逻辑赋值并规定高低电平,用逻辑1表示高电平（此例为+2.3V）用逻辑0表示低电平（此例为0V）,2023/3/10,22,图2-7 二极管或门（a）电路（b）逻辑符号（c）工作波形,5.逻辑符号6.工作波形7.逻辑表达式FA+B,202

8、3/3/10,23,2.2.3 关于高低电平的概念及状态赋值,电位指绝对电压的大小；电平指一定的电压范围。高电平和低电平：在数字电路中分别表示两段电压范围。例：上面二极管与门电路中规定高电平为3V，低电平0.7V。又如，TTL电路中，通常规定高电平的额定值为3V，但从2V到5V都算高电平；低电平的额定值为0.3V，但从0V到0.8V都算作低电平。,1.关于高低电平的概念,返回,2023/3/10,24,2.逻辑状态赋值,在数字电路中，用逻辑0和逻辑1分别表示输入、输出高电平和低电平的过程称为逻辑赋值。经过逻辑赋值之后可以得到逻辑电路的真值表，便于进行逻辑分析。,2023/3/10,25,2.2

9、.4 非门（反相器）,图2-8 非门(a)电路（b）逻辑符号,1.电路,2.工作原理,A、B为输入信号（+3.6V或0.3V）F为输出信号,返回,2023/3/10,26,3.逻辑赋值并规定高低电平,用逻辑1表示高电平（此例为+3.6V）用逻辑0表示低电平（此例为0.3V）,4.真值表,2023/3/10,27,2.2.5 关于正逻辑和负逻辑的概念,正逻辑体系：用1表示高电平，用0表示低电平。负逻辑体系：用1表示低电平，用0表示高电平。,1.正负逻辑的规定,2.正负逻辑的转换,对于同一个门电路，可以采用正逻辑，也可以采用负逻辑。本书若无特殊说明，一律采用正逻辑体制。同一个门电路，对正、负逻辑而

10、言，其逻辑功能是不同的。,返回,2023/3/10,28,正与门相当于负或门,二极管与门电路,返回,2023/3/10,29,作业题,2-1,返回,2023/3/10,30,2.3.1TTL反相器的工作原理,2.3.2 TTL反相器的电压传输特性及参数,2.3 TTL反相器,2.3.4 TTL反相器的其它参数,2.3.3TTL反相器的输入特性和输出特性,返回,结束放映,2023/3/10,31,复习,什么是高电平？什么是低电平？什么是状态赋值？什么是正逻辑？什么是负逻辑？二极管与门、或门有何优点和缺点？,2023/3/10,32,2.3 TTL反相器,TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用

11、半导体三极管，所以称晶体管晶体管逻辑门电路，简称TTL电路。,TTL电路的基本环节是反相器。简单了解TTL反相器的电路及工作原理，重点掌握其特性曲线和主要参数（应用所需知识）。,2023/3/10,33,2.3.1 TTL反相器的工作原理,1.电路组成,返回,图2-9 TTL反相器的基本电路,2023/3/10,34,(1)输入级,当输入低电平时，uI=0.3V，发射结正向导通，uB1=1.0V当输入高电平时，uI=3.6V，发射结受后级电路的影响将反向截止。uB1由后级电路决定。,2023/3/10,35,(2)中间级,反相器VT2实现非逻辑,2023/3/10,36,(3)输出级（推拉式输

12、出）,VT3为射极跟随器,2023/3/10,37,2.工作原理,（1）当输入高电平时，uI=3.6V，VT1处于倒置工作状态，集电结正偏，发射结反偏，uB1=0.7V3=2.1V，VT2和VT4饱和，输出为低电平uO=0.3V。,2.1V,0.3V,3.6V,2023/3/10,38,（2）当输入低电平时，uI=0.3V，VT1发射结导通，uB1=0.3V+0.7V=1V，VT2和VT4均截止，VT3和VD导通。输出高电平uO=VCC-UBE3-UD5V-0.7V-0.7V=3.6V,1V,3.6V,0.3V,2023/3/10,39,(3)采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力,VT3

13、组成射极输出器，优点是既能提高开关速度，又能提高负载能力。当输入高电平时，VT4饱和，uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V，VT3和VD截止，VT4的集电极电流可以全部用来驱动负载。当输入低电平时，VT4截止，VT3导通(为射极输出器)，其输出电阻很小，带负载能力很强。可见，无论输入如何，VT3和VT4总是一管导通而另一管截止。这种推拉式工作方式，带负载能力很强。,2023/3/10,40,2.3.2 TTL反相器的电压传输特性及参数,电压传输特性：输出电压uO与输入电压uI的关系曲线。,图2-10 TTL反相器电路的电压传输特性,1.曲线分析,VT4截止，称关门,VT4饱和，称开门,返回

14、,2023/3/10,41,2.结合电压传输特性介绍几个参数,2023/3/10,42,(3)开门电平UON一般要求UON1.8V(4)关门电平UOFF一般要求UOFF0.8V,在保证输出为额定低电平的条件下，允许的最小输入高电平的数值，称为开门电平UON。,在保证输出为额定高电平的条件下，允许的最大输入低电平的数值，称为关门电平UOFF。,2023/3/10,43,(5)阈值电压UTH 电压传输特性曲线转折区中点所对应的uI值称为阈值电压UTH（又称门槛电平）。通常UTH1.4V。,(6)噪声容限（UNL和UNH）噪声容限也称抗干扰能力，它反映门电路在多大的干扰电压下仍能正常工作。UNL和U

15、NH越大，电路的抗干扰能力越强。,2023/3/10,44,2023/3/10,45,低电平噪声容限（低电平正向干扰范围）UNL=UOFF-UIL UIL为电路输入低电平的典型值（0.3V）若UOFF=0.8V，则有 UNL=0.8-0.3=0.5(V),高电平噪声容限（高电平负向干扰范围）UNH=UIH-UON UIH为电路输入高电平的典型值（3V）若UON=1.8V，则有 UNH=3-1.8=1.2(V),2023/3/10,46,2.3.3 TTL反相器的输入特性和输出特性,1.输入伏安特性,输入电压和输入电流之间的关系曲线。,图2-11 TTL反相器的输入伏安特性（a）测试电路（b）输

16、入伏安特性曲线,返回,2023/3/10,47,两个重要参数：,(1)输入短路电流IIS当uI=0V时，iI从输入端流出。iI=(VCCUBE1)/R1=(50.7)/4 1.1mA,(2)高电平输入电流IIH 当输入为高电平时，VT1的发射结反偏，集电结正偏，处于倒置工作状态，倒置工作的三极管电流放大系数反很小(约在0.01以下)，所以 iI=IIH=反 iB2 IIH很小，约为10A左右。,2023/3/10,48,图2-12 输入负载特性曲线（a）测试电路（b）输入负载特性曲线,TTL反相器的输入端对地接上电阻RI 时，uI随RI 的变化而变化的关系曲线。,2.输入负载特性,2023/3

17、/10,49,在一定范围内，uI随RI的增大而升高。但当输入电压uI达到1.4V以后，uB1=2.1V，RI增大，由于uB1不变，故uI=1.4V也不变。这时VT2和VT4饱和导通，输出为低电平。,2023/3/10,50,RI 不大不小时，工作在线性区或转折区。,RI 较小时，关门，输出高电平；,RI 较大时，开门，输出低电平；,ROFF,RON,RI 悬空时？,2023/3/10,51,(1)关门电阻ROFF 在保证门电路输出为额定高电平的条件下，所允许RI 的最大值称为关门电阻。典型的TTL门电路ROFF 0.7k。,(2)开门电阻RON 在保证门电路输出为额定低电平的条件下，所允许RI

18、 的最小值称为开门电阻。典型的TTL门电路RON 2k。数字电路中要求输入负载电阻RI RON或RI ROFF，否则输入信号将不在高低电平范围内。振荡电路则令 ROFF RI RON使电路处于转折区。,2023/3/10,52,3.输出特性,指输出电压与输出电流之间的关系曲线。,(1)输出高电平时的输出特性,负载电流iL不可过大，否则输出高电平会降低。,图2-13 输出高电平时的输出特性（a）电路（b）特性曲线,拉电流负载,2023/3/10,53,图2-14输出低电平时的输出特性（a）电路（b）特性曲线,(2)输出低电平时的输出特性,负载电流iL不可过大，否则输出低电平会升高。,一般灌电流在

19、20 mA以下时，电路可以正常工作。典型TTL门电路的灌电流负载为12.8 mA。,灌电流负载,2023/3/10,54,2.3.4 TTL反相器的其它参数,1.平均传输延迟时间tpd,平均传输延迟时间tpd表征了门电路的开关速度。,tpd=（tpLH+tpHL）/2,图2-15 TTL反相器的平均延迟时间,返回,2023/3/10,55,2 TTL门电路主要参数的典型数据,表2-5 74系列TTL门电路主要参数的典型数据,2023/3/10,56,作业题,2-6,返回,2023/3/10,57,2.4.3 三态输出门电路（TSL门）,2.4.1 TTL与非门,2.4.2 集电极开路门（OC门

20、）,2.4 其它类型TTL门电路,返回,结束放映,2023/3/10,58,复习,TTL反相器的电压传输特性有哪几个区？TTL反相器主要有哪些特性？TTL反相器的主要参数有哪些？,2023/3/10,59,2.4.1 TTL与非门,每一个发射极能各自独立形成正向偏置的发射结，并可使三极管进入放大或饱和区。,图2-16 多发射极三极管,1TTL与非门的电路结构及工作原理,返回,2023/3/10,60,图2-17三输入TTL与非门电路(a)电路(b)逻辑符号,2.1V,2023/3/10,61,为了提高工作速度，降低功耗，提高抗干扰能力，各生产厂家对门电路作了多次改进。74系列与54系列的电路具

21、有完全相同的电路结构和电气性能参数。其不同之处见下表所示。,2TTL门电路的改进系列,2023/3/10,62,表2-6 不同系列TTL门电路的比较,其中LS系列的综合性能(功耗延迟积)较优，价格较ALS系列优越，因此得到了较广的应用。,2023/3/10,63,对于不同系列的TTL器件，只要器件型号的后几位数码一样，则它们的逻辑功能、外形尺寸、引脚排列就完全相同。,例如，7420、74H20、74S20、74LS20都是四输入双与非门，都采用14条引脚双列直插式封装，而且各引脚的位置也是相同的。,2023/3/10,64,2.4.2 集电极开路门（OC门）,返回,为何要采用集电极开路门呢？,

22、推拉式输出电路结构存在局限性。首先，输出端不能并联使用。若两个门的输出一高一低，当两个门的输出端并联以后，必然有很大的电流同时流过这两个门的输出级，而且电流的数值远远超过正常的工作电流，可能使门电路损坏。而且，输出端也呈现不高不低的电平，不能实现应有的逻辑功能。,2023/3/10,65,图2-18推拉式输出级并联的情况,不高不低的电平：1/0?,2023/3/10,66,其次，在采用推拉式输出级的门电路中，电源一经确定（通常规定为5V），输出的高电平也就固定了（不可能高于电源电压5V），因而无法满足对不同输出高电平的需要。,集电极开路门（简称OC门）就是为克服以上局限性而设计的一种TTL门电

23、路。,2023/3/10,67,(1)电路结构：输出级是集电极开路的。,1集电极开路门的电路结构,(2)逻辑符号：用“”表示集电极开路。,图2-19 集电极开路的TTL与非门（a）电路（b）逻辑符号,集电极开路,2023/3/10,68,(3)工作原理：,当VT3饱和，输出低电平UOL0.3V；当VT3截止，由外接电源E通过外接上拉电阻提供高电平UOHE。因此，OC门电路必须外接电源和负载电阻，才能提供高电平输出信号。,2023/3/10,69,(1)OC门的输出端并联，实现线与功能。RL为外接负载电阻。,图2-20 OC门的输出端并联实现线与功能,2.OC门的应用举例,2023/3/10,7

24、0,图2-21用OC门实现电平转换的电路,（2）用OC门实现电平转换,2023/3/10,71,2.4.3 三态输出门电路（TS门）,返回,三态门电路的输出有三种可能出现的状态：高电平、低电平、高阻。,何为高阻状态？,悬空、悬浮状态，又称为禁止状态。测电阻为，故称为高阻状态。测电压为0V，但不是接地。因为悬空，所以测其电流为0A。,2023/3/10,72,(1)电路结构：增加了控制输入端（Enable）。,1三态门的电路结构,(2)工作原理：,2023/3/10,73,1,0,导通,1.0V,1.0V,截止,截止,悬空,2023/3/10,74,控制端高电平有效的三态门,(2)逻辑符号,控制

25、端低电平有效的三态门,用“”表示输出为三态。,2023/3/10,75,2三态门的主要应用实现总线传输,要求各门的控制端EN轮流为高电平，且在任何时刻只有一个门的控制端为高电平。,图2-23 用三态门实现总线传输,如有8个门，则8个EN端的波形应依次为高电平，如下页所示。,2023/3/10,76,2023/3/10,77,作业题,1、2-22、2-3,返回,2023/3/10,78,2.5.1 CMOS反相器,2.5.2 其它类型的CMOS门电路,2.5 CMOS 门电路,2.6.3 TTL门电路和CMOS门电路的相互连接,2.6.1 CMOS门电路的使用知识,2.6.2 TTL门电路的使用

26、知识,2.6 CMOS门电路和TTL门电路的使用知识及相互连接,本章小结,返回,结束放映,2023/3/10,79,复习,为什么要用OC门？OC门的工作条件？OC门有何应用？三态门有哪三态？三态门有何应用？,2023/3/10,80,MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得到了十分迅速的发展。,2.5 CMOS 门电路,2023/3/10,81,2.5.1 CMOS反相器,1MOS管的开关特性,MOS管有NMOS管和PMOS管两种。当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工

27、作中互补，称为CMOS管(意为互补)。MOS管有增强型和耗尽型两种。在数字电路中，多采用增强型。,返回,2023/3/10,82,图2-24 NMOS管的电路符号及转移特性(a)电路符号（b）转移特性,D接正电源,（1）NMOS管的开关特性,2023/3/10,83,图2-25 PMOS管的电路符号及转移特性(a)电路符号（b）转移特性,D接负电源,（2）PMOS管的开关特性,2023/3/10,84,图2-26 CMOS反相器,PMOS管,负载管,NMOS管,驱动管,开启电压|UTP|=UTN，且小于VDD。,2CMOS反相器的工作原理（1）基本电路结构,2023/3/10,85,（2）工作

28、原理,图2-26 CMOS反相器,UIL=0V,截止,导通,UOHVDD,当uI=UIL=0V时，VTN截止，VTP导通，uO=UOHVDD,2023/3/10,86,图2-26 CMOS反相器,UIH=VDD,截止,UOL 0V,当uI=UIH=VDD，VTN导通，VTP截止，uO=UOL0V,导通,2023/3/10,87,（3）逻辑功能实现反相器功能（非逻辑）。,（4）工作特点VTP和VTN总是一管导通而另一管截止，流过VTP和VTN的静态电流极小（纳安数量级），因而CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最突出的优点之一。,2023/3/10,88,图2-27 CMOS反相器的电

29、压传输特性和电流传输特性,3 电压传输特性和电流传输特性,AB段：截止区iD为0,BC段：转折区阈值电压UTHVDD/2转折区中点：电流最大,CMOS反相器在使用时应尽量避免长期工作在BC段。,CD段：导通区,2023/3/10,89,4.CMOS电路的优点,（1）微功耗。CMOS电路静态电流很小，约为纳安数量级。（2）抗干扰能力很强。输入噪声容限可达到VDD/2。（3）电源电压范围宽。多数CMOS电路可在318V的电源电压范围 内正常工作。（4）输入阻抗高。（5）负载能力强。CMOS电路可以带50个同类门以上。（6）逻辑摆幅大。（低电平0V，高电平VDD）,2023/3/10,90,2.5.

30、2 其它类型的CMOS门电路,负载管串联（串联开关）,1 CMOS或非门,驱动管并联（并联开关）,图2-28 CMOS或非门,A、B有高电平，则驱动管导通、负载管截止，输出为低电平。,1,0,截止,导通,返回,2023/3/10,91,该电路具有或非逻辑功能,即,当输入全为低电平，两个驱动管均截止，两个负载管均导通，输出为高电平。,0,0,截止,导通,1,2023/3/10,92,图2-29 CMOS与非门,该电路具有与非逻辑功能，即,2 CMOS与非门,负载管并联（并联开关）,驱动管串联（串联开关）,2023/3/10,93,3 CMOS传输门,图2-30 CMOS传输门（a）电路（b）逻辑

31、符号,2023/3/10,94,（2）工作原理（了解）,2023/3/10,95,（3）应用举例,图2-31 CMOS模拟开关,CMOS模拟开关：实现单刀双掷开关的功能。,C=0时，TG1导通、TG2截止，uO=uI1；C=1时，TG1截止、TG2导通，uO=uI2。,2023/3/10,96,图2-32 CMOS三态门(a)电路(b)逻辑符号,CMOS三态门,2023/3/10,97,2.6.1 CMOS门电路的使用知识,1输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路，给使用者带来很大方便。但是，这种保护还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高，极易产生感应较高的静电电压，从而击穿

32、MOS管栅极极薄的绝缘层，造成器件的永久损坏。为避免静电损坏，应注意以下几点：,2.6 CMOS门电路和TTL门电路的使用知识及相互连接,返回,2023/3/10,98,（1）所有与CMOS电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。（2）存储和运输CMOS电路，最好采用金属屏蔽层做包装材料。,2多余的输入端不能悬空。输入端悬空极易产生感应较高的静电电压，造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联使用。,2023/3/10,99,2.6.2 TTL门电路的使用知识,1多余或暂时不用的输入端不能悬空，可按以下方法处理：,（1）与其它输入端并联使用。（2）将不

33、用的输入端按照电路功能要求接电源或接地。比如将与门、与非门的多余输入端接电源，将或门、或非门的多余输入端接地。,返回,2023/3/10,100,(1)在每一块插板的电源线上，并接几十F的低频去耦电容和0.010.047F的高频去耦电容，以防止TTL电路的动态尖峰电流产生的干扰。(2)整机装置应有良好的接地系统。,2 电路的安装应尽量避免干扰信号的侵入，保证电路稳定工作。,2023/3/10,101,2.6.3 TTL门电路和CMOS 门电路的相互连接,TTL和CMOS电路的电压和电流参数各不相同，需要采用接口电路。一般要考虑两个问题：一是要求电平匹配，即驱动门要为负载门提供符合标准的输出高电

34、平和低电平；二是要求电流匹配，即驱动门要为负载门提供足够大的驱动电流。,返回,2023/3/10,102,1.TTL门驱动CMOS门,（1）电平不匹配TTL门作为驱动门，它的UOH2.4V,UOL0.5V；CMOS门作为负载门，它的UIH3.5V，UIL1V。可见，TTL门的UOH不符合要求。（2）电流匹配CMOS电路输入电流几乎为零，所以不存在问题。,2023/3/10,103,（3）解决电平匹配问题,图2-33 TTL门驱动CMOS门,外接上拉电阻RP在TTL门电路的输出端外接一个上拉电阻RP，使TTL门电路的UOH5V。（当电源电压相同时）,2023/3/10,104,选用电平转换电路(

35、如CC40109)若电源电压不一致时可选用电平转换电路。CMOS电路的电源电压可选318V；而TTL电路的电源电压只能为5V。,采用TTL的OC门实现电平转换。若电源电压不一致时也可选用OC门实现电平转换。,2023/3/10,105,2.CMOS门驱动TTL门,（1）电平匹配 CMOS门电路作为驱动门，UOH5V，UOL0V；TTL门电路作为负载门，UIH2.0V，UIL0.8V。电平匹配是符合要求的。,（2）电流不匹配 CMOS门电路4000系列最大允许灌电流为0.4mA，TTL门电路的IIS1.4 mA，CMOS4000系列驱动电流不足。,2023/3/10,106,（3）解决电流匹配问

36、题,CMOS电路常用的是4000系列和54HC/74HC系列产品，后几位的序号不同，逻辑功能也不同。,选用CMOS缓冲器 比如，CC4009的驱动电流可达4 mA。选用高速CMOS系列产品选用CMOS的54HC/74HC系列产品可以直接驱动TTL电路。,2023/3/10,107,表2-7 各种系列门电路的主要参数,2023/3/10,108,表2-8 常用集成门电路(TTL系列）,2023/3/10,109,表2-8 常用集成门电路(CMOS系列）,2023/3/10,110,本章小结,门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元，掌握各种门电路的逻辑功能和电气特性，对于正确使用数字集成电路是十分必要的。本章介绍了目前应用最广泛的TTL和CMOS两类集成逻辑门电路。在学习这些集成电路时，应把重点放在它们的外部特性上。外部特性包含两个内容，一个是输出与输入间的逻辑关系，即所谓逻辑功能；另一个是外部的电气特性，包括电压传输特性、输入特性、输出特性等。本章也讲一些集成电路内部结构和工作原理，但目的是帮助读者加深对器件外特性的理解，以便更好地利用这些器件。,2023/3/10,111,作业题,1、2-42、2-7,返回,