基于980nm半导体激光器光束准直系统的设计.doc

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1、毕业设计说明书基于980nm半导体激光器光束准直系统的设计学生姓名： 学号： 学 院： 专 业： 指导教师： 2012年 6 月基于980nm半导体激光器光束准直系统的设计摘要：半导体激光器具有体积小、重量轻、功耗低和可直接调制等优点，在激光雷达、激光通信、固体激光器的抽运、激光泵浦、激光扫描、激光测距、激光指挥笔等方面得到了非常广泛的应用。由于半导体激光器的结构特点，使得它发出的光束在垂直于结平面方向上远场发散角和平行于结平面方向的远场发散角相差较大。所以在几乎所有要求较高的应用领域中，其输出光束都必须通过特殊的光学系统进行准直。柱透镜因其结构简单、材料便宜以及加工容易而在半导体激光束准直领

2、域获得较多的应用，但普通的柱透镜其准直能力非常有限，为了提高柱透镜的光束准直能力，就有必要设计出更加合理和可行的结构。在本文中，基于柱透镜对半导体激光器光束准直的理论分析，设计了相互正交的柱透镜组作为设计模型，对980nm半导体激光器进行光束准直，并且利用ZEMAX软件对设计系统各部分准直效果进行模拟。关键字：半导体激光器，光束准直，柱透镜，高斯光束Based on the 980nm semiconductor laser beam collimation system designAbstract：Owing to its compactness，lightness,and low cos

3、t,semiconductor laser play an important role as coherent source in various fields of technology such as military,industry and medicine use and so on.However,the output beam quality of semiconductor laser is poorBecause of the waveguide properties of their active areas,semiconductor lasers generate l

4、arge divergence-angle beams with alliptically shaped intensity profile.And the beam of semiconductor laser has astigmatism.So,the output beam must be collimated by optical systems in most practical work.Because of simple structure and easy fabricating，the cylindrical lenses have been used in many pr

5、actical applications for beam collimating of semiconductor lasers.In this paper, Based on the cylindrical lens for semiconductor laser beam collimation theory analysis, Design of orthogonal cylindrical lens group as a design model, The 980nm semiconductor laser beam collimation,and using the ZEMAX s

6、oftware to the design of each part of the system of collimating and shaping effects simulation.Key words：Semiconductor Laser,Beam collimation, Cylindrical lens, Gaussian beam 目 录 1 绪论 11.1 选题目的及意义 11.2 980nm半导体激光器的发展及其应用 11.2.1 半导体激光器发展史 11.2.2 980nm半导体激光器的研究状况 31.2.3 980nm半导体激光器的主要应用41.3 准直技术的意义与研究

7、 51.3.1 半导体激光器光束准直的意义 51.3.2 准直技术的研究现状和发展方向 61.4 本论文主要工作71.5 本章小结82 半导体激光器92.1 半导体激光器的基本原理92.1.1 受激辐射92.1.2 实现条件92.2 半导体激光器的器件结构102.2.1 异质结半导体激光器102.2.2 量子阱半导体激光器112.2.3 表面发射激光器132.3 半导体激光器的优缺点132.4 本章小结143 半导体激光器的光束准直理论153.1 半导体激光器的光束特性153.2 高斯光束的基本理论153.3 激光束准直系统介绍163.3.1 圆柱透镜系统163.3.2 非球面柱透镜准直系统1

8、73.3.3 光纤耦合系统183.3.4 棱镜组折反射光束整形203.3.5 异型棱镜光束整形213.4 本章小结224 半导体激光器准直系统设计234.1 准直系统设计方案234.2 准直设计优化仿真274.2.1 光学设计软件274.2.2 ZEMAX软件仿真274.3 本章小结305 全文总结315.1 主要工作及结论315.2 工作展望31参考文献32致谢 341 绪论自从1962年第一台半导体激光器发明以来，经历40多年的发展，半导体激光器以自身的优势，极大地推动了科学技术的进步，是二十世纪人类最伟大的发明之一。近几年来，随着信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备

9、小型、高精度化的需求发展，半导体激光器的发展更为迅速，性能不断提高，半导体激光器已成为世界上发展最快的激光技术之一。它的应用几乎覆盖了整个光电子学领域，成为当今光电子学的核心技术之一。11 选题目的及意义近年来,半导体激光器的研究和应用出现了快速发展的趋势,半导体激光器在军事、工业、医学等多方面有着重要的应用前景。由于半导体激光器具有易于调制、重量轻、体积小、发射功率大等优点，常将其作为通信系统中基本的光源。但是，由于半导体激光器的非对称光波导结构，使得发出的光束在相互垂直的两个平面内具有较大的发散角，远场平行和垂直于结平面方向的发散角分别约和，从而形成像散，并在远场形成椭圆光斑,输出光能量不

10、集中,光强分布不均匀,这严重妨碍了大功率半导体激光器的应用。因此设计一种实用的大功率半导体激光器光束准直系统具有重要的现实意义。本文基于这个目的,设计了一种基于980nm半导体激光器的光束准直系统，利用柱透镜组合对发散角进行压缩,得到一个易于应用的圆形光斑。12 980nm半导体激光器的发展及其应用980nm大功率半导体激光器是在上世纪90年代初随着量子阱材料生长技术的成熟发展起来的新型器件，采用InGaAs应变层量子阱结构作为有源区，是当代超晶格微结构理论和超晶格生长技术发展的一次成功应用。1.2.1 半导体激光器的发展史半导体激光器经历了一个相当长的发展史后，正趋于成熟。1953年，美国J

11、ohn Von Neumann在一片未发表的论文手稿中第一个论述了在半导体中产生受激发射的可能性，认为可以通过想PN结注入少数载流子来实现受激发射，计算了在两个布里渊区之间的辐射跃迁速率。1956年，Pierre Aigrain鼓励美国无线电公司的Pankove着手制造半导体激光器。1958年，Pierre Aigrain在布鲁塞尔的一次国际会议上的发言中，第一个公开发表了在半导体中得到相干光的观点。1961年，前苏联Basov等人最先公开发表：通过p-n结注入的载流子复合，在半导体中能够产生光子的受激辐射。1962年，美国研究小组宣布获得了第一个实用的在低温下工作的半导体激光器。它是第一只注

12、入式激光器，由矩形GaAs薄片做成，在薄片中扩散了一个平面p-n结，GaAs芯片固定在金属基片上，顶部接有导线。受激辐射的阈值电流密度特别高，因此只能在液态氮和脉冲状态工作，缺乏实用价值。1963年，美国Kroemer和苏联的Alferov提出把一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙的半导体之间，希望在窄带隙半导体中产生高效率的辐射复合。1967年，IBM公司的Woodall成功的用液态外延生长技术，制成了GaAs-GaAlAs单异质结激光器，一反过去用扩散法形成同质PN结的惯例，并且使得阈值电流下降了一个数量级。1968-1970年，美国贝尔实验室研究成功GaAs-GaAlAs单异质结激光器，

13、室温阈值电流进一步降低，标志着半导体激光器进入了第二个发展阶段单异质注入型激光器。1970年，美国的Hayashi和Panish报道了双异质结半导体激光器的阈值电流密度又降低了一个数量级，这标志着半导体激光器进入了第三个发展阶段双异质结注入型半导体激光器。在1962-1970期间，半导体激光器的研究工作主要集中在一下几个方面：（1）围绕着实现GaAs注入半导体激光器在室温下连续工作，对其结构进行了深入的研究，异质结构是一大突破。为改善半导体激光器的工作特性，在对注入有源区的载流子和其内辐射复合所产生的光子进行了限制，研究了多元固溶体形成良好结晶的外延生长办法。 （2）寻找新的半导体激光材料，扩

14、展激光的波段范围和改善激光器的辐射特性。在几年内，从远紫外到远红外的一个广阔波段范围内探索了不少能产生受激光发射的材料。 （3）为了使半导体激光器得到实际应用，对激光器的动态特性进行了研究。从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器。高功率半导体激光器在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加。1.2.2 980nm半导体激光器的研究状况目前国际上研制、生产高功率980nm光纤光栅外腔半导体激光器的公司主要有：Boekham、JDSU(SDL)、Lumics、Agil

15、entTechnologies、Furukawa、Qphotonics、B1ueSky Research等。主要技术途径有：(1)产品一包括激光器、热敏电阻、制冷器和探测器。其有源区采用InGaAs单量子阱，垒层采用GaAsP材料，激光器芯片采用MOCVD生长。工作温度只能在，在560mA电流下输出功率达到230mW、阈值电流70mA、中心波长974nm。(2)产品二整个模块包括激光器、热敏电阻、制冷器和探测器。有源区采用InGaAs单量子阱，激光器芯片采用MBE生长，利用湿法腐蚀形成脊型波导，其达到的主要技术指标是：在250mA电流下输出功率达到lOOmW、阈值电流30mA、中心波长974n

16、m、光谱宽度在-13dB下为0.2nm。工作温度在范围。2001年TP1iska等人研制的980nm光纤光栅激光器在下达到250mW的功率输出。2003年9月报道了sMohrdiek等人获得980nm波长光纤光栅半导体激光器输出功率达到550mW。2005年TPliska等人报道了他获得980nm波长光纤光栅半导体激光器输出功率800mW的功率输出。2006年德国光器件制造商Lumics推出改进型的980nm光纤光栅半导体激光器LU975M300。该激光器采用高精确度的监测二极管用来监测芯片和光纤的耦合效率，适合于那些没有前端光线抽头的EDFA应用。该器件采用14针蝶形低截面封装(30X15

17、2X78m)，内置致冷器，典型输出功率330mW，配合康宁HI 1060单模光纤和FBG。并推出LU0980M200：1lO200mW功率输出，LU0980M330：210330mW功率输出。2007年3月19吕，美国JDSU公司推出两款高性能980nm半导体激光器，主要应用到EOFA模块上。其中新的3000系列激光器可以产生660mW的光功率。另外一款2945系列980nm半导体激光器的功耗相比以往产品降低了20，该激光器可以产生400mW光功率，内部工作温度控制在45摄氏度。JDSU同时还透露其980nm导体激光器故障几率低于每十亿小时五次故障(5FIT)。并且JDSU推出新一代芯片具有低

18、的闽值电流23mA；高的转换效率09WA；高的kinkfree功率l1W和更优的远场发射角垂直发射。布拉格光栅锁定波长的激光器kinkfree功率达到700mW以上。由于国内对功率型半导体激光器的需求增加，国内从2000年初就开始了980nm泵浦源半导体激光器的研制工作，主要研制单位是中科院半导体研究所和武汉邮电科学研究院。他们两个单位合作完成了一个国家“863项目。采取的技术途径与Bookham公司的方案基本一致。达到的技术指标是器件的激射波长：980nm5nm，尾纤输出功率约80mW，寿命约50000小时。另外现在深圳飞通光子公司提供产品出售。但是只是组装，没有管芯生产能力。达到的技术水平

19、是，激射波长：972nm至985nm，阈制值电流30mA，在400mA下尾纤输出功率大于1lOmW。工作温度只能在。采取的技术途径也是采用楔型光纤透镜直接耦合。长春理工大学的高功率半导体激光国家重点实验室近几年开始从管芯制作到器件封装进行980nm泵浦源半导体激光器研究。我们采用的方案也是国际流行的方案，只是我们拟采用短腔长管芯，降低器件的阈值电流密度，提高器件的斜率效率，降低器件的工作电流，达到小功耗的目的。但由于国内工业条件和加工技术以及相关器件的制备方面还与国外有明显的差距，在寿命和可靠性方面还有很大的不足，目前达到的980nm光纤光栅半导体激光器的输出功率为几十毫瓦量级。所以研制该器件

20、替代进口具有重大的实际意义。1.2.3 980nm半导体激光器的主要应用980nm半导体激光器具有更低的阂值电流密度和高的微分量子效率，功耗小；温度依赖关系弱；对掺铒光纤具有高的泵浦效率；噪音系数低等特点，因此，它是掺铒光纤放大器(Erbium DopedFiberAmplifier，简称EDFA)的最理想泵浦源。EDFA将在实现新一代超高速、超大容量、超强功能全光光通讯网络中起非常重要的作用。由于掺铒光纤放大器其全光纤特点，便于和光纤通讯系统连接，使其成为光放大器的主选器件。它在军事上也有许多应用，如激光测距、激光干扰、目标定位、目标跟踪、激光制导、浅海探障、甚至激光杀伤与破坏等，固体激光器

21、技术已经成为每个国家提高其国防科技水平急需解决的关键技术之一，而半导体激光器泵谱是固体激光器发展的一个重要方向，它与传统的灯泵固体激光器相比，具有高的电光转换效率，易于调制，功耗低、体积小、重量轻、安全性好、寿命，同时具有结构更加紧凑、可靠性更高、方便和全天候等的优点，可以满足大多数军事装备对固体激光器的要求。高速印刷是大功率半导体激光器另一个有较大发展空间的应用领域，传统的印刷主要采用卤素灯光源，不仅不利于环境保护，也不适用现代的高分辨率图象的印刷，半导体激光器由于其价格及性能和可靠性方面的诸多优势，使得其会在传统的印刷业得到广泛应用。该类高功率半导体激光器可以满足大面积高分辨率图象的高速印

22、刷，同时降低了印刷设备对光学系统及机械系统的精度要求。随着高功率半导体激光器制备技术的不断提高和价格的下降，材料处理与加工必然会成为大功率半导体激光器的最大应用市场。光纤耦合输出的高功率半导体激光器可应用于微加工、聚合物粘合、切割及烧结，例如：激光塑料焊接、激光金属焊接、激光熔覆与合金化、激光打标、激光切割等。在医疗领域，半导体激光器作为热源主要应用于脱毛及外科中的组织切除与烧蚀手术。在眼外科方面，半导体激光器可用于治疗属于当今世界头号致盲病因的青光眼。内窥镜输出方式已经成为医疗用半导体激光器的普遍功率输出方式，对于某些特定工作波长的高功率半导体激光器，光动力学治疗己经成为癌症治疗的一种重要手

23、段，这是因为有多种化学成分在630-770nm波段有光敏行为，利用肿瘤细胞中存在的这些化学成分，采用激光激发以后可以有选择性地杀伤肿瘤细胞。另外，半导体激光器可用于磁共振成像(MRI)以诊断肺上病变。并且也证明，980nm波长比800nm波长更容易被水分子吸收，组织穿透深度小，能量更集中，对周围组织损伤小，还具有很好的凝固止血效果。因此高功率980nm半导体激光器可被用于医疗上的激光手术刀。13 准直技术的意义与研究1.3.1 半导体激光器光束准直的意义近年来由于多个领域对高功率的需求，出现了输出功率较高的半导体激光器列阵，由多个激光发射单元构成，由于非对称光波导的影响，每个激光器输出的高斯光

24、束在垂直于结平面方向和平行于结平面方向出现较大差别：（1）两个方向有较大的且不对称的发散角；（2）两个方向的束腰不在同一位置上，即存在固有象散；（3）远场为椭圆光斑。因此半导体激光器列阵的输出光束必须要经过光学系统的准直后才能实际应用。目前，己经有许多技术或方案被应用于实验室或生产领域并取得一定的效果，但是，所有这些技术或方案都存在这样或那样的问题，比如：有些技术整形效果很好但器件的加工却非常困难从而限制了该技术的推广应用；而有些技术，虽然加工容易、取材方便，但其整形效果却不太理想。所以，提出新的整形方案或对原有技术加以改进，研制出高效、简单、容易实现的整形系统是半导体激光束整形技术发展的主要

25、途径。1.3.2 准直技术的研究现状和发展方向激光束准直系统是光电系统中一个重要的组成部分，其目的是要压缩光束的发散角，并缩小子午方向和弧矢方向发散角之间的差距，使得激光器输出的椭圆光斑整形为圆对称光斑。下面简要介绍国内外在准直技术研究中所采用的有代表性的方法。国外方面：2000年，德国耶拿激光二极管公司对一种改进的面阵激光整形系统进行了研究。同年，美国能源部Sandia国家实验室也进行了激光束整形技术进行了理论研究。2002年至2003年，Alabama大学对激光束整形研究进行研究。美国Florida，Orlando大学光学研究中心对高斯圆光束整形进行了研究。2005年，德国Fraunhof

26、er应用光学与精密机械研究中心对半导体激光高亮度光纤耦合进行了研究。国内方面：2003年，电子科技大学物理电子学院光通信技术研究室对“半导体激光器的衍射准直透镜的优化设计”进行了研究，该文针对国内外现有半导体激光器准直器件的缺点，提出了一种用于半导体激光器准直的相位型二元菲涅耳衍射透镜的优化方法，可提高衍射透镜的衍射效率，增大衍射透镜的数值孔径。2004年，重庆师范学院对“圆柱透镜对半导体激光束准直性能的改进”进行了理论研究，仔细分析了半导体激光器快轴方向发散光束通过圆柱透镜后的准直特性、光强分布和光能转换效率与圆柱透镜的半径、介质折射率、介质损耗、安装距离等可调参数以及界面反射的关系。同年，

27、西安理工大学对“大气激光通信准直光学系统”进行了设计研究，通过分析光能耦合效率与数值孔径的关系，总结出规律用来确定光通信准直系统的数值孔径。中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室，对大功率半导体激光器阵列光束光纤耦合进行了研究，给出了激光束准直、整形、聚焦及耦合的高功率半导体的光纤耦合方法，其耦合效率大于53%。2005年，北京理工大学信息科学技术学院，对“光纤微透镜用于阵列半导体激光器快轴准直研究”进行了分析，以此为基础，研制了耦合光学系统，采用直径柱面透镜准直后，阵列半导体激光器快轴方向发散角可减小到，系统准直耦合效率达到89%以上。同年，西安电子科技大学对“大功率半导体激

28、光整形技术”进行了研究。设计了一种新型的stack型半导体激光束整形器件。该器件对光束发散进行压缩，得到7mm7mm的正方形均匀光斑，并且光强起伏小于5%，在此范围内光能量占总的辐射能量的77%。2006年，西安电子科技大学物理学院，对“半导体激光器远轴光束的准直特性”进行了研究，根据瑞利索末菲衍射公式，利用稳相法得出了半导体激光器远轴光束经过透镜准直后的场分布解析表达式。同年，西安电子科技大学物理学院还对“双半圆柱透镜准直半导体激光光束”进行了研究，理论上可将激光束快轴方向发散角压缩到0.1mrad的量级。清华大学精密仪器与机械学系光子与电子技术国家重点实验室，研究了“用于半导体激光器的棱镜

29、组光束整形方法”,随着半导体激光器应用的日益广泛，半导体激光的光束质量在二维方向极不均衡的特点限制了它的应用范围。采用一种等腰直角棱镜组的整形方法，可实现二维方向的光束质量均匀化。实验中整形后快慢轴的光束质量比较接近，整形效率达到90%。经过整形的半导体激光器可以作为高功率固体激光器和光纤激光器的抽运源使用。14 本论文主要工作本论文利用几何光学的知识，基于光线光学理论和利用柱透镜对半导体激光器光束准直的理论分析，运用ZEMAX软件进行准直系统设计。围绕上述主题思想，本文的具体章节安排如下：第一章：对本论文的选题目的及研究意义做简单介绍。第二章：主要介绍半导体激光器的基本工作原理及器件构造。第

30、三章：主要分析半导体激光器的光束准直理论。第四章：运用几何光学基本定理针对半导体激光器准直系统进行优化仿真设计，对其进行理论分析和数值模拟。第五章：全文总结。概述本文的主要工作，并对下一步的发展提出建议。15 本章小结本章介绍了进行“基于980nm半导体激光器光束准直系统的设计”选题的目的和研究意义。并简单介绍了980nm半导体激光器目前国内外的发展现状和应用，主要针对激光束的准直技术发展和国内外研究成果进行了概述性的介绍。2 半导体激光器21 半导体激光器的基本原理半导体激光器是利用半导体中的电子光跃迁引起光子受激辐射而产生的光振荡器和光放大器的总称。2.1.1 受激辐射在物质的原子中，存在

31、许多能级，最低能级称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2, 3, 4 )称为激发态。在正常状态下，电子处于低能级，在入射光作用下，它会吸收光子的能量跃迁到高能级上，这种跃迁称为受激吸收。电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴。在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐射。电子在和两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件： （2.1）其中，为普朗克常数，为吸收或辐射的光子频率。在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带。能量低的能带称为价带，能量高的能带称为导带。依照量子理论，

32、在热平衡状态下电子按能量分布遵从费米-狄拉克分布： （2.2）其中k为波兹曼常数，T为热力学温度。称为费米能级。高能级占有的电子数比低能级的电子数少，因此总的来说光被吸收。但是若给系统提供能量实现分布反转则产生净的光辐射而获得光放大。这就是激光作用的基本原理。2.1.2 实现条件就基本原理而论，半导体激光器和其它类型的激光器没有根本的区别，即都是基于受激辐射。要使激光器得到相干的、受激光输出，须满足两个条件，即粒子数反转条件与阈值条件。粒子束反转条件是必要条件，它意味着处于高能态的粒子(如半导体导带中的电子)数多于低能态的粒子数。达到这一条件，有源工作物质就具有增益。实现半导体中的反转分布，最

33、有效的方法是由价带的电子激发到导带形成大量的电子-空穴对实现。在半导体PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动，最后在PN结形成一个特殊的增益区。增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布。 阈值条件是充分条件，它要求粒子数必须反转到一定程度，即达到由于粒子数反转所产生的增益能克服有源介质的内部损耗和输出损耗(激光器的输出对有源介质来说也是一种损耗)，此后增益介质就具有净增益。阈值条件为： (2.3)其中为阈值增益系数，a为谐振腔内激活物质的损耗系数，L为谐

34、振腔的长度，、1为两个反射镜的反射率。2.2 半导体激光器的器件结构围绕着不断提高半导体激光器的性能以满足日益增涨的应用，已发展了许多半导体激光器的结构。下面将要介绍几个典型的半导体激光器结构。2.2.1 异质结半导体激光器（1）双异质结半导体激光器(DH)这种结构识将有源层加在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间，以便在垂直于结平面方向有效地限制载流子与光子。1970年基于此结构实现了GaAlAsGaAs激射波长为0.89m的半导体激光器在室温下连续工作。在此以GaAs半导体激光器为例说明半导体激光器的基本原理和结构。其结构概略如图2.1所示，在正向偏压下，电子和空穴分别从宽带隙的N

35、区和P区注入有源区它们在该区的扩散又分别受到PP异质结和PN异质结的限制，从而可以在有源区内积累起产生粒子数反转所需的非平衡载流子浓度。同时，窄带隙有源区有高的折射率，与两边低折射率的宽带隙层构成了一个限制光子在有源区内的介质光波导。图2.1 双异质结半导体激光器结构双异质结构成功地解决了在垂直于结平面方向对载流子和光子的限制问题。针对有源区的载流子和光子在平行结平面方向的限制问题，研究人员提出了条形结构，这是半导体激光器发展史上的一个重要里程碑。（2）条形激光器条形结构是激光器的阈值电流大幅降低，改善了近场与远场，纵模与横模特性，提高了器件的可靠性。最早的条型激光器是采用电极条形或质子轰击条

36、形，在平行结平面方向的光学限制是所谓的“增益波导”。实质上，它只是限制电流流经的通道，这种限制不可避免地存在注入电流的侧向扩展和注入载流子的侧向扩散。增益波导对光场的侧向渗透实际上没有限制作用，其所谓光波导作用只是相对于损耗而出现的光的净增益区域。依照在横向利用有源层与两边限制层折射率之差所形成的强的光波导效应，在平行结平面方向也设计了类似的折射率波导。折射率波导充分体现了条形结构的优越性，已成为半导体激光器的基本结构形式，已广泛用于CD唱机，激光打印和光纤通信系统中。2.2.2 量子阱半导体激光器一般的双异质结半导体激光器的阈值电流密度Jth与有源层厚度的关系如图2.2所示，最佳的有源层厚度

37、在0.15um左右。超过此值后Jth随着有源层厚度的增加而线性增加，这是因为随着有源层厚度的增加，载流子的扩散减少了在同样注入电流下注入有源区的载流子浓度或注入电流密度，这也等效于减弱了异质结势垒对载流子的限制能力。而过薄的有源层厚度会因为光场渗透逸散致使异质结波导能力减弱，使较多的光子损耗与有源层之外，阈值电流密度增加。尽管在最佳的有源层厚度下，异质结势垒和光波导效应对有源层中的电子和光子有较好的限制能力，但它们仍处在厚有源区中状况，即电子仍具有三个自由度，也就是图2.2所反映出来的只是同一性质下的量变过程。图2.2 双异质结激光器中的Jth与有源层厚度的关系60年代末期，贝尔实验室的江畸(

38、Esaki)和朱肇祥首先提出，当所生长的晶体厚度薄到半导体中电子的德布罗意波长(约为10nm)或电子平均自由程量级(约为50nm)时，这种超薄层晶体中的电子与块状晶体中的电子有完全不同的性质，即出现量子尺寸效应。量子阱半导体激光器正是利用这种量子尺寸效应工作的。量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间。如果窄带隙与宽带隙超薄层交替生长就能构成多量子阱(MQW)。 在MQW中如果各阱之间的如果的电子波函数发生一定程度的交叠或耦合，则这样的MQW也就是超晶格就犹如在晶体中微观粒子做周期有序排列一样。量子阱结构的半导体激光器，其阈值电流可以达到亚毫安级，调制带宽达数10GHz。量子阱电吸收调

39、制器的调制带宽可以在10GHz以上，而量子阱雪崩光电二极管的增益带宽积可达700Hz以上。2.2.3 表面发射激光器图2.3 平面腔表面发射激光器（(a) 光栅耦合(b)450镜结构）由图2.3看出，相对于一般的端面发射半导体激光器而言，光从垂直于结平面的表面发射已构成半导体激光器的另一种基本结构。从70年代末期发展起来的这种激光器越来越显示出它的优越性。最早考虑表面发射是基于这种发射方式便于制成二维列阵、容易得到有利于与光纤高效率耦合的圆对称的远场特性。最初采取相通常双异质结类似的结构，光子振荡方向平行于衬底，因而称为平面腔。一种结构是采取布喇格光栅从有源区耦合出激光，如图2.3(a)所示。

40、另一种结构是通过微加工技术在有源层的一端制成45o反射面镜，反射光从表面输出，通过控制该面镜的反射率来控制激光振荡强度，如图2.3(b)所示。这类平面腔结构只是简单地变半导体激光器的端面输出为表面输出，很难得到无像散的高质量光束；由于受腔长的限制，不可能从表面得到输出功率一致的二维列阵激光源。况且，布喇格光栅反射光束的方向随波长变化，而45o面镜结构输出光束质量取决于该镜的位置、方位和平整度。由于受腔长限制也难以获得二维列阵，因此这类平面腔结构的表面发射激光器很难获得实际应用价值。23 半导体激光器的优缺点优点：（1）体积小、重量轻、价格便宜。（2）可注入激励。半导体激光器是直接的电子-光子转

41、换器，因而它的转换效率很高。理论上，半导体激光器的内量子效率可接近100%。（3）室温下可连续震荡。（4）覆盖的波段范围最广。可以通过选用不同的半导体激光器有源材料或改变多元化合物半导体各组员的组分，而得到范围很广的激射波长以满足不同需要。（5）增益带宽宽。在这个范围内可以任意选择激射波长，能够实现宽带光放大器。（6）具有直接调制的能力。把信号重叠在驱动电流上，在直流到GHz波段的宽频范围内，可以调制振荡强度、相位和频率。（7）相干性高。用单横模的激光器可以得到空间上相干性高的输出光。（8）能产生超短光脉冲。采用增益开关和锁模等方法，以简单的系统结构就能获得从ns到ps的超短光脉冲。（9）可批

42、量生产。（10）可靠性高，使用寿命最长。（11）可单片集成化。可以和光探测器、光调制器和电子电路元件集成在一个陈地上，得到高性能的单片集成器件。缺点：（1） 温度特性差。工作特性与温度有显著关系，环境温度变化可引起激射。（2） 频率、阈值电流、输出光功率等变化。（3） 容易产生噪声。（4） 输出光发散。输出光由端面以放射形式发出成为发散光，要获得平行光必须要有外部透镜。24 本章小结本章主要通过介绍半导体激光器的基本原理的，初步了解了半导体激光器的工作原理，简单介绍了几个典型的半导体激光器结构，最后总结出半导体激光器与其他激光器相比的优缺点。3 半导体激光器的光束准直理论半导体激光器光束质量非

43、常差，所以在半导体激光器的实际应用中，对其光束的准直以提高其光束质量是一件非常重要的事情，这也是本文的主要工作。在本章的内容中，将对半导体激光器光束特性做简单介绍，随后对半导体激光器的准直方法作介绍。31 半导体激光器的光束特性由于半导体激光器的特殊结构，造成了其光束与其他激光极为不同的远场特性。如图3.1（a）在垂直于结平面方向，光束的束腰在激光器的解理面上，如图3.1（b）,在平行于结平面方向，光束的束腰位于激光发射腔内，因此这两个方向上的光束的束腰是彼此分离的，即具有简单像散性。（a）垂直于结平面方向的光束 （b）平行于结平面方向的光束图3.1 激光器输出光束模型对于一个发射极而言，由于在平行面方向发光区尺寸很大，大约为 (具体数值由输出功率决定)，此方向激光器不再会是处于基横模工作状态，在远场一般表现为双峰结构。因此，可以用离心高斯函数来描述此方向模式场分布。32 高斯光束的基本理论激光是一种光线束，它的幅射照度(或光强)的分布是呈高斯型的，因此称之高斯光束。对于半导体激光器这类高斯输出型激光器，以高斯光束为模型，对激光器的输出光束进行计算研究，能准确地反映光束的传输变化情况。由于透镜的变换作用只改变相位而不改变光强的分布，因此高斯光束经透镜