【SMT资料】PCB化镍金工艺制程介绍PPT(64页).ppt
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1、2002 ENIG PROCESS FOR TAIWAN UYEMURA,前言,製程介紹藥水簡介制程管制異常改善保養事項,製程介紹,攜帶式電話呼叫器計算機電子字典電子記事本記憶卡,筆記型PC掌上型PC(PDA)掌上型遊戲機PC介面卡IC卡NET WORK,化學Ni/Au 板主要應用,製 程 特 徵,1.在綠漆之後施行選擇性鍍鎳/金,採掛籃式作業,無須通電.2.單一表面處理即可滿足多種組裝須求.具有可焊接、可接觸導通、可打線、可散熱等功能.3.板面平整、SMD焊墊平坦,適合於密距窄墊的鍚膏熔焊.,化Ni/Au 板鍍層厚度須求,Ni/P 層:80 350”Au 層:SMT 1 3”Thermals
2、onic Bonding-Au線 5 20”Ultrasonic Bonding-Au線 1.2”Ultrasonic Bonding-Al線-,藥水簡介,酸性清潔劑 ACL007,主成份(1)檸檬酸(2)非離子界面活性劑 作用(1)去除銅面輕微氧化物及污物(2)降低液體表面張力,將吸附於銅面之空氣 及物排開,使藥液在其表面擴張,達潤溼效果 反應 CuO+2 H+Cu+H2O 2Cu+4H+O2 2Cu2+2H2O RCOOH+H2O RCOOH+ROH,微蝕 SPS,主成份(1)過硫酸鈉(2)硫酸 作用(1)去除銅面氧化物(2)銅面微粗化,使與化學鎳層 有良好的密著性 反應 NaS2O8+H
3、2O Na2SO4+H2SO5 H2SO5+H2O H2SO4+H2O2 H2O2+Cu CuO+H2O CuO+H2SO4 CuSO4+H2O,酸洗 5%H2SO4,主成份-硫酸 作用-去除微蝕後的銅面氧化物 反應 CuO+H2SO4 CuSO4+H2O,預浸 1%H2SO4,主成份:硫酸 作用(1)維持活化槽中的酸度(2)使銅面在新鮮狀態(無氧化物)下,進入活化槽 反應 CuO+H2SO4 CuSO4+H2O,活化 KAT-450,主成份(1)硫酸鈀(2)硫酸 作用(1)在銅面置換(離子化趨勢 Cu Pd)上 一層鈀,以作為化學鎳 反應之觸媒 反應 陽極反應 Cu Cu2+2 e-(E0=
4、-0.34V)陰極反應 Pd2+2 e-Pd(E0=0.98V)全反應 Cu+Pd2+Cu2+Pd,化學鎳 Nimuden NPR-4,作用:在活化後的銅面鍍上一層Ni/P合金,作為阻絕金與銅之間的 遷移(Migration)或擴散(Diffusion)的障蔽層.主成份:(1)硫酸鎳-提供鎳離子(2)次磷酸二氫鈉-使鎳離子還原為金屬鎳(3)錯合劑-形成鎳錯離子,防止氫氧化鎳及 亞磷酸鎳生成,增加浴安定性,pH緩衝(4)pH 調整劑-維持適當pH(5)安定劑-防止鎳在膠體粒子或其他 微粒子上還原(6)添加劑-增加被鍍物表面的負電位,使啟鍍 容易及增加還原效率,H2PO2 H2O HPO32 2H
5、+2e 次磷酸根氧化釋放電子(陽極反應)Ni2 2e Ni 鎳離子得到電子還原成金屬鎳(陰極反應)2 H+2 e H2 氫離子得到電子還原成氫氣(陰極反應)H2PO2 e P2 OH 次磷酸根得到電子析出磷(陰極反應)總反應式:Ni2 H2PO2 H2O H2PO32 H+Ni,電化學理論,Pd,Pd,Ni-P Grain 沉積,Cu,Pd2+,Cu,Cu,Cu2+,1.活化,2.Ni/P 沉積,3.Ni/P 持續生長,Ni-P,置換型薄/厚金,主成份(1)金氰化鉀KAu(CN)2(2)有機酸(3)螯合劑 作用(1)提供Au(CN)2 錯離子來源,.在鎳面置換(離子化趨勢 Ni Au)沉積出金
6、層(2)防止鎳表面產生鈍態並與溶出的Ni2+結合成錯 離子.(3)抑制金屬污染物(減少游離態的Ni2+,Cu2+等).反應 陽極反應Ni Ni2+2 e-(E0=0.25V)陰極反應Au(CN)2-+e-Au+2 CN-(E0=0.6V)Ni+Au(CN)2-Ni2+Au+2 CN-,置換金反應,離子化趨勢 Ni Au,Ni,Ni Ni2+2e E0=0.25V,Au(CN)2+e Au+2 CN E0=0.6V,Ni2+錯合劑 Ni 錯離子,Ni/P,制程管制,PVC樹脂 或TEFLON 包覆,破損時須重新包覆.定時將掛架上沉積的鎳金層剝離.,掛架,綠漆,(1)選擇耐化性良好的綠漆.(2)印
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