1集成电路设计概述.ppt
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1、第一章 集成电路设计概述,1.1 集成电路(IC)的发展,芯片,现代社会的基石,PDA:掌上电脑,内存条,手机,计算机,主板,数码相机,集成电路,Integrated Circuit,缩写IC IC是通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体晶片(如硅或砷化镓)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的一种器件。,集成电路芯片显微照片,集成电路芯片键合,各种封装好的集成电路,晶体管的发明,1946年1月,Bell实验室正式成立半导体研究小组:W.Schokley,J.Bardeen、W.H.BrattainBa
2、rdeen提出了表面态理论,Schokley给出了实现放大器的基本设想,Brattain设计了实验;1947年12月23日,第一次观测到了具有放大作用的晶体管;1947年12月23日第一个点接触式NPN Ge晶体管发明者:W.Schokley J.Bardeen W.Brattain,获得1956年Nobel物理奖,获得1956年Nobel物理奖,集成电路的发明,1952年5月,英国科学家G.W.A.Dummer第一次提出了集成电路的设想。1958年以德克萨斯仪器公司(TI)的科学家基尔比(Clair Kilby)为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路,并于1959年公布了该结果。锗衬底上
3、形成台面双极晶体管和电阻,总共12个器件,用超声焊接引线将器件连起来。,获得2000年Nobel物理奖,获得2000年Nobel物理奖,集成电路的发明,平面工艺的发明1959年7月,美国Fairchild 公司的Noyce发明第一块单片集成电路:利用二氧化硅膜制成平面晶体管,用淀积在二氧化硅膜上和二氧化硅膜密接在一起的导电膜作为元器件间的电连接(布线)。这是单片集成电路的雏形,是与现在的硅集成电路直接有关的发明。将平面技术、照相腐蚀和布线技术组合起来,获得大量生产集成电路的可能性。,第一块单片集成电路,集成电路中几个重要的参数,特征尺寸:集成电路器件中最细线条的宽度,对MOS器件常指栅极所决定
4、的沟导几何长度,是一条工艺线中能加工的最小尺寸。反映了集成电路版图图形的精细程度,特征尺寸的减少主要取决于光刻技术的改进(光刻最小特征尺寸与曝光所用波长)。硅园片直径:考虑到集成电路的流片成品率和生产成本,每个硅园片上的管芯数保持在300个左右。,现代集成电路发展的特点:,特征尺寸越来越小(45nm)硅圆片尺寸越来越大(8inch12inch)芯片集成度越来越大(2000K)时钟速度越来越高(500MHz)电源电压/单位功耗越来越低(1.0V)布线层数/I/0引脚越来越多(9层/1200),集成电路的发展,表1 CMOS工艺特征尺寸发展进程,集成电路的发展,小规模集成(SSI)中规模集成(MS
5、I)大规模集成(LSI)超大规模集成电路(VLSI)特大规模集成电路(ULSI)GSI SoC。,IC在各个发展阶段的主要特征数据,摩尔定律(Moores Law),Min.transistor feature size decreases by 0.7X every three yearsTrue for at least 30 years!(Intel公司前董事长Gordon Moore首次于1965提出)后人对摩尔定律加以扩展:集成电路的发展每三年工艺升级一代;集成度翻二番;特征线宽约缩小30左右;逻辑电路(以CPU为代表)的工作频率提高约30。,Intel公司CPU发展,Intel公司
6、CPU发展,Year of introductionTransistors400419712,250800819722,500808019745,0008086197829,0002861982120,0003861985275,000486DX 19891,180,000Pentium 19933,100,000Pentium II 19977,500,000Pentium III 199924,000,000Pentium 4 200042,000,000,Intel 公司第一代CPU4004,电路规模:2300个晶体管生产工艺:10um最快速度:108KHz,Intel 公司CPU386
7、TM,电路规模:275,000个晶体管生产工艺:1.5um最快速度:33MHz,Intel 公司最新一代CPUPentium 4,电路规模:4千2百万个晶体管生产工艺:0.13um最快速度:2.4GHz,摩尔定律还能维持多久?,经过30多年,集成电路产业的发展证实了摩尔定律的正确性,但是摩尔定律还能有多长时间的生命力?集成电路的特征尺寸:130nm90nm60nm45nm30nm?量子效应集成电路光刻费用急剧增加,数十万甚至上百万美元!,器件结构类型集成度使用的基片材料电路的功能应用领域,1.2 集成电路的分类,一、按器件结构类型分类,1、双极集成电路通常由NPN和PNP两种类型的双极性性晶体
8、管组成,优点:速度快,驱动能力强缺点:功耗较大,集成度低2、金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路:主要由MOS晶体管构成,包含NMOS和PMOS中的一种或两种类型优点:输入阻抗高,功耗低,抗干扰能力强且适合大规模集成CMOS:包含互补的NMOS和PMOS两类器件,静态功耗几乎为零,输出逻辑电平可为高低电源电压、上升和下降时间处于同数量级(广泛应用,成为当前集成电路的主流之一)3、双极-MOS(BiMOS)集成电路:是同时包括双极和MOS晶体管的集成电路。综合了双极和MOS器件两者的优点,但制作工艺复杂。管芯中大部分采用CMOS,外围接口采用双极型Bipolar,做到功耗低、密度大,电路输出驱
9、动电流大,集成度:每块集成电路芯片中包含的元器件数目,按晶体管数目划分的集成电路规模,二、按集成度分类,单片集成电路 是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路。在半导体集成电路中最常用的半导体材料是硅,除此之外还有GaAs等。混合集成电路 厚膜集成电路用丝网漏印、高温烧结成膜、等离子喷涂等厚膜技术将组成电路的电子元器件以膜的形式制作在绝缘基片上所构成的集成电路薄膜集成电路用真空蒸发、溅射、光刻为基本工艺的薄膜技术,三、按使用的基片材料分类,混合集成电路:从半导体集成电路、厚膜集成电路、薄膜集成电路、分立元器件中任取两种或两种以上电路封装在一个模块中完成一定的电路功能,数字集成
10、电路(Digital IC):是指处理数字信号的集成电路,即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路。模拟集成电路(Analog IC):是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路,通常又可分为线性集成电路和非线性集成电路:线性集成电路:又叫放大集成电路,如运算放大器、电压比较器、跟随器等。非线性集成电路:如振荡器、定时器等电路。数模混合集成电路(Digital-Analog IC):例如 数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。,四、按电路的功能分类,标准通用集成电路 通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大的标准系列产品。这类产品往往集成度不高,然而社会需求量大
11、,通用性强。74 系列,4000系列,Memory芯片,CPU 芯片等专用集成电路 根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的集成电路简称ASIC,其特点是集成度较高功能较多,功耗较小,封装形式多样。玩具狗芯片;通信卫星芯片;计算机工作站CPU中存储器与微处理器间的接口芯片,五、按应用领域分类,第一章 集成电路设计概述,1.3 无生产线集成电路设计技术Fabless IC Design Technique,IDM与Fabless集成电路实现,集成电路发展的前三十年中,设计、制造和封装都是集中在半导体生产厂家内进行的,称之为一体化制造(IDM,Integrated Device Manufac
12、ture)的集成电路实现模式。近十年以来,电路设计、工艺制造和封装开始分立运行,这为发展无生产线(Fabless)集成电路设计提供了条件,为微电子领域发展知识经济提供了条件。,1.3 无生产线集成电路设计技术,Layout,Chip,Designkits,Internet,Foundry,Fabless,设计单位,代工单位,Relation of F&F(无生产线与代工的关系),国内主要Foundry(代客户加工)厂家,1.4 代工工艺,国内新建Foundry(代客户加工)厂家,上海中芯国际:8”,0.25m,2001.10宏 力:8”,0.25m,2002.10华虹-II:8”,0.25m,
13、筹建台积电TSMC在松江建厂北京首钢NEC筹建8”,0.25m天津Motolora,8”,0.25m联华UMC在苏州建厂,境外可用Foundry工艺厂家,芯片工程与多项目晶圆计划,Many ICs for different projects are laid on one macro-IC and fabricated on wafersThe costs of masks and fabrication is divided by all users.Thus,the cost paid by a single project is low enough especially for R&
14、DThe risk of the ICs R&D becomes low,Single ICMacro-IC MPW(layout)(layout/masks)(wafermacro-chip single chip),Chip1,Chip1,Chip6,Chip2,Chip5,Chip4,Chip3,$30 000,$30 000,$5 000,MPW:cost,多项目晶圆技术降低研发成本,集成电路设计需要的知识范围,系统知识计算机/通信/信息/控制学科电路知识更多的知识、技术和经验工具知识任务和内容相应的软件工具工艺知识元器件的特性和模型/工艺原理和过程,“自底向上”(Bottom-up)
15、“自底向上”的设计路线,即自工艺开始,先进行单元设计,在精心设计好各单元后逐步向上进行功能块、子系统设计,直至最终完成整个系统设计。在模拟IC和较简单的数字IC设计中,大多仍采用“自底向上”的设计方法。“自顶向下”(Top-down)其设计步骤与“自底向上”步骤相反。设计者首先进行行为设计;其次进行结构设计;接着把各子单元转换成逻辑图或电路图;最后将电路图转换成版图。,集成电路设计步骤,VLSI数字IC的设计流图,模拟IC的设计流程图,全定制方法(Full-Custom Design Approach)半定制方法(Semi-Custom Design Approach)定制法 可编程逻辑器件(
16、PLD:Programmable Logic Device)设计方法,1.4 集成电路设计方法,全定制集成电路(Full-Custom Design Approach)适用于要求得到最高速度、最低功耗和最省面积的芯片设计。即在晶体管的层次上进行每个单元的性能、面积的优化设计,每个晶体管的布局/布线均由人工设计,并需要人工生成所有层次的掩膜(一般为13层掩膜版图)。对每个器件进行优化,芯片性能获得最佳,芯片尺寸最小。,一、全定制方法,全定制集成电路优点:所设计电路的集成度最高面积利用率高,速度快,功率低产品批量生产时单片IC价格最低可以用于模拟集成电路的设计与生产缺点:设计复杂度高/设计周期长费
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- 集成电路设计 概述
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