电力电子器件教学课件PPT.ppt

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1、1-1,第2章 电力电子器件,2.1 电力电子器件概述2.2 不可控器件二极管2.3 半控型器件晶闸管2.4 典型全控型器件2.5 其他新型电力电子器件,1-2,信息电子技术的基础 晶体管和集成电路等电子器件 电力电子电路的基础 电力电子器件,第2章 电力电子器件引言,本章主要内容：概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。,1-3,2.1.1 电力电子器件的概念和特征2.1.2 应用电力电子器件的系统组成2.1.3 电力电子器件的分类,2.1 电力电子器件概述,返回,1-4,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,1

2、）概念:电力电子器件（Power Electronic Device）功率半导体开关器件，在主电路中通过控制其开关状态，能实现电能变换和控制的电子器件。主电路（Main Power Circuit）电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。,电力电子器件,返回,1-5,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,图2-0 电力电子器件的理想开关模型,2）电力电子器件基本模型,它有三个电极：其中A和B代表开关的两个主电极，K是控制开关通断的控制极；它只工作在“通态”和“断态”两种情况：通态时其电阻为零，断态时其电阻无穷大。,返回,1-6,电力电子器件一般都工作在开关状态。主要进行电功率

3、的处理，其能力一般远大于信息电子器件。电力电子器件往往需要由信息电子电路来驱动控制。电力电子器件功率损耗较大，远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,3）电力电子器件基本特征,返回,1-7,通态损耗是器件功率损耗的主要成因。器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。,主要损耗,通态损耗,断态损耗,开关损耗,关断损耗,开通损耗,2.1.1 电力电子器件的概念和特征,电力电子器件的损耗,返回,1-8,电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。,图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成,在主电路和控

4、制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行,2.1.2 应用电力电子器件系统组成,电气隔离,控制电路,返回,1-9,按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：,半控型器件,绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar TransistorIGBT）电力场效应晶体管（电力MOSFET）门极可关断晶闸管（GTO）,不可控器件,电力二极管（Power Diode）只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。,通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。,晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件器件的关断由其

5、在主电路中承受的电压和电流决定,全控型器件,通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。,不能用控制信号来控制其通断,因此也就不需要驱动电路。,返回,2.1.3 电力电子器件的分类,1-10,电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。,2.1.3 电力电子器件的分类,按照驱动电路信号的性质，分为两类：,返回,1-11,按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：,1)单极型器件,2)双极型器件,3)复合型器件,由一种载流子参与导电的器件。,由电子和空穴两种载流子参与导电的器

6、件。,由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。,返回,2.1.3 电力电子器件的分类,1-12,2.1.4 如何考查电力电子器件,导通压将(损耗)运行频率(恢复时间/开通时间/关断时间)器件容量(电能处理、变换的能力)可靠性(半控全控),返回,1-13,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理2.2.2 电力二极管的基本特性2.2.3 电力二极管的主要参数2.2.4 电力二极管的主要类型,2.2 不可控器件电力二极管,（Power Diode）,返回,1-14,2.2 不可控器件电力二极管引言,整流二极管及模块,电力二极管（Power Diode）自20世纪50年代初期就获得应用，但其结构

7、和原理简单，工作可靠，直到现在电力二极管仍然大量应用于许多电气设备当中。,在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少的，特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基二极管，具有不可替代的地位。,1-15,1-16,1-17,基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。,图2-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a)外形 b)结构 c)电气图形符号,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,返回,1-18,正向导通状态 即PN结外加正向电压时，处于导通状态，表现为低阻态。在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流，称为正向电流I

8、F。反向截止状态 即PN结外加反向电压时，处于截止状态，表现为高阻态。但维持有微弱的漏电流流通，也称反向饱和电流，一般为微安级，几乎为零。电容效应 PN结的电荷量随外加电压而变化，故呈现电容效应。,2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理,返回,PN结特性：,电容效应影响PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态。,1-19,主要指其伏安特性门槛电压UTO，正向电流开始明显增加，处于稳定导通状态所对应的电压。与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF。承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。,图2-5 电力二极管的伏安特性,2.2.2 电力二极管的基本特性,静态特性,返回,1-2

9、0,在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。在此电流下，因管子的正向压降引起的损耗造成的结温升高不会超过所允许的最高工作结温。IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。,2.2.3 电力二极管的主要参数,1)正向平均电流IF(AV)-额定电流,返回,1-21,2.2.3 电力二极管的主要参数,1)正向平均电流IF(AV),返回,1-22,例如:某电力二极管的额定电流是100A，则可求得允许通过正弦半波的幅值电流Im314A,允许通过任意波形的的有效值为I=157A,即说明额定电流为100A的二极管可通

10、过幅值为314A的正弦半波电流,可以全周期内通过任意波形的有效值为157A电流,其功耗不超过允许值。,引入波形系数,2.2.3 电力二极管的主要参数,返回,2.2.3 电力二极管的主要参数,1-23,2）反向重复峰值电压URRM对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时，应当留有两倍的裕量。,3）正向压降UF,在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时，对应的正向导通压降。选择UF小的管子可以降低损耗。,1-24,结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。TJM通常在125175C范围之内。5)浪涌电流IFSM指电力二极管所能承

11、受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。,1.2.3 电力二极管的主要参数,4）最高工作结温TJM,返回,1-25,1)普通二极管（General Purpose Diode）又称整流二极管（Rectifier Diode）;多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路;其反向恢复时间较长（5US以上）;正向电流定额和反向电压定额可以达到很高;,2.2.4 电力二极管的主要类型,返回,1-26,从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者trr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial DiodesFRE

12、D），其trr更短（可低于50ns），UF也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。,2.2.4 电力二极管的主要类型,2)快恢复二极管(快速二极管)（Fast Recovery DiodeFRD）,返回,1-27,1-28,肖特基二极管的弱点反向耐压提高时正向压降会提高很多，多用于200V以下场合。反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。肖特基二极管的优点反向恢复时间很短（可小于10ns）。正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。反向耐压较低时其正向压降（0.4-0.5V）明显低于快恢复二极管(0.8-1V)。效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。,2.2.

13、4 电力二极管的主要类型,3.肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode SBD）。,返回,1-29,二极管的典型应用,1-30,2.3 半控器件晶闸管,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理2.3.2 晶闸管的基本特性2.3.3 晶闸管的主要参数2.3.4 晶闸管的派生器件,返回,1-31,2.3 半控器件晶闸管引言,1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化。开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。能承

14、受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。电力电子技术诞生的标志性器件。,晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管、可控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR）,1-32,图2-7 晶闸管的外形、结构和电气图形符号a)外形 b)结构 c)电气图形符号,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,外形有螺栓型和平板型两种封装。因此阳极A、阴极K和门极G有三个联接端。螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。,返回,1-33,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,常用晶闸管的结构,螺栓型晶闸管,返

15、回,1-34,1）平板型 2）螺栓型),返回,1-35,如何控制灯泡亮、灭（暗）？,晶闸管导通关断实验原理图,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,返回,1-36,1-37,实验结论：,晶闸管在反向阳极电压作用下，不论门极为何种电压，都处于关断状态；晶闸管仅在正向阳极电压与正向门极电压同时作用下，才能导通；已导通的晶闸管在正向阳极电压作用下，门极失去控制作用；晶闸管在导通状态时，当Ea(正向阳极电压)减小到接近零时，晶闸管关断。,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,返回,1-38,2.3.2 晶闸管的基本特性,承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触

16、发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值（IH）以下。,晶闸管正常工作时的特性总结如下：,返回,1-39,晶闸管关断条件：使流过晶闸管的阳极电流（IA）小于晶闸管规定的维持电流。实现关断的具体措施？去掉阳极所加的正向电压；给阳极加反向电压；增大回路阻抗，使流过阳极电流（IA）小于维持电流IH；,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,返回,1-40,工作原理与特性 一、晶闸管触发导通原理：晶闸管的三个PN结可等效看成由两个晶体管V1(P1-N1-P2)与V2(N1-P2-N2)组成。,P1,N1,J1,P2,N2,J

17、2,J3,P1,N1,N1,P2,P2,N2,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,返回,1-41,A,G,K,Rd,Ea,Eg,Ia,Ik,Ig,Ico,v1,v2,由图可知，v1的集电极电流同时又是v2的基极电流，v2的集电极电流同时又是v1的基极电流，当晶闸管阳极加正向电压，一旦有足够的门极电流流入时，就形成强烈的正反馈。,使两晶体管饱和导通即晶闸管导通,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,电流驱动型,返回,1-42,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,1-V1管电流增益；2-V2管电流增益；ICBO1-V1管漏电流；ICBO2-V2管漏电流。,图2-8 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a

18、)双晶体管模型 b)工作原理,返回,1-43,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,图2-8 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a)双晶体管模型 b)工作原理,（1-5）,由以上式可得：,返回,1-44,2.3.1 晶闸管的结构与工作原理,在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，迅速增大。阻断状态：IG=0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。,不可能无穷大,（1-5）,返回,1-45,2.3.1 晶闸管的结构与工作原

19、理,阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应；阳极电压上升率du/dt过高；结温较高；光触发。光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）。只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。,其他几种可能导通的情况：,非正常控制,正常控制,返回,1-46,正向导通,Ig0=0,Ia,Ua,A,B,IH,URO,Ig增加时，正向转折电压减小.,3.晶闸管一旦导通，门极失去控制作用.,4.当晶闸管加反向电压而且此电压足够大时，晶闸管反向击穿。,UbO,Ig1,Ig2,Ig2Ig1Ig0,2.3.2 晶闸管的基

20、本特性,1）静态特性,返回,Ig=0时，当阳极电压足够大时，晶闸管会“硬开通”，此电压称为正向转折电压UbO。,1-47,2.3.2 晶闸管的基本特性,1)开通过程延迟时间td(0.51.5s)上升时间tr(0.53s)开通时间tgt：tgt=td+tr（1-6）,2)关断过程反向阻断恢复时间trr正向阻断恢复时间tgr关断时间tq：tq=trr+tgr（1-7)普通晶闸管的关断时间约几百微秒,2）动态特性,图2-10 晶闸管的开通和关断过程波形,返回,1-48,2.3.3 晶闸管的主要参数,断态重复峰值电压UDRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。反向重复峰值电

21、压URRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。通态（峰值）电压UT 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。,通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。,使用注意：,1）电压定额,返回,1-49,2.3.2 晶闸管的基本特性,图2-9 晶闸管的伏安特性IG2IG1IG,返回,1-50,2.3.3 晶闸管的主要参数,通态平均电流 IT(AV）在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。

22、使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。维持电流 IH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。擎住电流 IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的24倍。浪涌电流ITSM指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。,2）电流定额,返回,1-51,2.3.3 晶闸管的主要参数,除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：断态电压临界上升率du/dt 指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。通态电流临界上升率di/d

23、t 指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。,3）动态参数,返回,1-52,2.3.4 晶闸管的派生器件,有快速晶闸管和高频晶闸管。开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管为数十微秒，高频晶闸管10s左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。由于工作频率较高，工作时不能忽略其开关损耗的发热效应。,1）快速晶闸管（Fast Switching Thyristor FST),返回,1-53,2.3.4 晶闸管的派生器件,2）双向晶闸管（Triode AC Switc

24、hTRIAC或Bidirectional triode thyristor）,图2-11 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a)电气图形符号 b)伏安特性,可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。在第和第III象限有对称的伏安特性。不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。,返回,1-54,2.3.4 晶闸管的派生器件,逆导晶闸管（Reverse Conducting ThyristorRCT）,a),图2-12 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a)电气图形符号 b)伏安特性,将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。具有正向压降小、关断时间

25、短、高温特性好、额定结温高等优点。可用于不需要阻断反向电压的电路中。额定电流有两个：一个是晶闸管电流、一个是二极管电流。,返回,1-55,2.3.4 晶闸管的派生器件,光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT）,图2-13 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a)小功率外形 b)电气图形符号 c)伏安特性,又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。因此目前用在高压大功率的场合。,返回,1-56,KK-快速晶闸管,KP-普通晶闸管,KA-高频晶闸管,补充.晶闸管常见型号认识,KS-双向晶闸

26、管,返回,1-57,K P,表示晶闸管,普通反向阻断型,额定通态平均电流,正反向重复峰值电压等级,通态平均电压组别,补充.晶闸管常见型号（KP型）认识,返回,1-58,1.型号为KP100-3，维持电流IH=4mA的晶闸管使用 在下图中电路里，问是否合理？为什么（暂不考虑电压电流裕量）？,补充.思考题,返回,1-59,2.电路如下图所示，假设变压器T，晶闸管VT为理想元器件，现在电源的30 相位处给晶闸管一个可靠触发脉冲信号，试画出负载电压R上的电压波形图？,补充.思考题,返回,1-60,2.电路如下图所示，假设变压器T，晶闸管VT为理想元器件，且在电源的30 相位处给晶闸管一个可靠触发脉冲信

27、号，试画出负载电压R上的电压波形图？,补充.思考题,返回,1-61,2.4 典型全控型器件,2.4.1 门极可关断晶闸管（GTO）2.4.2 电力晶体管_(GTR/BJT)2.4.3 电力场效应晶体管(P-MOSFET)2.4.4 绝缘栅双极晶体管(IGBT),返回,1-62,2.4 典型全控型器件引言,门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现;20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代;典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。,1-63,2.4 典型全控型器件引言,常用的典型全控型器件,电力MOSFET,IGBT单管及模块,1-64,2.4.1 门极

28、可关断晶闸管,晶闸管的一种派生器件;可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断;GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，耐压和耐流可达6KV和6KA，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。,门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor GTO）,返回,1-65,2.4.1 门极可关断晶闸管,结构：与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。,图2-14 GTO的内部结构和电气图形符号 a)各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b)并联单元结构断面示意图 c)电气图形符号,1）GTO的结构和

29、工作原理,返回,1-66,1.4.1 门极可关断晶闸管,工作原理：与普通晶闸管一样，可以用所示的双晶体管模型来分析。,晶闸管的双晶体管模型及其工作原理,1+2=1是器件临界导通的条件,大于1导通，小于1则关断。,由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益1和2。,返回,1-67,2.4.1 门极可关断晶闸管,GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：,设计2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于GTO关断。导通时1+2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。,晶

30、闸管的工作原理,返回,1-68,2.4.1 门极可关断晶闸管,GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强。,由上述分析我们可以得到以下结论：,返回,1-69,2.4.1 门极可关断晶闸管,（1）最大可关断阳极电流IATO,（2）电流关断增益off,off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A。,GTO额定电流。,最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。,（2-8）,返回,2)G

31、TO的主要参数,许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数。,1-70,2.4.1 门极可关断晶闸管,延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约12s，上升时间则随通态阳极电流的增大而增大。,一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。下降时间一般小于2s。,（4）关断时间toff,（3）开通时间ton,不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联。,返回,1-71,2.4.2 电力晶体管,电力晶体管（Giant TransistorGTR，直译为巨型晶体管）。耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transis

32、torBJT），英文有时候也称为Power BJT。20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。,返回,1-72,与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。,2.4.2 电力晶体管,1）GTR的结构和工作原理,图2-16 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a)内部结构断面示意图 b)电气图形符号 c)内部载流子的流动,返回,+表示高掺杂浓度，-表示低掺杂浓度,1-73,2.4.2 电力晶体管,在应用中，

33、GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为（2-9）GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=ib+Iceo（2-10）单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。,1）GTR的结构和工作原理,返回,1-74,2.4.2 电力晶体管,静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态。在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。,图2-17 共发射极接法时GTR的输出特性,2）GT

34、R的基本特性,返回,1-75,2.4.2 电力晶体管,前已述及：电流放大倍数、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff(此外还有)：1)最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿。击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo。实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。,3）GTR的主要参数,返回,1-76,2.4.2 电力晶体管,通常规定为hFE下降到规定值的1/21/3时所对应的Ic。实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。3)集电极最大耗

35、散功率PcM最高工作温度下允许的耗散功率。产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度。,2)集电极最大允许电流IcM,返回,1-77,2.4.2 电力晶体管,一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。二次击穿：一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变。,全工作区（Safe Operating AreaSOA）最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。,图2-19 GTR的安全工作区,GTR的二次击穿现象与安全工作区,

36、返回,1-78,2.4.3 电力场效应晶体管,分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）简称电力MOSFET（Power MOSFET）结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction TransistorSIT）,特点用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。,电力场效应晶体管,返回,1-79,2.4.3 电力场效应晶体管,电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道

37、。耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。,1）电力MOSFET的结构和工作原理,返回,1-80,2.4.3 电力场效应晶体管,电力MOSFET的结构,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。,图2-20 电力MOSFET的结构和电气图形符号,返回,1-81,2.4.3 电力场效应晶体管,小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。

38、按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。,电力MOSFET的结构,返回,1-82,2.4.3 电力场效应晶体管,截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。,电力MOSFET的结构和电气图形符号,电力MOSFET的工作原

39、理,返回,1-83,2.4.3 电力场效应晶体管,静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。,图2-21 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a)转移特性 b)输出特性,2）电力MOSFET的基本特性,返回,1-84,2.4.3 电力场效应晶体管,截止区（对应于GTR的截止区）饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区（对应GTR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。,图2-2

40、1电力MOSFET的转移特性和输出特性 a)转移特性 b)输出特性,MOSFET的漏极伏安特性：,返回,1-85,2.4.3 电力场效应晶体管,3)电力MOSFET的主要参数,电力MOSFET电压定额,(1)漏极电压UDS,(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM,电力MOSFET电流定额,(3)栅源电压UGS,UGS20V将导致绝缘层击穿。,除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：,(4)极间电容,极间电容CGS、CGD和CDS,返回,1-86,2.4.4 绝缘栅双极晶体管,两类器件取长补短结合而成的复合器件Bi-MOS器件绝缘栅双极晶体管（In

41、sulated-gate Bipolar TransistorIGBT或IGT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。,GTR和GTO的特点双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。MOSFET的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。,返回,1-87,2.4.4 绝缘栅双极晶体管,1)IGBT的结构和工作原理三端器件：栅极G、集电极C和发射极E,图2-23 IGBT的结构、简化等效电路和电

42、气图形符号a)内部结构断面示意图 b)简化等效电路 c)电气图形符号,返回,1-88,2.4.4 绝缘栅双极晶体管,图2-23aN沟道VDMOSFET与GTR组合N沟道IGBT。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力。简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。RN为晶体管基区内的调制电阻。,图2-23 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图 b)简化等效电路 c)电气图形符号,IGBT的结构,返回,1-89,2.4.4 绝缘栅双极晶体管,驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控

43、器件，通断由栅射极电压uGE决定。导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。,IGBT的原理,返回,1-90,a,),b,),2.4.4 绝缘栅双极晶体管,2)IGBT的基本特性IGBT的静态特性,图2-24 IGBT的转移特性和输出特性a)转移特性 b)输出特性,转移特性IC与UGE间的关系(开启电压UGE(th),输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。,返回,1-91

44、,2.4.4 绝缘栅双极晶体管,3)IGBT的主要参数,正常工作温度下允许的最大功耗。,(3)最大集电极功耗PCM,包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。,(2)最大集电极电流,由内部PNP晶体管的击穿电压确定。,(1)最大集射极间电压UCES,返回,1-92,2.4.4 绝缘栅双极晶体管,IGBT的特性和参数特点可以总结如下：,开关速度高，开关损耗小。相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且 具有耐脉冲电流冲击能力。通态压降比VDMOSFET低。输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。,返回

45、,1-93,2.4.4 绝缘栅双极晶体管,擎住效应或自锁效应：,IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件。,最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定。,反向偏置安全工作区（RBSOA）,最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。,正偏安全工作区（FBSOA）,动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决。,NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极

46、电流的控制作用，电流失控。,返回,1-94,2.5 其他新型电力电子器件(了解),2.5.1 MOS控制晶闸管MCT2.5.2 静电感应晶体管SIT2.5.3 静电感应晶闸管SITH2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT,返回,1-95,2.5.1 MOS控制晶闸管MCT,MCT结合了二者的优点：承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。一个MCT器件由数以万计的MCT元组成。每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到

47、预期的数值，未能投入实际应用。,MCT（MOS Controlled Thyristor）MOSFET与晶闸管的复合,返回,1-96,2.5.2 静电感应晶体管SIT,多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。缺点：栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。,SIT（Static Induction Transistor）结型场效应晶体管,返回,1-97,2.5.3

48、静电感应晶闸管SITH,SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。此外，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。,SITH（Static Induction Thyristor）场控晶闸管（Field Controlled ThyristorFCT）,返回,1-98,2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT,20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍。可省去GTO复杂的缓冲电路，但驱动功率仍很

49、大。目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。,IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor）GCT（Gate-Commutated Thyristor）,返回,1-99,2.6 功率集成电路与集成电力电子模块,20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrate

50、d CircuitPIC）。,基本概念,1-100,高压集成电路（High Voltage ICHVIC）一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。智能功率集成电路（Smart Power ICSPIC）一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。智能功率模块（Intelligent Power ModuleIPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。,实际应用电路,2.6 功率集成电路与集成电力电子模块,1-101,功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。以前功率集成电路