第5章光电倍增管.ppt.ppt
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1、,光子探测器,M光电增益,输出光电流,光电导探测器:M可以大于1,光电三极管:M102,雪崩光电二极管:M103,?M106,第5章 光电子发射探测器,第5章 光电子发射探测器,Photoemissive detector,简称PE探测器,也称为真空光电器件,光电发射器件是基于外光电效应的器件,它包括真空光电二极管、光电倍增管、变像管、像增强管和真空电子束摄像管。,光 电 管:,光电倍增管:,被半导体光电器件取代,极高灵敏度 106 快速响应 pS,应 用:,微弱光信号、快速脉冲弱光信号,也称为真空光电器件,第5章 光电子发射探测器,Photoemissive detector,简称PE探测器
2、,缺点:结构复杂 工作电压高 体积庞大优点:灵敏度高 稳定性好 响应速度快 噪声小,具有外光电效应的材料 光电子发射体,光电子发射探测器中的光电子发射体 又称为光电阴极,光电阴极是完成光电转换的重要部件,其性能好坏直接影响整个光电发射器件的性能!,第5章 光电子发射探测器,5.1 光电阴极,5.2 光电管和光电倍增管结构原理,5.3 光电倍增管的主要特性参数,5.4 光电倍增管的工作电路,第5章 光电子发射探测器,5.1 光电阴极,良好的光电发射材料具备的条件:,a 光的吸收系数大b 光电子在体内传输过程中受到的能量损失小c 表面势垒低,表面逸出几率大,常用的光电阴极材料,反射系数大、吸收系数
3、小、碰撞损失能量大、逸出功大适应对紫外灵敏的光电探测器。,光吸收系数大得多,散射能量损失小,量子效率比金属大得多光谱响应:可见光和近红外波段。,金属:,半导体:,常规光电阴极,负电子亲和势阴极,半导体材料广泛用作光电阴极,(1)、银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极,1、常规光电阴极,峰值波长:350nm,800nm,光谱响应范围约300-1000nm;量子效率约0.5;使用温度100C;暗电流大。,最早的光电阴极,主要应用于近红外探测,(2)单碱锑化物:,金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合,能形成具有稳定光电发射的发射体。最常用的是锑化铯(CsSb),其阴极灵敏度最高,量子效率为152
4、5,蓝光区量子效率高达30%,长波限为:600nm。广泛用于紫外和可见光区的光电探测器中。光谱响应范围较窄对红光红外不灵敏,CsSb阴极最为常用,紫外和可见光区的灵敏度最高,(3)多碱锑化物:,SbNaKCs 最实用的光电阴极材料,高灵敏度、宽光谱,红外端延伸930nm,用于宽带光谱测量仪,扩展到近红外。,(4)紫外光电阴极,光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏,而对可见光无响应,这种阴极通常称为“日盲”型光电阴极。,“日盲”型光电阴极,实用的两种:,碲化铯(CsTe)长波限为0.32m,碘化铯(Csl)长波限为0.2 m。,响应范围(100280nm),2.负电子亲和势阴极,负电子亲和势材料
5、结构、原理,重掺杂的P型硅表面涂极薄的金属Cs,经过处理形成N型的Cs2O。,以Si-Cs2O光电阴极为例,P型Si的电子亲和势:,N型Cs2O电子亲和势:,EA1=E0-EC10,EA2=E0-EC20,体内:P型,表面:N型,从Si的导带底部漂移到表面Cs2O的导带底部。此时,电子只需克服EAe就能逸出表面。对于P型Si的光电子需克服的有效亲和势为EAe=EA2-Ed由于能级弯曲,使EdEA2,这样就形成了负电子亲和势。,体内:P型,表面:N型,负电子亲和势(体内衬底材料的有效电子亲和势)是负的,经典发射体的电子亲和势仍是正的,EA1=E0-EC10,EA2=E0-EC20,EAe=E0-
6、EC10,NEA的最大优点:量子效率比常规发射体高得多,光电发射过程分析:,热电子受激电子能量超过导带底的电子,冷电子能量恰好等于导带底的电子,NEA量子效率比常规发射体高得多!,NEA的优点:量子效率比常规发射体高得多,1、量子效率高2、阈值波长延伸到红外区3、由于“冷”电子发射,能量分散小,在成象器件中分辨率极高4、暗电流极小5、延伸的光谱区内其灵敏度均匀,式(52)与式(165)对比,1、结构,真空光电管构造示意图,真空光电管由玻壳、光电阴极和阳极三部分组成,5.2 光电管和光电倍增管的结构原理,5.2.1 光电管,充气型光电管:,光电管的特点:光电阴极面积大,灵敏度较高,一般积分灵敏度
7、可达20200A/lm;暗电流小,最低可达10-14A;光电发射弛豫过程极短。,缺点:真空光电管一般体积都比较大、工作电压高达百伏到数百伏、玻壳容易破碎等,Photomultiplier Tube 简称PMT,1.基本结构,5.2.2 光电倍增管,电子光学系统,1).入射光窗,(a)侧窗式(b)端窗式,1)光入射通道,2)短波阈值,作用:,1.基本结构,硼硅玻璃(无钾玻璃)常用的玻璃材料,可以透过从近红外至300nm的入射光,不适合于紫外区的探测。,透紫玻璃(UV玻璃)很好地透过紫外光,和硼硅玻璃一样被广泛使用。分光应用领域一般都要求用透紫玻璃,其截止波长可接近185nm。,窗口材料,合成石英
8、,紫外光波长延伸至160nm,氟化镁(镁氟化物)极好的紫外线透过性,接近115nm,,蓝宝石 紫外光波长延伸至150nm,2)光电阴极,作用:,1)光电转换能力,2)长波波长阈值,3)决定整管灵敏度,3)电子光学系统,作用:,1)收集率接近于1,2)渡越时间零散最小,4).电子倍增极,由许多倍增极组成,决定整管灵敏度最关键部分 作用倍增 10-15级倍增极,4).电子倍增极,1)二次电子发射,一次电子,二次电子,二次电子发射系数:,(1)二次电子发射,二次电子发射系数:,二次发射系数与一次电子能量关系,增大Ep,值反而下降,不同材料 max 金属:0.51.8半导体和介质:56负电子亲和势材料
9、:500,随Ep增大而增大,Epmax约为1001800eV,内增益极高倍增原理,(1)二次电子发射,入射光照射到光电阴极K上,发射光电子,经电子光学系统加速,聚焦到倍增极上,发射出多个二次电子;电子经n级倍增极,形成放大的阳极电流,在负载RL上产生放大的信号输出。,4).电子倍增极,(2)实用的倍增极材料,灵敏的光电发射体,也是良好的二次电子发射体,a 复杂的半导体型:锑铯和锑铯钾等碱金属化合物化合物,b 氧化物型,主要是氧化镁。c 合金型,主要是银镁、铝镁、铜镁等合金。d 负电子亲合势发射体。,(3)倍增极结构,光电倍增管中的倍增极一般由几级到十五级组成,光电倍增管按倍增极结构可分为聚焦型
10、与非聚焦型两种。非聚焦型光电倍增管有百叶窗型(图a)与盒栅式(图b)两种结构;聚焦型有瓦片静电聚焦型(图c)和圆瓦片式(图d)两种结构。,(3)倍增极结构,5)阳极,作用:收集最末一级倍增极发射出来的二次电子,向外电路输出电流。,结构:具有较高电子收集率,能承受较大电流密度,在阳极附近空间不产生空间电荷效应。阳极广泛采用栅网状结构。,2.工作原理,1).光子透过入射窗口入射在光电阴极上;,2).光电阴极上的电子受光子激发,离开表面发射到真空中;,3).光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增级上,倍增级将发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N级倍增极倍增后,光电子就放大N次
11、;,4).经过倍增后的二次电子由阳极收集,形成阳极光电流。,3、光电倍增管分类,1.按进光方式:A侧窗式 B端窗式;,2.电极工作方式:A透射式 B反射式;3.倍增极数目:A单极 B多极;4.倍增极系统结构:A盒状 B圆笼式 C百叶窗式 D直线瓦片式5.光电阴极材料:CsSb、Ag-O-Cs、多碱,3、光电倍增管分类,5.3 光电倍增管的主要特性参数,1灵敏度,2电流增益,3光电特性,4光谱特性,5伏安特性,6时间特性,7暗电流,8疲劳特性,9噪声,1灵敏度,光电倍增管的灵敏度:,单位:,阴极灵敏度 A/lm或A/W,阳极灵敏度 A/lm 或 A/W,灵敏度是衡量光电倍增管探测光信号能力的一个
12、重要参数。,1)阴极灵敏度测试图,照射到光电阴极上的光通量约为10-510-2lm,100V300V,0 V,2)阳极光照灵敏度测试,10-1010-6 lm,各倍增极和阳极都加上适当电压;注明整管所加的电压,2电流增益,阳极电流与阴极电流之比称为电流增益M(内增益),例如:=4,n=10,M106 光电增益M1,例如,n912,测量精度1%电源电压稳定度0.1%。,3、光电特性,阳极光电流与入射于光电阴极的光通量之间的函数关系,称为倍增管的光电特性。,4光谱特性(图59和510),近红外,远紫外,可见光,短波限窗口材料限制,长波限阴极材料限制,5伏安特性,阴极伏安特性,阳极伏安特性:,光电二
13、极管伏安特性:,恒流源计算和分析方法相同,阳极伏安特性:,光电二极管伏安特性:,5伏安特性,阴极伏安特性,阳极伏安特性:,交流微变等效电路,恒流源计算和分析方法相同,6时间特性,器件时间特性(单位:ns),外电路时间特性,6时间特性,当电路时间常数较大,倍增管的上限截止频率:,倍增管的响应时间,输出电路的时间常数,7 暗电流,光电倍增管的暗电流是指在施加规定的电压后,在无光照情况下测定的阳极电流。光电倍增管的暗电流值在正常应用的情况下是很小的,一般为nA,是所有光电探测器件中暗电流最低的器件。,暗电流的来源:光电阴极和和靠近阴极的倍增极的热电子发射,是PMT暗电流的主要成分降低PMT的工作温度
14、 光电倍增管的极间漏电流-欧姆漏电-清洁 干燥 场致发射 降低工作电压 残余气体放电 离子和光的反馈,9、噪声,8、疲劳特性,部分光电倍增管特性,5.4 光电倍增管的工作电路,是保证其正常工作的必要条件,在常用的光探测器件中,其工作电路是最为复杂的。,工作电路:,高压供电电路,信号输出电路,分压电阻的确定,并联电容的确定,高压电源,接地方式,高压供电电路分压电阻的确定,总电压UAK 在10001500 V之间,倍增极极间电压UD在80100V之间可以确定分压电阻,IR,IAmax,高压供电电路分压电阻的确定,实例:,说明:,i.第一级对阴极电流形成影响最大,高出2030Vii.中间级均匀分配i
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