机车电力电子技术教案.doc
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1、*机车电力电子技术教案主要内容l 本课程教学大纲l 本课程电子教案*课程编号:机车电力电子技术课程教学大纲学时:(64) 学分:(4)一、教学大纲的说明机车电力电子技术课程教学大纲是教学指导性文件,它是作为工科专科学生学习该课程必须达到的合格要求,是学校制订教学计划和教学内容的依据,也是编写基本教材和进行课程教学质量评估的重要依据。1授课对象:车辆工程专业(电力机车方向),高职三年制学生。2课程性质:机车电力电子技术课程是车辆工程专业(电力机车方向)的一门专业必修课。3任务及要求:通过学习本课程,应使学生掌握电力电子技术理论及其在电力机车上的应用等方面知识,主要学习电力电子器件、相控整流电路、
2、斩波电路与逆变电路、交流调压电路、触发电路与驱动电路、电力机车控制系统单元电路、电力机车控制电源柜、电力机车电子控制柜和微机控制柜、电力机车其他电子电路、电子电路常见故障分析与应急处理等方面知识,培养学生学会综合运用所学知识,分析、设计、解决相关技术问题的能力。 4与其它课程的联系先修课程:电工技术、Visual Basic程序设计、单片机原理及应用等。后修课程:电力机车控制等。二、教学大纲1、课程内容第1章 绪论 电力电子器件的发展;电力电子技术的发展;交流电动机控制技术的发;我国电力机车的发展。第2章 电力电子器件电力电子器件概述;大功率整流二极管;晶闸管;门极关断晶闸管(GTO);功率晶
3、体管(GTR);功率MOS场效应晶体管(功率MOSFET);绝缘栅双极晶体管(IGBT);MOS控制晶闸管(MCT);功率集成电路(PIC);电力电子器件的冷却。第3章 相控整流电路单相半控桥式整流电路;单相全控桥式整流电路;三相半波可控整流电路;三相全控桥整流电路;三相半控桥整流电路。第4章 斩波电路与逆变电路斩波电路;逆变电路;缓冲电路。第5章 交流调压电路概述;晶闸管交流开关;晶闸管单相交流调压电路;晶闸管三相交流调压电路。第6章 触发电路与驱动电路概述;晶闸管触发电路;GTO门极驱动电路;GTR门极驱动电路;功率MOSFET门极驱动电;IGBT驱动与保护技术。第7章 电力机车控制系统单
4、元电路检测单元;控制单元;触发系统元件。第8章 电力机车控制电源柜SS9型电力机车的控制电源柜;HXD3型电力机车的DC 110 V电源装置。第9章 电力机车电子控制柜和微机控制柜SS4改型电力机车电子控制柜;SS8型电力机车微机控制柜;HXD3型电力机车网络控制系统。第10章 电力机车其他电子电路显示诊断装置;劈相机起动电路;列车运行监控记录装置。第11章 电子电路常见故障分析与应急处理检测单元和电源柜的故障判断;SS4改型电力机车电子控制柜常见故障判断及处理;SS9型电力机车微机控制柜的使用维护和常见故障判断及处理;HXD3型电力机车典型故障分析及处理。2、重点与难点 重点:大功率整流二极
5、管;晶闸管;门极关断晶闸管(GTO);绝缘栅双极晶体管(IGBT);功率集成电路(PIC);单相半控桥式整流电路;单相全控桥式整流电路;斩波电路;逆变电路;缓冲电路;晶闸管交流开关;晶闸管单相交流调压电路;晶闸管触发电路;GTO门极驱动电路;IGBT驱动与保护技术;检测单元;控制单元;触发系统元件;SS9型电力机车的控制电源柜;HXD3型电力机车的DC 110 V电源装置;SS4改型电力机车电子控制柜;SS8型电力机车微机控制柜;HXD3型电力机车网络控制系统;显示诊断装置;劈相机起动电路;列车运行监控记录装置;检测单元和电源柜的故障判断;SS4改型电力机车电子控制柜常见故障判断及处理;SS9
6、型电力机车微机控制柜的使用维护和常见故障判断及处理;HXD3型电力机车典型故障分析及处理。难点:晶闸管;门极关断晶闸管(GTO);绝缘栅双极晶体管(IGBT);功率集成电路(PIC);单相半控桥式整流电路;单相全控桥式整流电路;逆变电路;晶闸管单相交流调压电路;控制单元;SS9型电力机车的控制电源柜;HXD3型电力机车的DC 110 V电源装置;SS4改型电力机车电子控制柜;SS8型电力机车微机控制柜;HXD3型电力机车网络控制系统;显示诊断装置;劈相机起动电路;列车运行监控记录装置;检测单元和电源柜的故障判断;SS4改型电力机车电子控制柜常见故障判断及处理;SS9型电力机车微机控制柜的使用维
7、护和常见故障判断及处理;HXD3型电力机车典型故障分析及处理。3实验与实践环节(1)电力电子器件特性测试;(2)单相半控桥式整流电路;(3)三相桥式全控整流电路及有源逆变;(4)直流斩波电路;(5)单相交流调压电路。4学时分配(共64学时)序号主要内容学时分配其中备 注讲授实验习题上机1第1章 绪论安排学生课外自学2第2章 电力电子器件862选择部分内容讲解,其余部分安排课外自学,作为学生知识的拓展3第3章 相控整流电路642选择部分内容讲解,其余部分安排课外自学,作为学生知识的拓展4第4章 斩波电路与逆变电路8625第5章 交流调压电路6426第6章 触发电路与驱动电路66选择部分内容讲解,
8、其余部分安排课外自学,作为学生知识的拓展7第7章 电力机车控制系统单元电路888第8章 电力机车控制电源柜669第9章 电力机车电子控制柜和微机控制柜66选择部分内容讲解,其余部分安排课外自学,作为学生知识的拓展10第10章 电力机车其他电子电路4411第11章 电子电路常见故障分析与应急处理66选择部分内容讲解,其余部分安排课外自学,作为学生知识的拓展合计64568三、教材及主要参考书教材:刘敏军,王秀珍主编机车电力电子技术中国铁道出版社2012年。参考书:李瑞荣主编电力机车电子技术中国铁道出版社2008年。 大纲批准:(主管教学校长) 大纲审定:(主管教学院长) 大纲制定:(执笔教师)*机
9、车电力电子技术电子教案1 概 论1.1 电力电子器件的发展1晶体管2二极管3晶闸管4电力电子器件图1.1电力电子器件家族“树”5电力电子器件种类(1)按器件内部载流子参与导电的种数不同,分三大类:1)单极型器件2)双极型器件3)复合型器件(2)按开通、关断方式不同,分三大类:1)不可控型器件2)半控型器件3)全控型器件6电力电子器件的性能1)双极型器件2)单极型器件3)复合型器件1.2 电力电子技术的发展1直流电动机与异步电动机结构、性能特点比较2电力电子技术的发展(1)整流器时代(2)逆变时代(3)变频时代(4)智能化时代1.3 交流电动机控制技术的发展1矢量控制2直接转矩控制3无速度传感器
10、控制技术4微处理机引入控制系统5其他控制技术1.4 我国电力机车的发展1电气化铁路史2电力机车发展史我国电力机车的发展大体经历了四个阶段:第一阶段起步期第二阶段成长期第三阶段全盛期第四阶段升级换代期复习与思考题1简述电力电子器件、电力电子技术、交流电动机控制技术的发展历程。2简述我国电力机车的发展概况及发展趋势。2 电力电子器件2.1 大功率整流二极管1结构与伏安特性(1)结构目前大功率的整流二极管,外形结构与晶闸管相似,可分为螺旋式和平板式,而平板式又分为风冷式和水冷式。二极管仅有阳极A与阴极K。螺旋式二极管的阳极紧栓在铝制散热器上。(2)伏安特性图2.1 大功率二极管伏安特性2主要参数(1
11、)额定正向平均电流ID(AV)(2)反向重复峰值电压URRM(3)正向平均电压UD(AV)3型号及选择的原则(1)型号(2)选择原则选择ID(AV)的原则: IDn=1.57ID(AV)=(1.52)IDmaxID(AV)=(1.52)IDmax/1.57选择URRM的原则: URRM=(23)UDmax选择UD(AV)的原则:根据设计要求,选取所规定的相应系列组别。除特殊要求外,容量在100 A以下通常不考虑管压降组别。管压降愈小,元件发热与损耗也越小,相应价格就越高。此外,大功率二极管在使用中应注意的事项与下节要介绍的晶闸管相同。2.6 绝缘栅双极晶体管(IGBT)绝缘栅双极晶体管(Iso
12、loted Gate Bipolar TransistorIGBT)。由于IGBT内具有寄生晶体管,所以也可称作绝缘门极晶闸管。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身,既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点,又有通态电压低、耐压高的优点,因此发展快,倍受欢迎,在电极驱动、中频和开关电源以及要求快速、低损耗的领域,IGBT有着主导地位,并有取代GTR的趋势。2.7 MOS控制晶闸管(MCT)MOS控制晶闸管(MCT)是一种新的功率器件。顾名思义,它是通过MOS门极开关控制晶闸管的。MCT驱动功率小,开关频率与IGBT相近,而且不存在二次击穿的问题。它工作于超擎住状态,是一个
13、真正的PNPN器件。这也就是MCT的通态电阻大大低于一般场效应器件的主要原因。MCT将晶闸管容量大、正向电压低的优点与MOSFET的高输入阻抗、小驱动功率、开关速度快的特性结合在一起,构成大功率、快速的全控型电力电子新器件。有可能取代SCR、GTO、IGBT,应用于高频大功率领域。2.7.1 MCT的结构原理及工作特性1基本结构图2.38 MCT的基本结构(a)PMCT;(b)NMCT2工作原理。图2.39所示为MCT等效电路及符号。当门极相对于阳极加负脉冲电压时,VT2导通,漏极电流使NPN晶体管VT3导通,VT3的集电极电流(电子)使VT4导通,而VT4的集电极电流(空穴)又反过来维持VT
14、3的导通。通过SCR的正反馈作用,MCT导通。图2.39 MCT等效电路及符号(a)P-MCT结构及等效电路;(b)N-MCT结构及等效电路当门极相对于阳极加正电压时,VT1导通,VT4截止,破坏了SCR的擎住条件,从而使MCT关断。3参数定义由于MCT是一种新器件,所以许多参数要重新定义:(1)击穿电压。没有触发时MCT连续承受的最大电压。(2)正向压降。150 时额定峰值电流下的正向压降。(3)结温。在标准的塑料外壳场合规定为150 。4电压和电流目前已有100 A/1 000 V、du/dt=20 000 V/s、di/dt=20 000 A/s、toff的产品,研制水平已高达3 000
15、 V。目前产品的电流为500 A1 000 A。提高电流的主要手段是增加芯片尺寸和最佳设立。迄今0.4 cm2芯片(有效区)可关断200 A电流(150 ),在一光控模块中,几个芯片并联已可关断600 A以上的电流。由于MCT是用DMOSFET工艺制得,所以芯片尺寸不能无限制地增大,因此更大电流的MCT期望由多芯片并联而成。初步实验发现,在12个芯片并联模块中,电流分布的平均性在10% 之内。还发现器件的的电流基本上不受通态损耗发热的限制,而受高温、峰值电流的限制。通过OFF-FET沟道密度的几何图形设计,可控制电流容量。5开关速度MCT的开通延迟时间和开通电流上升时间非常快。对许多带ONFE
16、T的单胞,如果不受门极驱动上升时间的限制,开通时间约为一个基区渡越时间(数十纳秒),用这种设计,MCT达到最终的通态电压,基本上不存在di/dt的限制。6工作温度MCT的工作温度范围为200 300 ,由于反相漏电缘故(每隔10 或12 增大一倍),实际的温度上限为250 270 。7安全工作区(SOA)图2.40为MCT在没有吸收回路时的安全工作区(150 )。它与外壳、散热器、电流和工作周期由关。当工作电压超过SOA范围时,MCT可能会被损坏;而当峰值可控电流超过SOA时MCT不会像其他大部分功率开关那样损坏,而只是不能用门极关断而已,因此MCT的短路保护相当简单,只需熔断丝之类即可。2.
17、7.2 MCT与其他器件的比较表2.1 各种全控型电力半导体器件的比较器件参数GTRMOSFETIGBTGTOMCT连续电流密度A/cm2804013016075150150200峰值电流密度A/cm2120160100200400150 300关断功率密度kVA/cm260200120101545正向损耗:U(V)额定电流时10%额定电流时2.01.2570.50.73.51.81.82.511.51.20.7开关损耗导通时间s关断时间s1.02.00.10.10.150.350.52.00.42.00.141.2击穿电压V5005005001200275关断SOA较好好较好差差成本较低较高
18、中最高最低500V器件;测量值;无吸收回路运行;预测值。通过上述比较可得出MCT优点:(1)电压、电流容量大(击穿电压3 000 V,峰值电流1000A,最大关断电流密度6 000 A/cm2)。(2)通态压降小(为IGBT的1/3,约1.1 V)。(3)有极高di/dt(20 000 A/s )的及du/dt(20 000 V/s )。(4)开关速度快,开关损耗小(开通时间200 ns,可在于2s时间内关断1 000 V电压)。(5)工作温度高,在200 以上。(6)对恒定的电容值,MCT无密勒效应,因而可大大简化门极驱动设计,增加门极驱动的可靠性。(7)即使关断失效,MCT也不会损坏。2.
19、8 功率集成电路(PIC)功率集成电路PIC(Power-IC)包括高压功率集成电路(HVIC)、智能功率集成电压(Smart Power-IC)和功率专用集成电路,简称SPIC,也有人认为SPIC属于HVIC,1981年美国试制出第一个PIC。HVIC可达到500 V/600 mA,用于平板发光显示驱动装置和长途电话的功率变换装置。SIC水平为110 V/13 A及500 V/0.5 A,用于电动机的驱动。目前单片电路中最高水平击穿电压1 200 V输出电流40 A。最近出现的智能功率模块IPM在20 kHz高频程序下可承受AC200 V/400 V电压、最大容量可达55 kW。从电压、电流
20、来看,PIC可分为三个领域:(1)低压大电流PIC,主要用于汽车点火、开关电源和同步发电机等。(2)高压小电流PIC,主要用于平板显示、交换机等。(3)高压大电流PIC,主要用于交流电机控制、家用电器等。PIC是电力半导体技术与微电子技术结合的产物,其根本特征是使动力与信息结合,成为机和电的接口,是机电一体化的基础元件。2.8.1 PIC技术将输出的功率器件及其驱动电路、保护电路和接口电路等外围电路集成在一个或几个芯片上,就称作功率集成电路,也称作智能功率集成电路。图2.43为功率集成电路的典型构成。1PIC的分类与发展2SPIC的基本功能3SPIC的开发和应用2.8.2 智能功率模块(IPM
21、)智能功率模块(IPM)又称智能集成电路,是电力集成电路的一种。IPM是以IGBT为基本功率开关元件,构成一相或三相逆变器的专用功能模块,尤其适合于电动机变频调速装置的需要。图2.45为IPM模块内部结构图。图2.45 采用IPM制作的逆变器框图2.9 电力电子器件的冷却与保护2.9.1 电力电子器件的冷却2.9.1.1 冷却的重要性除了电学性能外,电力电子器件的热学特性和参数也同样重要,为了保证电力电子器件的正常运行,冷却是不可缺少的。作为电力电子器件核心的PN结,性能与温度密切相关,结温过高,会使PN结特性退化或丧失,导致器件的许多特性和参数发生变化,甚至使器件永久烧坏,与最高允许结温Tj
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