微传感器的常用材料及加工工艺教学PPT.ppt

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1、2007,第3章微传感器的常用材料及加工工艺 微型化作为传感器的主要发展方向,不仅是各应用领域需求推动的结果,也是科学技术发展的一个必然.没有相应的材料制备以及基础加工工艺的支持,要实现微传感器几乎是不可能的.传感器的微型化起源于半导体制造工业的技术进步，而MEMS技术的发展则是微传感器的最直接推动力。微传感器是目前最为成功、最具有实用性的MEMS器件。3.1材料的基本知识 微传感器的敏感原理是一些物理现象或化学现象，而微传感器的具体实现则是依靠一些能有效表现这些现象的材料。材料对于微传感器的研究与制作都起着相当重要的作用。没有好的材料，就不可能有好的微传感器。,2007,3.1.1材料的基本

2、物理特性 一切物质，包括固体、液体和气体，都是由无数微粒按一定的方式聚集而成的。这些微粒可能是分子、原子或离子。原子结构直接影响原子间的结合方式。若外电子层未填满，原子便试图获得额外电子，组成分子或聚合物。有4种主要键合类型，即离子键、金属键、共价键和范德瓦尔斯力。离子键是由不同极性离子之间的静电吸引所形成的。大多数盐类、碱类和金属氧化物主要以离子键的方式结合。离子键形成晶体其原子按长距离三维图案排列，以降低总能量并维持电中性的固体。因为没有自由电荷，离子之间的强内聚力使得离子键形成的晶体具有低的电导率、相当高的熔融温度和良好的机械强度。,2007,金属键也是由静电力产生的。与离子键不同，这些

3、静电力不是在占据固定位置的电荷之间，而是在固定的正电荷与围绕固定金属正离子运动的电子云之间。金属中的自由电子来自于原子的最外层电子（价电子）。因此，金属具有规则的结构，但不需要特殊的原子排列来保证电中性，而是由群集的电子云维持电中性。金属中的晶体结构由原子的聚集能力决定。较小的原子可以通过半径较大的原子晶格扩散，如锗中的铜。金属的基本特点是电子的共有化。金属键既无饱和性又无方向性，因而每个原子有可能同更多的原子相结合，并趋于形成低能量的密堆结构。当金属受力变形而改变原子之间的相互位置时，不至于使金属键破坏，这使金属有良好的延展性。并且，由于自由电子的存在，金属一般都有良好的导电和导热性能。,2

4、007,共价键来源于与相邻原子共享电子的原子。两个或多个电极性相差不大的原子间通过共用电子形成化学键。共价键键合的基本特点是核外电子云达到最大的重叠，形成“共用电子对”，有确定的方位，且配位数较小。共价键在亚金属（碳、硅、锡、锗等）、聚合物和无机非金属材料中均占有重要地位。共价键晶体中各个键之间都有确定的方位，配位数比较小。共价键的结合极为牢固，故共价键形成的晶体稳定具有结构、熔点高、质硬脆等特点。范德瓦尔斯力出现在分子内部具有共价键的分子之间。由于电子的连续运动而使正电荷中心与负电荷中心不重合，故其偶极矩很小。范德瓦尔斯力属于物理键，是一种次价键，没有方向性和饱和性。比化学键的键能要少12个

5、数量级。范德瓦尔斯力将有机分子维持在一起，形成内聚能很小的晶体，而且晶体的结构取决于分子聚集在一起的程度。不同的高分子聚合物有不同的性质，分子间的范德瓦尔斯力不同是一个重要因素。,2007,由于内聚力小，具有范德瓦尔斯力的材料的熔点和沸点都不高。另外，氢键是一种特殊的分子间作用力。它是由氢原子同时与两个电负性很大而原子半径较小的原子（如O、F、N等）相结合而产生的具有比一般次价键大的键力，具有饱和性和方向性。氢键在高分子材料中特别重要。原子中的电子只能占据确定的状态或能级,即使受到激发时也是如此.对应于未激发态的能级与对应于激发态的能级间隙等于使一个电子从基态跃迁到激发态所需能量的大小。大多数

6、原子中都有许多能级，各临近能级形成能带。固体的电子性质和能带结构密切相关。能带之间的相对间隔决定了材料的电导率，这对微传感器是一个有用的特性。,2007,根据结构，固体可以呈单晶态、多晶态、非晶态和玻璃态。晶体可以看成是完全填满空间的“晶胞”的周期性重复。晶胞可以用空间点阵来描述。原子不仅占据顶点，而且也能占据晶胞的中心、两个面或多个面的中心或它们的组合。方向和晶面用所谓米勒指数来表示。多晶材料（如金属和陶瓷等）由经晶界结合的大量随机取向的晶体（所谓晶粒）集聚而成。当晶粒足够小时，多晶材料的一些物理特性（如弹性模量、电导率和热膨胀）呈各向同性，尽管构成的晶体可能呈各向异性。非晶态固体（如树脂）

7、没有有序原子，它们是固化的液体。当冷却时，其黏度增大，因而阻碍晶体的形成和生产。玻璃具有短序列，但缺乏长序列。非晶态结晶的材料（如大多数聚合物）为非晶态，但部分晶化。,2007,3.1.2导体、半导体和电介质材料 有两类导体，即电导体（金属及其合金）和离子导体或电解液（酸、碱和盐溶液）。在微传感器中，金属还可以用来构成能使被测对象产生显著变化的电路元件，如电涡流微传感器中的线圈、电容微传感器中的极板、电化学微传感器中的电极等。在诸如双金属温度微传感器或者弹性元件之类的微传感器中，微传感器的特性也主要依赖于金属及其合金的特性。此外，有一类特殊的金属材料，称为金属功能材料，近年来得到了大量的研究与

8、应用。人们利用金属功能材料具有传导信息、存储或记录、转化或变换能量的特性，设计制造了多种微传感器。量大面广的有磁性材料、弹性材料、热电偶材料、热敏电阻材料、应变电阻合金、形状记忆合金等。,2007,利用金属功能材料的功能特性已设计出了力敏、磁敏、热敏及流量等多种微传感器。随着微传感器发展，这类材料向精、细、箔和非晶态方向发展，新型功能材料以及传统功能材料的新功能研究也成为研究的主要方向之一。例如，利用金属及合金制作膜型微传感器、厚膜及薄膜铂电阻温度计，利用坡膜合金沉积在衬底上并经光刻工艺制造磁敏电阻，将应变电阻合金沉积在衬底上生产应变计等。金属及合金浆料、引线和保护材料等都是微传感器不可缺少的

9、主要辅助材料。其中，直径小于0.018mm，又有一定强度的超细贵金属丝材就是亟待解决的问题。对不同介质耐腐的弹性材料的表面改性技术也在探索研究中。,2007,另一方面，离子导体或电解液主要用于化学微传感器，尤其是基于电化学原理的微传感器。虽然电化学微传感器方面的理论已经相当成熟，但在具体实现技术方面仍然存在许多需要研究的问题。电化学微传感器的技术成熟度几乎是目前所知的化学量微传感器中最高的。据统计，商业化的气体微传感器中，90%以上属于电化学类传感器。由于半导体材料对很多信息量具有敏感特性，又有成熟的平面工艺，易于实现多功能化、集成化和智能化，同时也是很好的衬底材料，所以是理想的微传感器材料。

10、半导体材料目前已经广泛用在微传感器中，在今后相当长的时间内也将会占据主导地位。半导体材料在电子电路中的应用早已为人们所熟知。由于对硅在电子器件中所呈现的特性有了深入的了解，硅材料的优良机械性能（抗拉强度比钢大、硬度高但易碎）、可将信号调理电路集成在同一芯片上、可利用微加工工艺进行大批量生产，使得硅成为一种应用方便的微传感器材料。,2007,电介质材料具有共价键，是良好的电绝缘体。电介质材料的特性常用介电常数来表征。介电常数是电通量密度与电场强度之比。电介质被用作电绝缘体，同时也可用于检测，如用在可变电容器中。陶瓷、有机聚合物和石英也是微传感器中经常使用的电介质。陶瓷材料能耐腐蚀、磨损和高温，已

11、经成为普通传感器以及厚膜和薄膜微传感器中用来支撑其他敏感材料的常用材料。陶瓷材料本身也可以用作微传感器的敏感材料。敏感陶瓷的种类很多，应用也很广泛。按其特性，一般包括热敏陶瓷、压敏陶瓷、湿敏陶瓷、气敏陶瓷和光敏陶瓷等。此外，陶瓷智能性结构材料，既具有传感功能，又有像压电元件那样的执行功能。此外，还可用某些陶瓷制造出具有感知、执行（转换）和初步的信息处理功能的电子器件。,2007,有机聚合物是大量所谓单体的相同分子由共价键结合在一起时形成的大分子。键合分子可以形成直线结构或三维结构。直线排列能给出可弯曲、富有弹性、柔软和热塑性的材料，即黏性随温度升高而增大的材料。某些热塑性材料，如尼龙、聚乙烯和

12、聚丙烯都呈结晶态，聚苯乙烯、聚碳酸脂和聚氯乙烯则呈非晶态。热固性材料具有三维结构，它们不易弯曲，易碎，几乎不能溶解，被加热时会产生不可逆变化。硅、聚氰胺塑料、聚脂和环氧树脂是常见的热固性材料。热固性材料除可直接用作微传感器的材料外，还可以用于结构型微传感器的保护。例如，环氧树脂经常被用来封装微传感器的电路，不仅可有效提高微传感器电路在使用中抗意外损伤的能力，而且可有效保护微传感器的敏感元件结构及电路不易被人仿制。合成橡胶则是特性类似橡胶的第三类聚合物。,2007,将填料加入聚合物所得到的塑料可以改善塑料的机械特性.塑料是优良的电绝缘体,但某些塑料也用于检测湿度、压力和温度。例如，某些合成橡胶在

13、受到延伸时会改变电导率，可用于应力检测，制成类似“电子皮肤”的微传感器阵列。在橡胶材料中添加炭黑可增强对材料的应力敏感特性，其中炭黑的添加工艺是调整材料敏感范围以及灵敏度的关键所在。此外，在聚合物中添加一些良导体（如银粉或炭粉）以及在聚合物生长期间添加不同的平衡离子即可变成导电聚合物。聚合物还可用作离子选择性微传感器和生物传感器中的敏感膜。,2007,3.1.3 MEMS常用材料 MEMS所用的材料中,以硅材料最为常见.此外,金属及金属氧化物也是MEMS的常用材料.1.单晶硅与多晶硅 单晶硅是广泛使用的、廉价的MEMS材料。其物理特性稳定，无塑性变形。单晶硅是各向异性的材料，性能取决于晶体的切

14、向。当硅材料沉积在基片表面时，就会形成多晶硅。多晶硅是由硅的微晶组成的，这些微晶的尺寸在0.1 m 到十几m之间。多晶硅常用作微电子电路中的连线材料。获得多晶硅的沉积工艺有多种。多晶硅具有同单晶硅类似的机械性能，只不过没有晶面，在受到相对比较低的应力时就会发生破裂，且破裂的方向是随机的。2.氧化硅与氮化硅 氧化硅（SiO2)是非常有用的电子材料，其介电常数低，电阻率非常高，且容易成型、黏附力强。裸露在空气中的硅在室温下就会形成一层厚度约为3nm的氧化硅。当加热到300C并保持1h后，可形成1 m的氧化硅层。,2007,氧化硅的沉积工艺及应用技术已经相当成熟。在应用中需要注意的是，氧化硅的热膨胀

15、系数比硅要小，因此硅衬底表面的氧化硅层通常会处于一种受压状态。氮化硅（Si3N4)同样是一种优良的电子材料。其电阻率非常高，介电常数低，不会受到氧的影响，比起硅材料本身，氮化硅可耐受多种化学腐蚀。氮化硅比氧化硅的绝缘性更好，熔点高达1100 C，是一种非常常用的绝缘层材料，常用于在器件之间以及器件与衬底材料之间提供绝缘。3.金属材料 MEMS中常用的金属材料主要是铝、钨、金、铂等。铝是最常用的材料之一。其熔点低，且性能稳定。钨则可在高温下保持稳定。金属材料通常采用蒸镀或溅射的方法进行沉积形成薄膜，一般用作半导体器件之间的低电阻连线。在用于生物化学量检测的微传感器中，金或铂以其稳定的物理化学性质

16、，成为固定有机敏感膜的衬底材料。,2007,在应用中需要注意的是，由于尺寸的微变化，金属材料的机械性能远不同于其普通尺寸下的性能。晶粒结构非常复杂且受到表面层的影响，许多性质目前还无法得到合理的解释。4.光刻胶 光刻胶是MEMS工艺必不可少的材料。光刻胶是一种有机材料。一般光刻胶薄膜的厚度为0.5 m左右，近年来出现的SU-8光刻胶则可达到50 m以上的厚度，可用来制作高深宽比的结构。,2007,3.2微传感器的常用材料 微传感器材料大致可分为敏感材料和辅助材料两大类.敏感材料是微传感器材料的核心,用于制作微传感器中敏感被测量的敏感单元,如气敏微传感器中的气体敏感膜.敏感材料的品种繁多,性能要

17、求严格.辅助材料是微传感器不可缺少的组成部分,对辅助材料的选择与应用是否合理将直接影响微传感器的特性、稳定性、可靠性和寿命。3.2.1半导体敏感材料 以半导体硅为代表的半导体材料，是微传感器的重要敏感材料，在微传感器的研究与发展中有着非常重要的位置。近年来，利用超晶格结构制备技术发展出的禁带可控新技术、能带工程带来电子和光子等的特性剪裁技术、超精细机械加工的立体工艺技术、键结合的封装技术、提高使用温度和扩宽应用领域的多孔硅、多晶和非晶材料技术等，为半导体微传感器带来了突破性进展。,2007,化学场效应二极管类微传感器以及其它类型的半导体微传感器，已经在气敏、离子敏传感器方面取得了大量的研究成果

18、。随着基于硅材料的加工技术的完善，尤其是栅膜材料技术的提高和立体工艺技术的深化，半导体微传感器将成为一类很有希望的智能微传感器，有些已经实现了商品化。3.2.2敏感陶瓷材料 在传感技术领域，使用陶瓷材料的敏感元件占有重要地位，从现在的品种和数量上看，比例相当大，从开发新材料、新器件这一角度来看，潜力更大。这主要是因为敏感陶瓷材料具有以下特点：（1）陶瓷是用无机粉末作原料，经过混合、成形、烧结等工艺制成的一种材料。通过改变无机粉末的组成，可以制成性能不同的各种陶瓷敏感材料。此外，陶瓷材料的微结构-晶粒、晶界、气孔等对材料的性能影响很大，这些微结构受制造工艺的影响，因此，不仅通过改变配方可以改变陶

19、瓷的特性,而且控制工艺也可以改变陶瓷的特性，这就为满足各种敏感元件的要求带来了方便。,2007,（2）由于陶瓷材料是经过混合、成形、高温烧结等简单工艺制成的，所以容易实现批量生产，同时价格低廉。（3）陶瓷材料是非金属无机质固体，不燃烧，耐腐蚀，耐磨损，这些性能都是制造可靠性高的敏感元件所必须的。（4）可通过和其他材料复合改进性能。还可利用陶瓷的多功能性，实现用单一陶瓷片制成多功能敏感元件。敏感陶瓷材料是采用化学、物理及热性能稳定的金属氧化物经高温烧结而成的，具有耐热、耐磨、耐腐蚀等优良特性，不仅广泛地用于光、位置、热、电磁波等多种检测领域，而且适宜用在条件苛刻的环境中。,2007,1.基于粒体

20、物性的敏感陶瓷材料 微传感器中使用的陶瓷材料,最初主要着眼于它的粒体物性，即介电性、磁性及半导体性。陶瓷材料在微传感器领域的应用可能源自材料科学技术与信息科学技术的交叉。制造各类电子元器件的介电、铁电、压电等陶瓷功能材料，以及IC封装的装置瓷等均为绝缘体，保证优越的绝缘性是实现特定功能的基础。在制造过程中防止材料的半导体化，往往成为提高陶瓷质量的重要技术措施。但反过来，有意地使陶瓷材料半导体化，促使了半导体陶瓷材料（简称半导瓷）的发展，并很快在敏感元件和微传感器领域得到广泛应用。半导瓷的半导化机理，在于陶瓷材料成分中化学计量比的偏离或杂质缺陷对晶粒的影响，以及施主和受主在晶界形成的界面势垒，从

21、而使陶瓷体的电导率由10-10S/m提高到10-810-5S/m之间。这种半导体的电导率受外界条件，如温度、电场、光照、气氛、湿度的影响可能发生显著变化。利用这种敏感特性可制造各种敏感元件和传感器。其中以电导率特性直接应用于敏感电阻器最为成功。即以半导瓷为主的热敏电阻。,2007,2.湿敏及气敏陶瓷材料 敏感陶瓷材料在微传感器方面的另一种应用方式是利用粒体的某些特殊性质。例如，利用陶瓷上的孔隙，让水蒸汽或气体通过这些气孔，在陶瓷内部扩散并吸附于粒界表面，将引起界面导电率的变化，从而研制出新型的敏感元件。3.2.3高分子敏感材料 高分子，也称聚合物或高聚物，是由成千上万个原子通过共价键连接而成的

22、分子量很大（几万到几百万）的一类分子。高分子材料，顾名思义，便是以高分子化学物为主要原理，加入各种填料或助剂制成的材料。高分子材料既包括常见的塑料、橡胶、纤维（三者并称三大合成材料），也包括人们经常使用的涂料、黏合剂，以及功能高分子材料，如离子交换树脂（用于水净化）、生物高分子材料（用于人造器官）等。,2007,与比较成熟的金属功能材料、半导体材料和敏感陶瓷材料相比，高分子功能材料属后起之秀。高分子功能材料能把大多数非电信号转变成电信号。1.有机高分子湿敏材料 利用有机高分子材料的自身亲水特性，将适量的导电微粒均匀地与其混合，可制成高分子感湿材料。2.有机高分子气敏材料 有机高分子材料还可作为

23、气体微传感器的敏感材料，具有灵敏度高、选择性好、能在常温或较低温度下使用等一系列优点。由于有机化合物便于修饰，可以按功能所需进行分子设计和合成，因此随着薄膜技术及微电子技术的发展，有机高分子气体微传感器在敏感材料的成膜工艺、结构设计、信号检出等方面都有所突破，成为气体微传感器中很重要的一个分支。,2007,3.有机高分子压电材料 高分子压电材料的发展为力学量微传感器的研制提供了一种新的材料。自1969年河谷川发现聚偏二氟乙烯（PVDF）压电性以来，高分子力学量微传感器的研究开发获得迅速发展。3.2.4磁性材料 固体的磁特性与原子中电子的特性有关。磁性材料可被用作将磁通量限定在确定的体积范围内的

24、结构元件。此外，在微传感器中，可用于检测一些磁参量，此时被检测的磁参量能改变另一些物理特性，如磁敏电阻的电导率，还可用于检测能改变磁性的一些物理量，如温度和机械应力等。3.2.5微传感器的封装,金属应变片式传感器金属丝式应变片金属箔式应变片压阻式传感器压阻效应晶向、晶面的表示方法压阻系数固态压阻传感器,应变式传感器,优点：精度高，测量范围广 频率响应特性较好 结构简单，尺寸小，重量轻 可在高(低)温、高速、高压、强烈振动、强磁场及核辐射和化学腐蚀等恶劣条件下正常工作 易于实现小型化、固态化 价格低廉，品种多样，便于选择,一、金属应变片式传感器 金属应变片式传感器的核心元件是金属应变片，它可将试

25、件上的应变变化转换成电阻变化。,缺点：具有非线性，输出信号微弱，抗干扰能力较差，因此信号线需要采取屏蔽措施；只能测量一点或应变栅范围内的平均应变，不能显示应力场中应力梯度的变化等；不能用于过高温度场合下的测量。,(一)金属丝式应变片1、应变效应 当金属丝在外力作用下发生机械变形时，其电阻值将发生变化，这种现象称为金属的电阻应变效应。设有一根长度为l、截面积为S、电阻率为的金属丝，其电阻R为 两边取对数，得等式两边取微分，得 电阻的相对变化；电阻率的相对变化；金属丝长度相对变化，用表示，=称为金属丝长度方向上的应变或轴向应变；截面积的相对变化。,dr/r为金属丝半径的相对变化，即径向应变为r。,

26、S=r 2,dS/S=2dr/r,r=,由材料力学知,将微分dR、d改写成增量R、，则,金属丝电阻的相对变化与金属丝的伸长或缩短之间存在比例关系。比例系数KS称为金属丝的应变灵敏系数。,物理意义：单位应变引起的电阻相对变化。KS由两部分组成：前一部分是（1+2），由材料的几何尺寸变化引起，一般金属0.3，因此（1+2）1.6；后一部分为，电阻率随应变而引起的（称“压阻效应”）。对金属材料，以前者为主，则KS 1+2；对半导体，KS值主要由电阻率相对变化所决定。实验表明，在金属丝拉伸比例极限内，电阻相对变化与轴向应变成正比。通常KS在1.83.6范围内。,2,3,4,1,电阻应变片结构示意图,b

27、,l,2、应变片的结构与材料 由敏感栅1、基底2、盖片3、引线4和粘结剂等组成。这些部分所选用的材料将直接影响应变片的性能。因此，应根据使用条件和要求合理地加以选择。,（1）敏感栅由金属细丝绕成栅形。电阻应变片的电阻值为60、120、200等多种规格，以120最为常用。应变片栅长大小关系到所测应变的准确度，应变片测得的应变大小是应变片栅长和栅宽所在面积内的平均轴向应变量。,栅长,栅宽,（2）基底和盖片基底用于保持敏感栅、引线的几何形状和相对位置，盖片既保持敏感栅和引线的形状和相对位置，还可保护敏感栅。基底的全长称为基底长，其宽度称为基底宽。,（3）引线 是从应变片的敏感栅中引出的细金属线。对引

28、线材料的性能要求：电阻率低、电阻温度系数小、抗氧化性能好、易于焊接。大多数敏感栅材料都可制作引线。,（4）粘结剂 用于将敏感栅固定于基底上，并将盖片与基底粘贴在一起。使用金属应变片时，也需用粘结剂将应变片基底粘贴在构件表面某个方向和位置上。以便将构件受力后的表面应变传递给应变计的基底和敏感栅。,3、主要特性（1）灵敏度系数金属应变丝的电阻相对变化与它所感受的应变之间具有线性关系，用灵敏度系数KS表示。当金属丝做成应变片后，其电阻应变特性，与金属单丝情况不同。因此，须用实验方法对应变片的电阻应变特性重新测定。实验表明，金属应变片的电阻相对变化与应变在很宽的范围内均为线性关系。即K为金属应变片的灵

29、敏系数。注意，K是在试件受一维应力作用，应变片的轴向与主应力方向一致，且试件材料的泊松比为0.285的钢材时测得的。测量结果表明，应变片的灵敏系数K恒小于线材的灵敏系数KS。原因：胶层传递变形失真，横向效应也是一个不可忽视的因素。,丝绕式应变片敏感栅半圆弧形部分,b,O,l,r,r,dl,d,0,（2）横向效应 金属应变片由于敏感栅的两端为半圆弧形的横栅，测量应变时，构件的轴向应变使敏感栅电阻发生变化，其横向应变r也将使敏感栅半圆弧部分的电阻发生变化(除了起作用外)，应变片的这种既受轴向应变影响，又受横向应变影响而引起电阻变化的现象称为横向效应。,图为 应变片敏感栅半圆弧部分的形状。沿轴向应变

30、为，沿横向应变为r。,若敏感栅有n根纵栅，每根长为l，半径为r，在轴向应变作用下，全部纵栅的变形视为L1半圆弧横栅同时受到和r的作用，在任一微小段长度d l=r d上的应变可由材料力学公式求得 每个圆弧形横栅的变形量l为纵栅为n根的应变片共有n-1个半圆弧横栅，全部横栅的变形量为,L1=n l,应变片敏感栅的总变形为敏感栅栅丝的总长为L，敏感栅的灵敏系数为KS，则电阻相对变化为令 则 可见，敏感栅电阻的相对变化分别是和r作用的结果。,当r=0时，可得轴向灵敏度系数同样，当=0时，可得横向灵敏度系数横向灵敏系数与轴向灵敏系数之比值，称为横向效应系数H。即 由上式可见，r愈小，l愈大，则H愈小。即

31、敏感栅越窄、基长越长的应变片，其横向效应引起的误差越小。,（3）机械滞后 应变片粘贴在被测试件上，当温度恒定时，其加载特性与卸载特性不重合，即为机械滞后。产生原因：应变片在承受机械应变后，其内部会产生残余变形，使敏感栅电阻发生少量不可逆变化；在制造或粘贴应变片时，如果敏感栅受到不适当的变形或者粘结剂固化不充分。,机械滞后值还与应变片所承受的应变量有关，加载时的机械应变愈大，卸载时的滞后也愈大。所以，通常在实验之前应将试件预先加、卸载若干次，以减少因机械滞后所产生的实验误差。,（4）零点漂移和蠕变 对于粘贴好的应变片，当温度恒定时，不承受应变时，其电阻值随时间增加而变化的特性，称为应变片的零点漂

32、移。产生原因：敏感栅通电后的温度效应；应变片的内应力逐渐变化；粘结剂固化不充分等。如果在一定温度下，使应变片承受恒定的机械应变，其电阻值随时间增加而变化的特性称为蠕变。一般蠕变的方向与原应变量的方向相反。产生原因：由于胶层之间发生“滑动”，使力传到敏感栅的应变量逐渐减少。这是两项衡量应变片特性对时间稳定性的指标，在长时间测量中其意义更为突出。实际上，蠕变中包含零漂，它是一个特例。,（5）应变极限在一定温度下，应变片的指示应变对测试值的真实应变的相对误差不超过规定范围（一般为10%）时的最大真实应变值。在图中，真实应变是由于工作温度变化或承受机械载荷，在被测试件内产生应力(包括机械应力和热应力)

33、时所引起的表面应变。,主要因素：粘结剂和基底材料传递变形的性能及应变片的安装质量。制造与安装应变片时，应选用抗剪强度较高的粘结剂和基底材料。基底和粘结剂的厚度不宜过大，并应经过适当的固化处理，才能获得较高的应变极限。,（6）动态特性 当被测应变值随时间变化的频率很高时，需考虑应变片的动态特性。因应变片基底和粘贴胶层很薄，构件的应变波传到应变片的时间很短(估计约0.2s)，故只需考虑应变沿应变片轴向传播时的动态响应。设一频率为 f 的正弦应变波在构件中以速度 v 沿应变片栅长方向传播，在某一瞬时 t，应变量沿构件分布如图所示。,应变片对应变波的动态响应,0,应变片,1,l,x1,x,设应变波波长

34、为，则有=v/f。应变片栅长为L，瞬时t时应变波沿构件分布为 应变片中点的应变为 xt为t瞬时应变片中点的坐标。应变片测得的应变为栅长 l 范围内的平均应变m，其数值等于 l 范围内应变波曲线下的面积除以 l，即,平均应变m与中点应变t相对误差为,由上式可见，相对误差的大小只决定于 的比值，表中给出了为1/10和1/20时的数值。,由表可知，应变片栅长与正弦应变波的波长之比愈小，相对误差愈小。当选中的应变片栅长为应变波长的（1/101/20）时，将小于2%。因为式中 应变波在试件中的传播速度；f应变片的可测频率。取，则若已知应变波在某材料内传播速度，由上式可计算出栅长为L的应变片粘贴在某种材料

35、上的可测动态应变最高频率。,4、温度误差及其补偿（1）温度误差 用作测量应变的金属应变片，希望其阻值仅随应变变化，而不受其它因素的影响。实际上应变片的阻值受环境温度(包括被测试件的温度)影响很大。由于环境温度变化引起的电阻变化与试件应变所造成的电阻变化几乎有相同的数量级，从而产生很大的测量误差，称为应变片的温度误差，又称热输出。因环境温度改变而引起电阻变化的两个主要因素：应变片的电阻丝(敏感栅)具有一定温度系数；电阻丝材料与测试材料的线膨胀系数不同。,设环境引起的构件温度变化为t（）时，粘贴在试件表面的应变片敏感栅材料的电阻温度系数为t，则应变片产生的电阻相对变化为 由于敏感栅材料和被测构件材

36、料两者线膨胀系数不同，当t 存在时，引起应变片的附加应变，其值为 e试件材料线膨胀系数；g敏感栅材料线膨胀系数。,相应的电阻相对变化为K应变片灵敏系数。,温度变化形成的总电阻相对变化：相应的虚假应变为上式为应变片粘贴在试件表面上，当试件不受外力作用，在温度变化t 时，应变片的温度效应。用应变形式表现出来，称之为热输出。可见，应变片热输出的大小不仅与应变计敏感栅材料的性能(t,g)有关，而且与被测试件材料的线膨胀系数(e)有关。,金属箔式应变片,（二）金属箔式应变片 箔式应变片的工作原理基本和电阻丝式应变片相同。它的电阻敏感元件不是金属丝栅，而是通过光刻、腐蚀等工序制成的薄金属箔栅，故称箔式电阻

37、应变片，如图。金属箔的厚度般为(0.0030.010)mm，它的基片和盖片多为胶质膜，基片厚度一般为(0.030.05)mm。,金属箔式应变片和丝式应变片相比较，有如下特点。金属箔栅很薄，因而它所感受的应力状态与试件表面的应力状态更为接近。其次，当箔材和丝材具有同样的截面积时，箔材与粘接层的接触面积比丝材大，使它能更好地和试件共同工作。第三，箔栅的端部较宽，横向效应较小，因而提高了应变测量的精度。箔材表面积大，散热条件好，故允许通过较大电流，因而可以输出较大信号，提高了测量灵敏度。箔栅的尺寸准确、均匀，且能制成任意形状，特别是为制造应变花和小标距应变片提供了条件，从而扩大了应变片的使用范围。便

38、于成批生产。缺点：电阻值分散性大，有的相差几十，故需要作阻值调整；生产工序较为复杂，因引出线的焊点采用锡焊，因此不适于高温环境下测量；此外价格较贵。,二、压阻式传感器是利用硅的压阻效应和微电子技术制成的，是一种新的物性型传感器。优点：灵敏度高、动态响应好、精度高、易于微型化和集成化等。,（一）压阻效应 单晶硅材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象被称为压阻效应。,对半导体材料,对金属材料,电阻相对变化量,由于E一般都比（1+2）大几十倍甚至上百倍，因此引起半导体材料电阻相对变化的主要原因是压阻效应，所以上式可近似写成 式中 压阻系数；E弹性模量；应力；应变。上式表明压阻传感器的工

39、作原理是基于压阻效应。扩散硅压阻式传感器的基片是半导体单晶硅。单晶硅是各向异性材料，取向不同其特性不一样。而取向是用晶向表示的，所谓晶向就是晶面的法线方向。,（二）晶向、晶面的表示方法 结晶体是具有多面体形态的固体，由分子、原子或离子有规则排列而成。这种多面体的表面由称为晶面的许多平面围合而成。晶面与晶面相交的直线称为晶棱，晶棱的交点称为晶体的顶点。为了说明晶格点阵的配置和确定晶面的位置，通常引进一组对称轴线，称为晶轴，用X、Y、Z表示。,硅为立方晶体结构，就取立方晶体的三个相邻边为X、Y、Z。在晶轴X、Y、Z上取与所有晶轴相交的某晶面为单位晶面，如图5.1-19所示。,此晶面与坐标轴上的截距

40、为OA、OB、OC。已知某晶面在X、Y、Z轴上的截距为OAx、OBy、OCz，它们与单位晶面在坐标轴截距的比可写成 式中，p、q、r为没有公约数(1除外)的简单整数。为了方便取其倒数得式中，h、k、l也为没有公约数（1除外）的简单整数。依据上述关系式，可以看出截距OAx、OBy、OCz的晶面，能用三个简单整数h、k、l来表示。h、k、l称为密勒指数。,而晶向是晶面的法线方向，根据有关的规定，晶面符号为(hkl)，晶面全集符号为hkl，晶向符号为 hkl，晶向全集符号为hkl。晶面所截的线段对于X轴，O点之前为正，O点之后为负；对于Y轴，O点右边为正，O点左边为负；对于Z轴，在O点之上为正，O点

41、之下为负。依据上述规定的晶体符号的表示方法，可用来分析立方晶体中的晶面、晶向。在立方晶体中，所有的原子可看成是分布在与上下晶面相平行的一簇晶面上，也可看作是分布在与两侧晶面相平行的一簇晶面上，要区分这不同的晶面，需采用密勒指数来对晶面进行标记。晶面若在X、Y、Z轴上截取单位截距时，密勒指数就是1、1、1。故晶面、晶向、晶面全集及晶体全集分别表示为(1 1 1)、1 1 1、1 1 1、1 1 1。,若晶面与任一晶轴平行，则晶面符号中相对于此轴的指数等于零，因此与X轴相交而平行于其余两轴的晶面用(1 0 0)表示，其晶向为1 0 0；与Y轴相交面平行于其余两轴的晶面为(0 1 0)，其晶向为0

42、1 0；与Z轴相交而平行于X、Y轴的晶面为(0 0 1)，晶向为0 0 1。同理，与X、Y轴相交而平行于Z轴的晶面为(1 1 0)，其晶向为1 1 0；其余类推。硅立方晶体内几种不同晶向及符号如图。,对于同一单晶，不同晶面上原子的分布不同。如硅单晶中，(1 1 1)晶面上的原子密度最大，(1 0 0)晶面上原子密度最小。各晶面上的原子密度不同，所表现出的性质也不同，如(1 1 1)晶面的化学腐蚀速率为各向同性，而(1 0 0)晶面上的化学腐蚀速率为各向异性。,单晶硅是各向异性的材料，取向不同，则压阻效应也不同。硅压阻传感器的芯片，就是选择压阻效应最大的晶向来布置电阻条的。同时利用硅晶体各向异性

43、、腐蚀速率不同的特性，采用腐蚀工艺来制造硅杯形的压阻芯片。,（三）压阻系数1、压阻系数的定义半导体电阻的相对变化近似等于电阻率的相对变化，而电阻率的相对变化与应力成正比，二者的比例系数就是压阻系数。即单晶硅的压阻系数矩阵为,2007,（100）晶面上的压阻系数曲线,2007,单晶硅压阻系数：当单晶硅受到一定的应力时，其电阻率随应力变化具有线性关系。压阻效应的各向异性：半导体压力传感器一般常选用（001）、（011）、（211）三个晶面，因为在这三个晶面上都具有某一个或几个晶向上压阻系数较大的特点。,2007,多向应力作用在单晶硅上，由于压阻效应，硅晶体的的电阻率变化，引起电阻的变化，其相对变化

44、dR/R与应力的关系如下式。在正交坐标系中，坐标轴与晶轴一致时，有 式中 l纵向应力；t横向应力；s与l、t垂直方向上的应力；l、t、s分别为l、t、s相对应的压阻系数，l表示应力作用方向与通过压阻元件电流方向一致时的压阻系数，t表示应力作用方向与通过压阻元件电流方向垂直时的压阻系数。,当坐标轴与晶轴方向有偏离时，再考虑到ss，一般扩散深度为数微米，垂直应力较小可以忽略。因此电阻的相对变化量可由下式计算（5.1-56）式中 l、t值可由纵向压阻系数11、横向压阻系数12、剪切压阻系数44的代数式计算，即（5.1-57）（5.1-58）式中 l1、m1、n1压阻元件纵向应力相对于立方晶轴的方向余

45、弦；l2、m2、n2横向应力相对于立方晶轴的方向余弦；11、12、44单晶硅独立的三个压阻系数，它们由实测获得数据，在室温下，其数值见表5.1-3。,表5.1-3 11、12、55的数值（10-11m2/N）,从上表中可以看出，对于P型硅，44远大于11和12，因而计算时只取44；对于N型硅，44较小，11最大，1211/2，因而计算时只取11和12。,2、影响压阻系数的因素 影响压阻系数因素：扩散电阻的表面杂质浓度和温度。扩散杂质浓度NS增加时，压阻系数就会减小。压阻系数与扩散电阻表面杂质浓度NS的关系如图。,120,140,100,80,60,40,20,1018,1019,1020,10

46、21,表面杂质浓度NS/cm-3,P型Si(44),N型Si(-11),11或 44/10-11m2/N,T=24,压阻系数与表面杂质浓度NS的关系,表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得快；表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得慢，如图。为了降低温度影响，扩散电阻表面杂质浓度高些较好，但扩散表面杂质浓度高时，压阻系数要降低。N型硅的电阻率不能太低，否则，扩散P型硅与衬底N型硅之间，PN结的击穿电压就要降低，而使绝缘电阻降低。因此，采用多大表面杂质浓度进行扩散为宜，需全面考虑,是以某些电介质的压电效应为基础，在外力作用下，在电介质的表面上产生电荷，从而实现非电量测量。压电传感元件是力敏

47、感元件，所以它能测量最终能变换为力的那些物理量，例如力、压力、加速度等。压电式传感器具有响应频带宽、灵敏度高、信噪比大、结构简单、工作可靠、重量轻等优点。近年来，由于电子技术的飞速发展，随着与之配套的二次仪表以及低噪声、小电容、高绝缘电阻电缆的出现，使压电传感器的使用更为方便。因此，在工程力学、生物医学、石油勘探、声波测井、电声学等许多技术领域中获得了广泛的应用。,第四节 压电式传感器,一、压电效应正压电效应（顺压电效应）：某些电介质，当沿着一定方向对其施力而使它变形时，内部就产生极化现象，同时在它的一定表面上产生电荷，当外力去掉后，又重新恢复不带电状态的现象。当作用力方向改变时，电荷极性也随

48、着改变。逆压电效应（电致伸缩效应）：当在电介质的极化方向施加电场，这些电介质就在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电场撤去时，这些变形或应力也随之消失的现象。,电能,机械能,正压电效应,逆压电效应,（一）石英晶体的压电效应天然结构石英晶体的理想外形是一个正六面体，在晶体学中它可用三根互相垂直的轴来表示，其中纵向轴ZZ称为光轴；经过正六面体棱线，并垂直于光轴的XX轴称为电轴；与XX轴和ZZ轴同时垂直的YY轴（垂直于正六面体的棱面）称为机械轴。,Z,X,Y,(a),(b),石英晶体(a)理想石英晶体的外形(b)坐标系,Z,Y,X,通常把沿电轴XX方向的力作用下产生电荷的压电效应称为“纵向压电

49、效应”，而把沿机械轴YY方向的力作用下产生电荷的压电效应称为“横向压电效应”，沿光轴ZZ方向受力则不产生压电效应。,石英晶体具有压电效应，是由其内部结构决定的。组成石英晶体的硅离子Si4+和氧离子O2-在Z平面投影，如图(a)。为讨论方便，将这些硅、氧离子等效为图(b)中正六边形排列，图中“”代表Si4+，“”代表2O2-。,(b),(a),+,+,-,-,-,Y,X,X,Y,硅氧离子的排列示意图(a)硅氧离子在Z平面上的投影（b）等效为正六边形排列的投影,+,当作用力FX=0时，正、负离子（即Si4+和2O2-）正好分布在正六边形顶角上，形成三个互成120夹角的偶极矩P1、P2、P3，如图（

50、a）所示。此时正负电荷中心重合，电偶极矩的矢量和等于零，即 P1P2P30,当晶体受到沿X方向的压力（FX0,在Y、Z方向上的分量为（P1+P2+P3）Y=0（P1+P2+P3）Z=0由上式看出，在X轴的正向出现正电荷，在Y、Z轴方向则不出现电荷。,Y,+,+,+,-,-,-,X,(a)FX=0,P1,P2,P3,FX,X,Y,+,+,+,+,FX,(b)FX0,+,+,+,-,-,-,P1,P2,P3,可见，当晶体受到沿X(电轴)方向的力FX作用时，它在X方向产生正压电效应，而Y、Z方向则不产生压电效应。晶体在Y轴方向力FY作用下的情况与FX相似。当FY0时，晶体的形变与图（b）相似；当FY