模拟电子技术基础PPT电子课件教案第二章 半导体二极管及其基本电路(用3学时).ppt

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1、第二章 半导体二极管及其基本电路,返回,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,第二章 半导体二极管及其本电路,对你的期望：,3、掌握二极管外特性、基本电路及分析方法、应用；,4、正确理解二极管工作原理、主要参数、使用方法；,1、了解PN结的形成；,2、掌握以下基本概念：空穴、多子、少子、扩散运动、漂移运动、PN结正偏、PN结反偏；,5、掌握稳压管工作原理及使用；,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电

2、路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,2.1 半导体的基本知识,2.1.1 半导体,2.1.2 本征半导体,2.1.3 掺杂半导体,2.1.4 杂质半导体示意图,2.1.1 半导体,物质的导电性能决定于原子结构，最外层电子数目越少，导电性能越强,导 体：一般是低价元素，如铜、铁、铝,绝缘体:一般为高价元素（如惰性气体）或高分子物质（如塑料或橡胶）,半导体：它的导电性能是介于导体和绝缘体之间 的,常用半导体材料：硅(Si)和锗(Ge)，它们均为四价元素,半导体的导电特性：,(可做成温度敏感元件，如热敏电阻),掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变。,光敏性：当受到

3、光照时，导电能力明显变化。(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。,热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。,(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。,2.1.2 本征半导体,完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。,晶体中原子的排列方式,硅单晶中的共价健结构,共价健,共价键中的两个电子，称为价电子。,价电子,本征半导体的导电机理,空穴,自由电子,当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流：1）自由电子作定向运动 电子电流 2）价电子递补空穴 空穴电流,注意：1.本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；2.温度愈高，载流

4、子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。,自由电子和空穴都称为载流子。,2.1.3 掺杂半导体(N型半导体和P型半导体）,多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,失去一个电子变为正离子,N 型半导体：多子自由电子少子空穴,硼原子,接受一个电子变为负离子,空穴,P 型半导体：多子空穴少子自由电子,2.1.3 掺杂半导体,2.1.4 N型半导体和 P 型半导体示意表示法,P 型半导体,N 型半导体,1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。,2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。,3.当温度升高时，少子的数量（a.

5、减少、b.不变、c.增多）。,a,b,c,4.在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是，N 型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）,b,a,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,2.2 PN结的形成及特性,2.2.1 PN 结的形成,2.2.2 PN 结的单向导电性,2.2.3 PN 结的反向击穿,2.2.4 PN 结的结电容效应(自学了解),P 型半导体,N 型半导体,2.2.1 PN 结的形成,形成空间电荷区,扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空

6、间电荷区越宽。,内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,2.2.1 PN 结的形成,所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。,2.2.1 PN 结的形成,因浓度差,空间电荷区形成内电场,内电场促使少子漂移,内电场阻止多子扩散,最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。,多子的扩散运动,由杂质离子形成空间电荷区,在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。,PN结的形成,2.2.2 PN结单向导电性,2.2.2 PN结的单向导电性,1.PN 结加正向电压（正向偏置）,P接正、N接负,IF,P

7、N 结加正向电压时，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。,2.PN 结加反向电压（反向偏置）,IR,P接负、N接正,P,N,+,+,+,温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。,PN 结加反向电压时，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。,3.结论：,PN结具有单向导电性。,PN结加正向电压时，正向导通：电阻值很小，具有较大的正向导通电流，开关闭合,PN结加反向电压时，反向截止：呈现高电阻，具有较小反向饱和电流，开关断开,4.PN结V-I特性表示式：,（二极管特性方程）,2.2.3 PN结的反向击穿,当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称

8、为PN结的反向击穿。,2.2.4 PN结电容效应（自学了解）,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,2.3 半导体二极管,2.3.1 基本结构,2.3.2 伏安特性,2.3.3 主要参数,2.3 半导体二极管,2.3.1 基本结构,(a)点接触型,(b)面接触型,(c)平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,2.3 半导体二极管,二极管的结构示意图,符号：,D,2.3 半导体二极管,伏安特性实验电路,2.3.2 伏安特性,2.3.

9、2 伏安特性,硅管0.5V,锗管0.1V。,反向击穿电压U(BR),导通压降,外加电压大于死区电压二极管才能导通。,外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。,正向特性,反向特性,特点：非线性,硅0.60.8V,锗0.20.3V。,死区电压,反向电流在一定电压范围内保持常数。,2.3.3 主要参数,1.最大整流电流 IF,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2.反向击穿电压 VBR,3.反向电流 IR,二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。最大反向工作电压VRM实际工作时，为安全：VRM VBR/2，,在室温及规定的反向电压下的反向电流值。硅管：(nA)级；锗

10、管：(A)级。,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.4.1 半导体二极管等效模型：,1 理想模型：,理想二极管,2 恒压降模型：,2.4.2 二极管电路分析,定性分析：判断二极管的工作状态,导通截止,分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位。,若 V阳 V阴，二极管导通若 V阳 V阴，二极管截止,若 V阳 V阴+VF，二极管导通若 V阳 V阴+VF，二极管截止,理想模型：,恒压模型：,电路如图，求：UAB,V阳=6 V V阴=

11、12 V V阳V阴 二极管导通,例1：,取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,在这里，二极管起钳位作用。,（1）理想模型：UAB=6V（2）恒压降模型：UAB=6.3或6.7V,+,-,V1阳=6 V，V2阳=0 V，V1阴=V2阴=12 VUD1=6V，UD2=12V UD2 UD1 D2 优先导通,例2:,UD1=6 V,D1、D2为理想二极管，求：二极管电压和电流,在这里，D2 起钳位作用，D1起隔离作用。,UD2=0 V,V1阴=0 V,D1截止。,例 3：电路如图，(设D为理想二极管）判断管子工作状态，并求输出电压。,v a=12Vv b=-15V,v ab=

12、v a-v b=27V0,D导通v AO=-15V,v a1=v a2=12Vv b1=15V v b2=0V,v ab1=-3V0,D2导通、D1截止v AO=0V,v a1=v a2=12Vv b1=0V v b2=-4V,v ab1=12V0v ab2=16V0,D2导通,v ab1=-4V0,D1截止,ui 8V，二极管导通,已知：二极管是理想的，试画出 uo 波形。,8V,例4：,二极管的用途：整流、检波、限幅、箝位、开关、元件保护、温度补偿等。,参考点,VD阴=8 V;VD阳=ui,uo=8V,uo=ui,ui 8V，二极管截止,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基

13、本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,2.5 特殊二极管,利用二极管电容效应。多用于高频技术,光电二极管,特点：抗干扰能力强，传输信息量大、传输损耗小且工作可靠。在信号传输和存储等环节中多用。,导通电流为2mA-10mA（20mA）导通电压为1V-2V,发光二极管,常见有红、绿、黄三种颜色。主要用于显示,主要应用于小功率光电设备中。如：光盘驱动器和激光打印机的打印头等。,激光二极管,2.5.1 稳压二极管,1.符号,UZ,IZ,IZM,UZ,IZ,2.伏安特性,稳压管正常工作时加反向电压,使用时要加限流电阻,+,稳压管反向

14、击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。,3.主要参数,(1)稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。,(2)电压温度系数 环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。,(3)动态电阻,(4)稳定电流 IZ、最大稳定电流 IZM,(5)最大允许耗散功率 PZM=UZ IZM,rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。,4.基本稳压电路,稳压管工作必要条件：工作在反向击穿状态 串入电阻R IZmin IZ IZmax,3.上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ，VO的波形是怎样的？,思考：,1.若稳压管极性接反,会出现什么问题?2.电阻R的作用是

15、什么？不加可不可以？,5.选管的原则,例.电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。,思考题：,、电路中，3为理想二极管，、灯泡全同，则最亮的灯为哪个？、为理想二极管，当用普通指针式万用表置档，用黑表笔接，红表笔接，则万用表指示值为多少？,3.两个稳压管稳压值分别为6V、7V且它们的正向导通压降为0.6V。则两管串联时可能有几种输出电压。两管并联时又可能有几种输出电压。,思考题:,4.稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA。求电路中UO1和UO2?,串联,并联,MajpjMVcyzj21HLf

16、rvy96dv02lPPfYgxUS7IYmZkyEmZ0kGeYZS3bpLCkYH1lt4EK7CxmUX3ijoYSOer7ZuaVWYgz4EpZrUirVpMzzvNtf1XZw5oswSXOtFaejnOcmfE1lZgnN1RSXg8wLCG8CVQ3XPJMvodPFWcpiYJgZazNSEPNIaklYSu7qSd1UpaxmZDlpN9zW7kljfsLCLi26Yv109ffbnDH8LbUN1G6ACURQ39eG12KHL9tXsZ1jzgoCK8g1kuNOh5eFvcmVT5ZYVQt9zk3rp3qLnf02FovEXxVRxjCcFRNppiJljNiOuk

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