第3章 电容式传感器 2(1).ppt
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1、1,第3章电容式传感器,传感器原理,北京化工大学信息科学与技术学院测控系,2,第3章 电容式传感器,第一节 电容及结构 一、电容 二、结构 三、电容式传感器工作原理 1、变极距型电容传感器 2、变面积型电容传感器 3、变介质型电容传感器第二节 应用中存在的问题及改进的措施 一、等效电路 二、边缘效应 三、静电引力 四、寄生电容 五、温度影响,电容式,传感器原理,3,第三节 电容传感器的测量电路 一、交流电桥 二、充放电电路 三、谐振电路 四、脉冲宽度调制电路第四节 电容传感器的应用 一、电容式位移传感器 二、电容式加速度传感器 三、电容式力和压力传感器 四、电容式物位传感器 五、涡街流量计,电
2、容式,传感器原理,4,第3章 电容式传感器,电容式传感器是将被测量的变化转换为电容量变化的一种传感器。,电容式传感器的特点,电容式传感器应用于,结构简单分辨率高非接触测量能在高温、辐射和强烈震动等恶劣条件下工作,压力位移加速度液位成分等测量,5,第一节 电容及结构 一、电容 1、导体的电容 2、电容器的电容 二、结构 三、电容式传感器工作原理 1、变极距型电容传感器 2、变面积型电容传感器 3、变介质型电容传感器,6,第一节 电容及结构,一、电容 1、导体的电容,导体在静电平衡状态下是一个等电势体。然而对孤立带电导体来说,它的电势 U(孤立导体的电势)和所带的电量 q 的大小成正比;,对于同一
3、个导体来说,它的电容是一个常量它与导体本身的大小、形状有关它与导体的材质、和它所带电量的多少、是否带电无关,导体的电容在数值上等于使该导体得到单位电势时所必须给予的电量。,孤立带电导体所带的电量 q 与其电势 U 比值称为导体的电容,即,7,在国际单位制中,电容的单位称为法拉,简称法,符号为F。,如:导体所带电荷为1库仑C,电势为1伏特V,则该导体的电容为1法拉F。即:,孤立导体的电势就是该导体与无穷远处的电势差孤立导体的电容可理解为该导体与无穷远处的极板所构成的电容器的电容。,在实际中,孤立导体的电容(目前)是没有应用意义的。,8,2、电容器的电容,两个任意形状的带有等值异号电荷的导体组合为
4、电容器,这两个导体称为电容器的极板。,电容器的组成通常电容器由两个金属极板和介于中间的介质所组成,电容器电容C的定义电容器电容C为:电容器一个极板所带电荷 q(指绝对值)和两个极板的电势差UA UB(不是某一极板的电势)之比,即:,电容器的电容是描述电容器本身电容性质的物理量,9,(1)平板电容器,平板电容器由绝缘介质分开的两个平行金属板组成,如下图。,当忽略边缘效应影响时,其电容量C 为:,式中:C 电容量(F 法)0 真空介电常数(8.8510-12F/m)r 电容极板间介质的相对介电常数 电容极板间介质的介电常数 电容极板间距离(m)A 电容极板的有效面积(m2),(式3-1),10,介
5、电常数r,介电常数是表征电介质的物理量,当电容器中充满电介质时,其电容量通常比真空时大,电容器充满均匀电介质时的电容值 Cr 与其为真空时的电容值C0 之比等于电介质的介电常数,电介质是电绝缘体的学名,r=Cr/C0,11,由式可见、r、A 某一项或某几项变化时都会引起电容 C 的变化;这些量的变化可以间接反映线位移角位移压力加速度液面高度材料厚度等物理量的变化,通过测量电路可把电容量的变化转换成统一的电量输出。,12,以电容极板间距离为变化量,可组成变极距型电容传感器,电容式传感器分为:变极距型、变面积A型、变介质r 型,以电容极板的有效面积A 为变化量,可组成变面积型电容传感器,以电容极板
6、间介质的介电常数 r 为变化量,可组成变介质型电容传感器,13,(2)球形电容器,球形电容器是由半径分别为RA、RB的两个同心球壳组成,两个球壳间充满介质,介质的电介常数为0(空气);如图所示。其电容为:,若RBRA,则,实际地球所组成的电容器为孤立导体球形电容器,其电容为:,地球半径R6106m地球的电容为:C667F,14,(3)柱形电容器,柱形电容器是由半径分别为RA、RB的两个同轴柱形壳组成,两个柱形间充满介电常数为0 的介质(空气),如图所示。其电容为:,15,(4)平行直导线形电容器,平行直导线形电容器是由半径分别为r 的两条平行的“无限长”直导线A、B 组成,其间相距为d(dr)
7、,且其间充满介电常数为0 的介质,如图所示。其电容为:,式中:d 导线A、导线B间距离r 导线截面半径 0 导线间电介质介电常数,16,二、结构,线位移平板形,型变极距,角位移平板形,单组式,差动式,17,型变介质,单组式,差动式,线位移平板形,线位移圆柱形,18,A型变面积,单组式,差动式,线位移平板形,线位移圆柱形,角位移平板形,角位移圆柱形,19,(a),(b),(c),(d),(e),(f),(g),(h),(i),(j),(k),(l),变极距型:(a)、(e),变面积型:(b)、(c)、(d)、(f)、(g)、(h),变介电常数型:(i)(l),20,三、电容式传感器工作原理,1、
8、变极距型电容传感器,变极距型电容传感器的结构原理图如下图所示。,测量原理改变电容极距,被测量通过动极板的上下移动,引起两极板的极距 改变,从而得到电容量的变化。,图中:r 介质相对介电常数 A 电容极板的面积 两极板的极距,21,(1)变极距型电容传感器的初始电容 C0,式中:0 真空的介电常数 0=1/(3.6)(pF/cm)=8.8510-12F/m r 介质的相对介电常数 A 电容极板面积(m2)0 初始极距(m),(式3-2),电容传感器的初始电容量 C0为:,22,(2)变极距电容传感器电容量的变化C,当动极板因被测量变化而向上移动使0 减少 时电容量增大 C则电容为:,由上式可见传
9、感器输出特性C=f()是非线性的,如图所示。,(式3-3),电容C与极距之间的关系为反比关系C,C,(式3-3)减(式3-2)得电容量的变化C,(式3-2),23,(3)电容相对变化C/C0与极板间距相对变化/0的关系,如果满足条件(/0)1,(式3-4)可按级数展开成,(式3-5),略去高次(非线性)项,可得:,(式3-6),电容相对变化C/C0 与极板间距相对变化/0为近似线性关系,电容相对变化量C/C0为:,(式3-4),24,(4)灵敏度 K,(式3-8),灵敏度K为:,0 越小,灵敏度K越高灵敏度 K与初始极距0 的平方成反比,可用减少0 的办法来提高灵敏度。,由上式可见,例:电容压
10、力传感器取0=0.10.2mmC0 在20100 pF之间,25,(5)非线性误差ef,在前面的输入输出关系推导中,略去了高次项,其中非线性误差最大的项为二次项,因此,用该项(/)2与/比的百分比作为非线性误差ef,即:,(式3-9),26,0 减小,灵敏度 K 提高,对电容极板初极距0 的讨论,非线性误差的大小取决于/0 比值,比值小非线性误差小,因此,从非线性误差则要求比值越小越好,0 过小(在静电势较高时)能引起电容器击穿或短路,防止电容器击穿,极板间采用高介电常数的材料(云母、塑料膜等)作介质,起绝缘作用。,仅从一个方面考虑0 变化是不全面的,27,(6)实际上电容器均采用高介电常数的
11、材料(云母、塑料膜等)作介质,设:电容极板间有两种介质一种介质的相对介电常数r1(空气:r1=1),其介质厚度为1一种介质的相对介电常数r2(绝缘材料),其介质厚度为2则电容为:,由上式可见实际使用的电容器的电容量还与绝缘介质相对介电常数r2 和介质厚度1、2有关,(实际使用时,一般绝缘材料的介电常数r2和其厚度2为常数),28,(7)变极距型差动式电容器,下图为差动式结构,动极板置于两定极板之间。,当动极板为初始位置时,0=1=2,两边初始电容相等。,当动极板向上位移时两边极距为1=0-,2=0+两组电容一增一减,29,由(式3-4)、(式3-5)可得,(式3-11),(式3-4),(式3-
12、5),则电容总的相对变化量为:,30,变极距差动式结构电容总的相对变化量为:,略去高次项,可得近似的线性关系:,(式3-12),由于差动式结构,式中奇次方项被抵消。,31,差动式结构相对非线性误差ef 为:,(式3-13),灵敏度提高一倍非线性误差减小一个数量级(/1)由于结构上的对称,差动式还可有效地补偿温度变化造成的误差,差动式结构与单一式结构相比,单一式结构电容总的相对变化量为:,差动式结构电容总的相对变化量为:,单一结构相对非线性误差ef 为:,结论:,(式3-5),(式3-9),上式与(式3-5)、(式3-9)相比,差动式比单一式,32,2、变面积型电容传感器,变面积型电容传感器的结
13、构原理图如下图所示,测量原理改变电容极板的有效面积被测量通过极板的移动,引起两极板有效覆盖面积A改变,从而得到电容量的变化。,33,设动极板相对定极板沿长度 l0 方向平移l,则电容为:,(式3-14),式中:C0=0rb0 l0/0 初始电容C=0rb0 l/0 电容的变化量,(1)变面积电容传感器电容量的变化,电容的变化量为:,34,(式3-15),很明显变面积电容传感器输出特性呈线性适合于测量较大的直线位移和角位移,(2)变面积电容传感器电容的相对变化量,电容的相对变化量,35,(式3-16),必须指出以上讨论只是在初始极距0 精度保持不变时成立,否则将导致测量误差。为了减少这种影响,可
14、使用中间极板移动式结构。,(3)变面积电容传感器的灵敏度K,变面积电容传感器与变极距电容传感器相比,灵敏度较低,变极距电容传感器的灵敏度 k,36,3、变介质型电容传感器,测量原理改变电容极板间的介质,变介质型电容传感器的结构原理图如下图所示。,被测量是具有一定介电常数的非导电液体或固体,当被测介质进入极板时,引起两极板间电容的改变,从而得到电容量的变化。,37,两平行极板固定不动,极距0为常数,图中:l0、b0 极板长度和宽度 l 插入介质进入极板间的长度 r2 第二种介质的相对介电常数 r1 第一种介质的相对介电常数,(1)插入式变介质型电容,电介质插入式变介质型电容传感器结构示意图如下,
15、相对介电常数为r2 的介质(被测介质)以不同深度深入电容器的两个极板中,相对介电常数为r1 的介质(空气)所占极板空间随相对介电常数为r2 介质的深入电容器极板深度不同而不同,从而改变两种介质在有效极板内的覆盖面积(充盈面积),38,式中:l0、b0 极板长度和宽度 l 插入介质进入极板间的长度 r2 第二种介质的相对介电常数 r1 第一种介质的相对介电常数,(式3-19),在介质插入式变介质型电容传感器中传感器的总电容量C为两个电容C1和C2的并联,C1电介质为r1(空气)C2电介质为r2(被测量)总电容量C为:,39,若介质1为空气(0=r1=1)当 l=0 时(被测介质还没有进入电容极板
16、间)传感器的初始电容为:,当介质2(被测介质)进入极板,并深入深度为 l 后引起电容的相对变化 为:,(式3-20),由上式可见电容的相对变化与介质2(被测介质)的移入极板的深度l 成线性关系,(2)插入式变介质型电容的相对变化量,插入式变介质型电容传感器总电容量,40,这一测量原理还可用于非导电物料的物位测量。,如:非导电材料物位变介质型电容传感器的测量原理,就是将电容器极板插入被检测的介质中,随着罐装物料的增加,极板间被测的介质所覆盖面积增大,电容量变化;测出的电容量反映的是被测介质罐装量的高度 l。,这类电容传感器有较多的结构形式可用来测量纸张厚度、绝缘薄膜厚度粮食、纺织品、木材、煤等非
17、导电固体物质的湿度,41,第二节 应用中存在的问题及改进的措施 一、等效电路 二、边缘效应 三、静电引力 四、寄生电容 五、温度影响,42,第二节 应用中存在的问题及改进的措施,上一节对各种电容传感器的特性分析,都是在理想纯电容的条件下进行的。这在一般的理论分析时是可以的,但在实际应用中,特别是有较高测量精度的要求时,就应考虑电容传感器在高温、高湿、高频条件下工作而不可忽视其附加损耗和电效应等因素对实际测量造成误差的影响。,本节主要讨论电容的等效电路电容的边缘效应静电引力寄生电容温度对测量的影响,43,一、等效电路,实际上电容传感器不是一个纯电容,使用中应考虑其它因素的影响。电容传感器的等效电
18、路如图所示。,图中:C 为传感器电容CP 为寄生电容、边缘效应电容L 为电容器及引线电感RP 为低频损耗并联电阻,包括极板间漏电和介质耗损RS 为高频、高湿工作时的串联损耗电阻 包括导线、极板间和金属衬支座等损耗电阻,44,(式3-21),由上式求得电容传感器的有效电容 Ce为:,公式中的C包括等效电路中的C和Cp,等效电路的电抗为(为了计算方便,忽略Rs和Rp):,在实际应用中,特别是在高频时,要考虑等效电感 L的存在,它会引起传感器有效电容的变化,从而引起传感器有效灵敏度的改变。,分析如下:,45,由电容传感器的有效电容 Ce,对C求导得:,以变极距型电容传感器为例,由灵敏度公式 可得:理
19、想电容传感器的灵敏度k及有效灵敏度ke分别为:,则两者之比为:,46,电容传感器测量必须在同样条件下进行。改变电源频率、更换电缆,必须重新标定。,因此,在实际使用中:,结论:,在高频条件下,考虑有效电感的存在,电容传感器的有效灵敏度与激励频率有关。,47,二、边缘效应(1)电容传感器边缘效应,实际上当极板厚度 h与极距之比(h/)相对较大、电极半径 r 或边长2r 与极间距比很大时,边缘效应的影响就不能忽略。,理想平板电容器,其电场线是直线;而实际电容器只有中间区域是直线,越往外电场线会变弯曲,到电容器边缘时电场线弯曲最厉害。这种电场线弯曲的现象即是电容器的边缘效应。由于边缘电场的存在,在极板
20、边缘产生电荷的累积,即产生电容,称该电容为边缘效应电容。,48,(2)边缘效应电容的计算,以对极板半径为 r(极板形状为扁圆形)的变极距型电容传感器为例,其边缘效应电容值应该按下式计算:,(式3-23),式中函数 f(h/)的值列于下表,该公式摘自袁希光主编传感器技术手册国防工业出版社1983年,49,(3)消除边缘效应,消除边缘效应的一般方法(电容极板为扁圆形)减小极板厚度 h(减小比值 h/)减小极板半径 r、边长 2r 即减小极板边缘的有效面积但这样做会造成限制测量范围和结构设计不合理等问题。,边缘效应的危害边缘电容的电场易受外电场的干扰,在外电场的干扰下电容边缘电荷聚集的数量很难保证稳
21、定,故边缘效应电容很难保持为常量。边缘效应电容给传感器的测量带来误差,使传感器的灵敏度降低,输出特性产生非线性。因此,应尽量减小和消除边缘效应的影响。,50,消除电容边缘效应的方法结构上采用等位环来消除边缘效应如图所示,等位环与上极板在同一平面上并将其包围,且与其等电位,但不能有电气连接,带有等位环的平板电容(电容极板为扁圆形),等位环、极板与下面电极电绝缘,这样一种结构就能使上极板边缘电力线平直,上下两个极板的电场基本均匀,而发散的边缘电场发生在等位环外周,故不影响传感器两电极间的电场。,等位环与电容上极板没有电气连接,因此,电容的边缘效应被消除。,51,等位环消除边缘效应的条件:等位环结构
22、(等位环与上极板在同一平面上并将其包围)等位环与极板等电位、没有电气连接,等位环的作用不是消除边缘效应,而是将电容的边缘效应电容从电容的极板上转移到等位环,等位环与电容上极板没有电气连接,从而克服电容的边缘效应。其方法是将电容的边缘效应电容转嫁到等位环上。,问题等位环的作用是消除电容的边缘效应。等位环可以消除电容的边缘电容吗?,52,三、静电引力,电容式传感器两极板间存在有静电场,静电引力或力矩作用于极板之间会给测量带来误差。静电引力的大小与极板间的工作电压、介电常数、极间距离有关。,电容极板间加有电压,两极板上会累积正、负电荷,极板两端产生静电场;在静电场的作用下,将产生静电引力。,(1)静
23、电引力现象,(2)静电引力的危害,53,C=f()在被测物位移方向上的静电引力:,供电方式给定电压,单电容式结构,供电方式给定电压,差动式结构,(式3-27),(式3-26),变极距型电容传感器,下面列出几种电容传感器静电引力的计算公式:,(3)电容传感器静电引力的计算,54,变面积型电容传感器 C=f(A)、A=lb在被测物位移的垂直方向上的静电引力:,供电方式给定电压、单电容式结构,供电方式给定电流、差动电容式结构,(式3-24),(式3-25),式中:U 电容极板间的电压 l、b 极板的长度和宽度,静电引力 F 的大小与极板间的工作电压U2、介电常数、极板的有效面积 l b 成正比 与极
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- 第3章 电容式传感器 21 电容 传感器
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