霍尔效应的应用.ppt.ppt
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1、霍尔效应的应用,05级三班 曾剑,引言 霍尔效应在当今科学技术的许多领域都有着广泛的应用,如测量技术、电子技术、自动化技术等。近年来,由于 新型半导体材料和低维物理学的发展使得人们对霍尔效 应的研究取得了许多突破性进展。德国物理学家克利青(K.V.Klitzing)因发现量子霍尔效应而荣获1985年度诺 贝尔物理学奖;美籍华裔物理学家崔琦、美籍德裔物理 学家施特默(H.L.Stormer)和美国物理学家劳克林(R.B.Laughlin)因在发现分数量子霍尔效应方面所作出的 杰出贡献而荣获1998 年度诺贝尔物理学奖。这一领域因 两次授予诺贝尔奖而引起了人们广泛的兴趣,崔琦也成 为第六位获得诺贝
2、尔奖的华裔科学家。,一经典霍尔效应,霍尔效应基本原理,如图所示,将一导线放在垂直于它的磁场中。当有电流通过它时,在导电板的A,A两侧会产生一个U,这种现象叫做“霍尔效应”。实验表明,在磁场不太强时,电势差U与电流I和磁感应强度B成正比,与板的厚度D成反比。即U=KIB/d,式中比例系数K叫做霍尔系数。霍尔效应可用来说明。因为磁场是导体内移动的电荷(载流子)发生偏转,结果在A,A两侧分别聚集正负电荷,形成电势差。设导体板内载流子的平均定向速率为u,它在磁场中受到的洛伦兹力为quB。当A,A两侧之间形成电势差后,载流子还受到一个相反的力qE=qU/b,最后达到恒定状态时,两个力平衡quB=qU/b
3、,此外,设载流子的浓度为n,则电流I与u的关系为I=bdnq,或u=I/bdnq,于是U=IB/nqd,此式与前面相比,即得霍尔系数K=1/nq。,二量子霍尔效应按经典霍尔效应理论,霍尔电阻RH(RH=U/I=KB/d=B/nqd)应随B 连续变化并随着n(载流子浓度)的增大而减小,但是,1980 年,克利青在1.5K 极低温度和18.9T 强磁场下,测量金属氧化物半导体场效应晶体管时,发现其霍尔电阻RH随磁场的变化出现了一系列量子化平台,即RH=h/Ne*(e*表示e的平方,h 为普朗克常数,e为电子电量,N=1,2整数),这种现象称为整数量子霍尔效应(IQHE)。1982 年,崔琦和施特默
4、等人在比整数量子霍尔效应更低的温度0.1K 和更强的磁场20T 条件下,对具有高迁移率的更纯净的二维电子气系统样品的测量中,也在一些电阻和温度范围内观测到横向霍尔电阻呈现平台的现象,但极为不同的是,这些平台对应的不是原来量子霍尔效应的整数值而是分数值,即RH=h/ve*(v=1/3,2/3,4/3,5/3,1/5),故称为分数量子霍尔效应(FQHE)。一年后,劳克林用一个波函数对分数量子霍尔效应给出了很好的解释,霍尔效应的应用,一般而言,金属和电解质的霍尔系数很小,霍尔效应不显著;半导体的霍尔系数则大得多,霍尔效应显著。从20世纪60 年代起,随着半导体材料和半导体工艺的飞速展,人们发现用半导
5、体材料制成的霍尔元件具有对磁场敏感、结构简单而牢靠、成本低廉、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,将其广泛应用于电磁测量、非电量测量、自动控制、计算与通讯装置中。主要表现在以下几个方面:(1)测量磁场;(2)测量半导体特性;(3)磁流体发电;(4)电磁无损探伤;(5)霍尔传感器;便携式霍尔效应测量仪,应用一 测量磁场,利用霍尔效应可以制造精确测量磁感应强度的仪器高斯计。高斯计的探头是一个霍尔元件,在它的里面是一个半导体薄片。依据(1)式,U可用毫伏计测量,K、I 也可用相应的仪器测量,因此,就可以方便地算出B值。高斯计的表盘是以磁感应强度标记的,只要把高斯计插入待测磁场
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