低维固体和纳米结构.ppt
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1、第十二章 低维固体和纳米结构,12.1 固体表面12.2 量子霍尔效应12.4 碳纳米管12.6 介观体系的物理效应12.7 原子团簇,12.1 固体表面,12.1.1 固体的表面,一、理想表面,理论上结构完整的二维点阵平面。,理论前提:,1、不考虑晶体内部周期性势场在晶体表面中断的影响;2、不考虑表面原子的热运动、热扩散、热缺陷等;3、不考虑外界对表面的物理-化学作用等;4、认为体内原子的位置与结构是无限周期性的,则表面原子的位置与结构是半无限的,与体内完全一样。,二、清洁表面,不存在任何吸附、催化反应、杂质扩散等物理-化学效应的表面。,1、台阶表面-表面不是平面,由规则或不规则台阶组成。,
2、(表面的化学组成与体内相同,但结构可以不同于体内),清洁表面可分为三种:,台阶表面、弛豫表面、重构表面,2.弛豫表面-指表面层之间以及表面和体内原子层之间的垂直间距ds和体内原子层间距d0相比有所膨胀和压缩的现象。可能涉及几个原子层。,3、重构表面-指表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内,但在垂直方向上的层间间距d0与体内相同。,三、吸附表面在清洁表面上有来自体内扩散到表面的杂质和来自表面周围空间吸附在表面上的质点所构成的表面。,吸附表面可分为四种吸附位置:,顶吸附、桥吸附、填充吸附、中心吸附,顶吸附,桥吸附,填充吸附,中心吸附,俯视图,剖面图,四、表面自由能,在建立新表面时,邻近原子将丢
3、失,键被切断,因此,必须对系统作功;,同样,在一定温度和压力下,并保持平衡条件,若增加表面能,系统也必须作功。,对所有单组分的系统,表面总的自由能改变为:,G-表面自由能;S-熵;T-温度V-体积;p-压力;-表面张力;A-表面积,五、表面偏析,杂质由体内偏析到表面,使多组分材料体系的表面组成与体内不同。,将偏析与表面张力联系起来:,(1)若2 1,表面张力较小的组分将在表面上偏析(富集);(2)若2=1,不存在表面偏析。,12.1.2 表面二维结构,平面 二维 格点阵列,二维格子示意图,格点,格点可以是一个原子(即Bravais布喇菲格子);格点也可以是原子团;,二维格子中任意格点的位矢:,
4、、,为二维格子的基矢。也是原胞的两条边。,二维格子的数目是有限的,实际上只有5种Bravais格子,即斜形、方形、六角形、矩形以及中心矩形,其基矢如下:,二维Miller指数,Miller指数标记二维晶格中平行晶列的各种取向。如(hk)注意与晶面指数的区别。?,12.1.3 表面振动,在晶体表面周期性受到破坏时,将类似于晶格的缺陷,可能存在局域于表面的振动模,即表面振动,并将形成表面波。表面振动的振幅常比体内更大。,一、一维双原子链,左端第n=0原胞第j=1个原子的质量为为m,第 j=2个原子的质量为M,其牛顿运动方程为:,若只考虑最近邻原子的作用,第2个原子起各原子的运动方程与一维无限双原子
5、链的情形相同,其试探解为:,代入前面的动力学方程,可求得:,或,对于端头原子仍用上面试探解,代入其动力学方程:,代入(1)式中的第2式得:,若为实数,则q不可能为实数,再利用(1)式中的前一个等式得:,解1:对应于q=0,所有原子一起平衡。,解2:这频率落在声频支最高频率和光频支最低频率的禁带之间。这时q为一复数:代入(1)式得,这是一个局域于表面区域振幅指数衰减的表面振动模。,12.1.4 表面的电子态,电子的势能,为确定和简单计,设:,由自由电子的近似知,在波矢 处出现能隙,能隙下端的电子态为,能隙上端的电子态为,对于半无限一维表面电子态能隙上端的电子态,在z0的区域,相移因子由下式决定:
6、,z0区域,当EV0时,,z=0处,两波函数及其导数连续,由此得到:,所以表面能级:,Vn0才会引起表面能级,表面态波函数在晶体内是振幅衰减的振荡函数,这种形式的波函数称为隐失波。,(1)霍尔效应基础,E.Hall,Am.J.Math.2,287(1879)=Hall effect,12.2 量子霍尔效应(Quantum Hall Effects(QHE),若二维电子气所在平面为xy,磁场B=Bez,电子运动方程:,稳态时:,霍耳电阻:,Rxy正比于B,是一条直线。,在量子力学下(E沿x方向),选择矢量势,波函数为,经典回旋半径,解为:,Landau 能级,In two-dimensional
7、 systems,the Landau energy levels are completely seperate while in three-dimensional systems the spectrum is continuous due to the free movement of electrons in the direction of the magnetic field.,(2)整数量子霍尔效应,1975年S.Kawaji等首次测量了反型层的霍尔电导,1978年 Klaus von Klitzing 和Th.Englert 发现霍尔平台,但直到1980年,才注意到霍尔平台的
8、量子化单位,K.von Klitzing,G.Dorda,and M.Pepper,Phys.Rev.Lett.45,495(1980)for a sufficiently pure interface(Si-MOSFET)=integer quantum Hall effect,The Nobel Prize in Physics 1985,for the discovery of the quantized Hall effect.,K.von Klitzing(1943),实验设置示意图,实验观测到的霍尔电阻,1,霍尔电阻有台阶,2,台阶高度为,i 为整数,对应于占满第 i 个Landa
9、u能级,精度大约为5ppm.3,台阶处纵向电阻为零.,由于杂质的作用,Landau能级的态密度将展宽(如下图).两种状态:扩展态 和 局域态只有扩展态可以传导霍尔电流(0度下),因此若扩展态的占据数不变,则霍尔电流不变.当Fermi能级位于能隙中时,出现霍尔平台.Laughlin(1981)和 Halperin(1982)基于规范变换证明:,应用:(a)电阻标准,应用:(b)精细结构常数的测量,(3)分数量子霍尔效应,1982年,崔琦,H.L.Stomer 等发现具有分数量子数的霍尔平台,一年后,R.B.Laughlin写下了一个波函数,对分数量子霍尔效应给出了很好的解释.,D.C.Tsui,
10、H.L.Stormer,and A.G.Gossard,Phys.Rev.Lett.48,1559(1982)for an extremely pure interface(GaAs/AlGaAs heterojunction)where electrons could move ballistically=fractional quantum Hall effect R.B.Laughlin,Phys.Rev.Lett.50,No.18(1983),The Nobel Prize in Physics 1998,Robert B.Laughlin(1950),DANIEL C.TSUI(19
11、39),Horst L.Stormer(1949),for their discovery of a new form of quantum fluid with fractionally charged excitations.,分数量子霍尔效应:崔琦,Stomer 等发现,当Landau能级的占据数,有霍尔平台,分数量子霍尔效应不可能在单粒子图象下解释,引入相互作用,在超强磁场下,电子位于第一Landau能级.其单粒子波函数为,这一状态对应于电子在一由下式给出的面积内运动,Laughlin 建议了如下形式的波函数,这一状态的占据数为,Laughlin 计算了m=3,m=5时这一波函数的能量
12、,发现比对应密度下CDW的能量要低.这一状态称为分数量子霍尔态,或Laughlin态,当密度改变从而偏离占据数1/3,1/5时,对应于准粒子激发,激发谱具有能隙,准粒子的电荷为分数(1/3,1/5).因此Laughlin态是一个不可压缩的量子液体状态.,FQHE 态.绿球代表被暂时冻结的电子,蓝色为代表性电子的电荷密度,黑色箭头代表磁通线.,同 IQHE一样,Fermi 能级处于能隙位置时,出现FQHE 平台.不同之处在于IHQE的能隙来源于单粒子态在强磁场中的量子化,而FQHE的能隙来源于多体关联效应.Haldane 和 Halperin,利用级联模型,指出Laughlin 态的准粒子和准空
13、穴激发将凝聚为高阶分数态,如从 1/3 态出发,加入准粒子导致 2/5态,加入空穴导致2/7态.准粒子由这些态激发出来并凝聚为下一级的态.,P 为偶数,对应于粒子型元激发,对应于空穴型元激发,4.3 准一维体系的Peierls不稳定性和电荷密度波,1.一维体系 导电聚合物、金属卤化物、KCP晶体、过渡金属三硫化合物、电荷转移有机复合物、有机超导体Bechgaard盐(TMTSF)2X,有机铁磁体m-PDPC,半导体纳米线或量子线2.一维晶格的能带和布里渊区,constant charge distributionparabolic energy bandsfilled up to the Fe
14、rmi wavevectormetallic conductivity,格点原子对电子的散射(电声相互作用):,3.Peierls不稳定性 对于半满能带的一维晶格,等距离的原子排列是不稳定的,要发生二聚化,晶格周期变为2a.此时布里渊区边界与费米面重合,电子能量降低,系统更稳定。,低温下,一维体系处于二聚化的半导体或绝缘体状态,不导电。温度升高,电子获得热能,费米面上的能隙消失,一维体系变成导体,Peierls相变。,4.电荷密度波(CDW)一维体系发生Peierls相变后,晶格周期由a变为a,形变后周期为a的晶格称之为超晶格。电子密度在这一新的周期场中重新分布,称为CDW,波长a.,CDW
15、statespatially modulated charge densityenergy gap at the Fermi energysemiconducting conductivity,考虑电子之间的相互作用,需计入电子的自旋,正负自旋电子的CDW位形可以不同,。此时将会导致体系中出现自旋密度的起伏,即自旋密度波(SDW).,不仅一维电子晶格相互作用体系会出现CDW,其他体系也会存在.,(1).纳米体系物理学(2).纳米化学(3).纳米材料学(4).纳米生物学(5).纳米电子学(6).纳米加工学(7).纳米力学1纳米结构单元 零维:团簇、量子点、纳米粒子 一维:纳米线、量子线、纳米管、
16、纳米棒 二维:纳米带、二维电子气、超薄膜、多层膜、超晶格 体系的某个或数个特征长度在nm量级2.纳米结构的自技术(1).球磨和机械合金化工艺和技术(2).化学合成工艺和技术(3).等离子电弧合成技术(4).电火花制备技术(5).激光合成技术(6).生物学制备技术(7).磁控溅射技术(8).燃烧合成技术(9)喷雾合成技术,12.4 纳米体系,12.4.1 纳米体系概述,3.纳米体系的基本物理效应(1).小尺寸效应:尺寸与光波波长、德布罗意波长以及相干长度等相当或更小时,导致声、光、电磁、热力学等物性呈现新的小尺寸效应。(2).表面效应:,(3).量子尺寸效应:,T=1K,d=14nm,(4).宏
17、观量子隧道效应:微观粒子具有贯穿势垒的能力。宏观量:微颗粒的磁化强度,量子相干器件中的磁通量,亦具有隧道效应。Fe-Ni薄膜中畴壁运动速度在低于某一临界温度时基本上与温度无关。限定了磁带、磁盘进行信息储存的时间极限。(5).库仑阻塞与库仑台阶效应:,V,I,(6).介电限域效应:纳米微粒分散在异质介质中由于界面引起的体系介电增强现象。纳米粒子的光吸收带边移动(蓝移,红移)的Brus公式:,4纳米材料的奇特物性(1).热学性能 纳米粒子的熔点、开始烧结温度和晶化温度均比常规粉体的低得多。(表体比大)(2).磁学性质(a).超顺磁性,起源:在小尺寸下,当各向异性能减少到与热运动能可想比拟时,磁化方
18、向就不再固定在一个易磁化方向,易磁化方向作无规律的变化,结果导致超顺磁性的出现。,(b).矫顽力纳米粒子尺寸高于超顺磁临界尺寸时通常呈现高的矫顽力每个粒子是一个单磁畴,(c).居里温度 居里温度Tc与交换积分J成正比,并与原子构形和间距有关纳米粒子的Tc比固体相应的低。纳米粒子中原子间距随着颗粒尺寸减少而减小。原子间距小将会导致J的减小,因而Tc下降。5nm Ni:点阵参数缩小2.4%,(d).磁化率 纳米粒子的磁性与它所含的总电子数的奇偶性密切相关。电子数为奇数的磁化率服从:,量子尺寸效应使磁化率遵从d-3规律(d平均颗粒直径)电子数为偶数的磁化率服从:磁化率遵从d2规律,(3).光学性质(
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