晶圆级芯片封装技术.ppt
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1、晶圆级芯片封装技术(WL-CSP),秦心宇,一、晶圆级芯片封装的定义二、晶圆级芯片封装工艺三、晶圆级芯片封装的可靠性,晶圆级芯片封装的定义,晶圆级芯片封装(Wafer level Chip Scale Package)就是芯片尺寸的封装,其尺寸与芯片原尺寸相同。基本概念是,在制造后,通常在测试之前,马上取出晶片,再增加一些步骤(金属和电介质层)产生一种结构,就可将产品组装到电路板上。,简单地说,WL-CSP 与传统的封装方式不同在于,传统的晶片封装是先切割再封测,而封装后约比原晶片尺寸增加20%;而WL-CSP则是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后才划线分割,因此,封装后的体积与IC裸芯片尺寸
2、几乎相同,能大幅降低封装后的IC 尺寸.,晶圆级芯片封装的优点,晶圆级芯片封装方法的最大特点是其封装尺寸小、IC到PCB之间的电感很小、并且缩短了生产周期,故可用于便携式产品中,并满足了轻、薄、小的要求,信息传输路径短、稳定性高、散热性好。由于WL-CSP 少了传统密封的塑胶或陶瓷封装,故IC 晶片在运算时热量能够有效地散发,而不会增加主机的温度,这种特点对于便携式产品的散热问题有很多的好处。,晶圆级芯片封装工艺,WL-CSP的关键工艺:一是重布线技术(即再分布)二是焊料凸点制作工艺,典型的WL-CSP工艺流程,重布线技术的作用,再分布技术就是在器件表面重新布置I/O 焊盘。传统芯片的焊盘设计
3、通常为四周分布,以便进行引线键合,焊盘分布很难满足凸点制备的工艺要求,因此为了满足倒装工艺,需要进行焊盘再分布。芯片焊盘设计为阵列分布,如果分布不合理或者使用的凸点制备工艺不同仍然不能满足倒装焊工艺时,可以通过焊盘再分布技术实现倒装。,薄膜介质层的淀积,再分布的关键步骤就是在晶圆上薄膜介质层的淀积,以便增强芯片的钝化作用。无机钝化层中的引线孔,会在重新布线金属化过程中形成短路。重新布线金属化下方的聚合物层,也起着凸点形成和装配工艺的应力缓冲层的作用。通常选择的聚合物涂敷,应能提供封装工艺的高性能。,聚合物的选择,在UBM钝化后的工序或贮存中聚合物会吸湿,聚合物会在回流焊工艺中产生气泡或者裂纹,
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