半导体工艺技术 .ppt.ppt
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1、1,半导体工艺技术,张晓波三教2406,2512 微电子实验室Tel:8880311813681100693,2,大纲(1),教学参考书:美 James D.Plummer,Michael Deal,Peter B.Griffin Silicon VLSI Technology Fundamentals,Practice and Modeling严利人 等译 硅超大规模集成电路工艺技术理论、实践与模型 电子工业出版社Michael Quirk,Julian Serda著半导体制造技术韩郑生 等译.电子工业出版社.2004.1美 Stephen A.Campbell The Science an
2、d Engineering of Microelectronic Fabrication 曾莹等译微电子制造科学原理与工程技术电子工业出版社,3,大纲(2),第一章 前言第二章 现代CMOS器件工艺第三章 晶体生长、硅片制备及硅片基本性能第四章 半导体制造:净化间、硅片清洗和吸杂第五章 光刻第六章 热氧化及SiO2/Si界面第七章 热扩散第八章 离子注入第九章 薄膜淀积第十章 刻蚀第十一章 后端工艺(金属化等),4,1947年发明点接触晶体管(贝尔实验室),5,世界上第一个点接触晶体管,6,N,N,N,N,P,N,N,P,P,1950年发明生长结晶体管(TI),7,N,N,N,N,P,P,In
3、,In,1951年发明了合金结双极型晶体管,8,威廉肖克利:于1955年建立了世界上第一家半导体公司肖克利半导体实验室,9,N,N,N,N,N,N,1957年的台面型双扩散晶体管,N,N,P,P,P,P,10,1958年Fairchild 的Jean Hoerni 发明平面工艺,N,N,N,N,N,N,P,P,P,SiO2,N,P,N,11,1959年发明集成电路,关键的技术:采用掩膜版和光刻技术,在同一个芯片内制造多个器件,并互相连接。它结合扩散工艺和SiO2钝化层,形成了现代IC的结构。,发明人:Texas Instruments 的 Jack Kilby 和 Fairchild Semi
4、conductor 的 Robert Noyce。因此,Jack Kilby获得诺贝尔物理奖。,12,Jack Kilby发明的第一个集成电路12个器件,Ge 晶体,获得2000年诺贝尔物理学奖,13,14,第一个单片平面集成电路,罗伯特诺伊思(Robert Noyce)领导从肖克利半导体实验室出走的八位工程师创办了世界上制造和销售芯片的第一家公司仙童半导体公司。与戈登摩尔(Gordon Moore)和安德鲁格罗夫(Andrew Grove)在1968年创办了英特尔公司,15,1962年研制出MOS场效应晶体管,金属栅,绝缘层,源区,漏区,PMOS(Fairchild);NMOSFET(RCA
5、),16,1965年发明双列直插式封装,17,1971年,英特尔公司的霍夫发明了微处理器4004。,1973年,英特尔公司制造出了第二代微型计算机8080、8086。以后陆续诞生了8088、286、386、486、586、奔3、奔4、,18,19,1965年,Gordon Moore提出了一个关于集成电路发展的预测:“The complexity for minimum component cost has increased at a rate of roughly a factor of two per year”.后来在1975年被修正为:The number of components
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