LED基础知识-光电子概论.ppt
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1、LED基础知识,LED是什么?,LED是“light emitting diode”的英文缩写。中文名:发光二极管。LED是一种将电能转换为光能的固体电致发光(EL)半导体器件。LED实质性核心结构是由元素谱中的族化合物材料构成的p-n结。,LED是如何诞生的?它有怎样的发展历程?,灯具发展之路,Logo,1907年,Henry Joseph Round在观测金刚砂(SiC)电致发光的现象时,初次观察到了无机半导体的发光现象。但因为无机半导体发出的黄光太过暗淡,他很快就放弃了这方面的研究。到20世纪20年代,德国科学家O.W.LOSSOW在研究SiC检波器时,再次观察到这种现象,但当时受到材料
2、制备和器件工艺水平的限制,没有被迅速利用。1962年,GE公司Nick Holonyak带领的一个团队成功演示出第一个红光GaAsP发光二极管,仅6年后,Monsanto(孟山都)研发的指示灯以及Hewlett-Packard(IBM)研发的电子显示屏就将商业化LED推向了市场。1965年仅0.1LM/W,指示灯1968年,人们通过N掺杂工艺,使GaAsP LED的发光效率达到1lm/w,并出现了橙色光和黄色光。真正具有了商业价值。到20世纪80年代,使用AlGaAs(砷镓化铝)的第一代超亮LED诞生。产品首先是红色、然后是黄色,最后是绿色。应用领域多到20世纪90年代,日本东芝公司和美国的H
3、P公司,先后研发成功双异质结与多量子阱结构的橙色和黄色InGaAlP(铟镓铝化磷)的组合又被用来生产超亮红色、桔色、黄色及绿色LED.20世纪90年代中期,日本的日亚(NICHIA)公司和美国的CREE公司,分别在蓝宝石和SIC衬底上成功研发了超亮蓝光GaN(氮化镓)LED,高亮度绿光、紫光及蓝光InGaN(氮化铟镓)LED随后也研发成功。,LED市场前景,LED如何发光?,物体发光有哪些方式?,物体的发光方式,:又叫热辐射,是指物质在高温下发出的光。,:某种能源在较低温度时所发出的光。发冷光时,某个原子的一个电子受外力作用从基态激发到较高的能态。由于这种状态是不稳定的,该电子通常以光的形式将
4、能量释放出来,回到基态。,电致发光原理:电场的作用激发电子由低能态跃迁到高能态,当这些电子从高能态回到低能态的时候,根据能量守恒原理,多余的能量将以光的形式释放出来。,目前发光二极管用的都是直接带隙材料,GaAs,Si,直接带隙材料中,电子与空穴复合时,其发光跃迁(Radiative Transition)有以下可能性:,图()和()是一般红光产生光的原理,而图()是蓝光产生光的原理,LED自发性的发光是由于电子与空穴的复合而产生的。当LED两端加上正向电压,电流从LED阳极流向阴极时,半导体中的少数载流子和多数载流子发生复合,放出过剩的能量而引起光子发射,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色
5、的光。,PN结的形成 在半导体基片上分别制造N型和P型两种半导体。经过载流子的扩散运动和漂移运动,两运动最终达到平衡,由离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。,PN结的形成,光子,LED的优点,灯具对比如下表:,由上表可见,LED灯的发光效率是普通白炽灯的6倍以上,是日光灯的2倍,是高压钠灯的1.5倍,是电子节能灯的1.2倍。同时,LED灯的使用寿命是白炽灯的20倍以上,是日光灯的10倍以上,是高压钠灯及电子节能灯的5倍以上。,LED的缺点,LED为什么会发不同颜色的光?,光的本质是什么?,光是一种能量的形态,是一种电磁波。在同一介质中,能量从能源出发沿直线向四面八方传播,这种能量传递的方式通常
6、叫做辐射。通常可以用波长来表达人眼所能感受到的可见光的辐射能量。,人眼所能见的可见光的光波只占宽阔的电磁波谱家族中的很小空间。,各种颜色光的波长,光的峰值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度g有关,即 1240/Eg(mm)电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量,大小为禁带宽度Eg。Eg越大,所发出的光子波长就越短,颜色就会蓝移。反之,Eg越小,所发出的光子波长就越长,颜色就会红移。若要产生可见光(波长在380nm紫光780nm红光),半导体材料的Eg应该在1.593.26 eV之间。在此能量范围之内,带隙为直接带的-族或-族半导体材料只有GaN、GaP等少数材料,也可以利用-族或-族二元化合
7、物组成新的三元或四元-族或-族固溶体,通过改变固溶体的组分来改变禁带宽度与带隙类型。,LED材料,光的颜色与芯片的材料有关系。材料不一样,电子和空穴复合的能量不一样,发出的光也不一样。红、黄光芯片的主要材料:AlGaInP、GaAlAs蓝、绿光芯片的主要材料:GaN、InGaN,LED的主要参数与特性,LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的特性:(1)电学特性(2)光学特性(3)热学特性,电学特性,I-V特性响应时间允许功耗,LED的伏-安(I-V)特性(1)LED的伏-安(I-V)特性是流过芯片PN结电流随施加到PN结两端上电压变化的特性,它是衡量PN结性能的主要
8、参数,是PN结制作优劣的重要标志。(2)LED具有单向导电性和非线性特性。,对LED较为重要的电学参数 开启电压UON正向电流IF 正向电压VF 反向电压VR,开启电压:电压在开启点以前几乎没有电流,电压一超过开启点,很快就显出欧姆导通特性,电流随电压增加迅速增大,开始发光。开启点电压因半导体材料的不同而异。GaAs是1.0V,GaAs1-xPx,Ga1-xAlxAs大致是1.5V(实际值因x值的不同而有些差异),GaP(红色)是1.8V,GaP(绿色)是2.0V,GaN 为2.5V。,正向工作电流IF:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6IFm以下。
9、,正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。小功率彩色LED一般是在IF=20mA时测得的,正向工作电压VF在1.52.8V。功率级LED一般在IF=350mA时测得的,正向工作电压VF在24V。在外界温度升高时,VF将下降。,最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。反向击穿电压也因材料而异,一般在-2V以上即可。,反向漏电:当加反向电压时,外加电场与内建势垒电场方向相同,便阻止了多数载流子的扩散运动,所以只有很小的反向电流流过管子。但是,当反向电压加大到一定程度时,结在内外电场的作用下,把晶格中的电子强拉出来,参与导电,因而此
10、时反向电流突然增大,出现反向击穿现象。正向的发光管反向漏电流IR10A以下反向漏电流IR(V=-5V)时,GaP 为0,GaN 为10uA。反向电流越小,说明LED的单向导电性能越好。,VB,LED的电容一般包括PN结结电容和内引线分布电容等在内的总电容,PN结电容占主要地位。鉴于LED 的芯片有99mil(250250um),1010mil,1111mil(280280um),1212mil(300300um),及封装结构的不同,电容量也不同,有的远小于1PF,有的则达100PF以上。C-V 特性呈二次函数关系。由1MHZ 交流信号用C-V 特性测试仪测得。,LED C-V 特性,响应时间,
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