电磁场与电磁波.ppt.ppt
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1、1,填空题(每空1分,共20分)简答题(每小题4分,共40分)计算题(每小题10分,共40分),2,计算题复习习题:,第二章 2.1;2.2;2.3;2.7;2.9;2.12;2.13;2.15;2.16;2.18;2.21;2.22;2.23;2.24;2.25;2.26;2.29 第三章 3.2;3.3;3.6;3.7;3.9;3.11;3.13;3.14;3.15;3.16;3.20;3.21;3.22;3.23;第四章 4.3 4.10 4.11,3,第一章 矢量分析,4,1、标量场的梯度(或),直角面坐标系,梯度的物理含义?,5,2.矢量场的通量,通量的概念以及物理含义,通量的概念,
2、面积元的法向单位矢量;,穿过面积元 的通量。,如果曲面 S 是闭合的,则规定曲面的法向矢量由闭合曲面内指向外,矢量场对闭合曲面的通量是,6,直角坐标系,散度的表达式:,散度的定义和物理含义?矢量场散度和通量之间的区别?,7,4.散度定理,从散度的定义出发,可以得到矢量场在空间任意闭合曲面的通量等于该闭合曲面所包含体积中矢量场的散度的体积分,即,散度定理是闭合曲面积分与体积分之间的一个变换关系,在电磁理论中有着广泛的应用。,8,如果矢量场的任意闭合回路的环流恒为零,称该矢量场为无旋场,又称为保守场。,环流的概念,矢量场对于闭合曲线C 的环流定义为该矢量对闭合曲线C 的线积分,即,如果矢量场对于任
3、何闭合曲线的环流不为零,称该矢量场为有旋矢量场,能够激发有旋矢量场的源称为旋涡源。电流是磁场的旋涡源。,9,旋度的计算公式:,旋度的定义和物理含义?,10,3.斯托克斯定理,斯托克斯定理是闭合曲线积分与曲面积分之间的一个变换关系式,也在电磁理论中有广泛的应用。,从旋度的定义出发,可以得到矢量场沿任意闭合曲线的环流等于矢量场的旋度在该闭合曲线所围的曲面的通量,即,11,1.矢量场的源,散度源:是标量,产生的矢量场在包围源的封闭面上的通量 等于(或正比于)该封闭面内所包围的源的总和,源在一给定点的(体)密度等于(或正比于)矢量 场在该点的散度;,旋度源:是矢量,产生的矢量场具有涡旋性质,穿过一曲面
4、 的旋度源等于(或正比于)沿此曲面边界的闭合回 路的环量,在给定点上,这种源的(面)密度等于(或正比于)矢量场在该点的旋度。,1.6 无旋场与无散场,12,2.矢量场按源的分类,(1)无旋场,性质:,线积分与路径无关,是保守场。,仅有散度源而无旋度源的矢量场,,无旋场可以用标量场的梯度表示为,例如:静电场,13,(2)无散场,仅有旋度源而无散度源的矢量场,即,性质:,无散场可以表示为另一个矢量场的旋度,例如,恒定磁场,14,从数学角度看,斯托克斯定理建立了 和 的关系。,面积分,线积分,从数学角度看,高斯散度定理建立了 和 的关系。,面积分,体积分,15,16,第2章 电磁场的基本规律,17,
5、2.1.3 电荷守恒定律(电流连续性方程),电荷守恒定律:电荷既不能被创造,也不能被消灭,只能从物体 的一部分转移到另一部分,或者从一个物体转移 到另一个物体。,电流连续性方程,积分形式,微分形式,流出闭曲面S 的电流等于体积V 内单位时间所减少的电荷量,恒定电流的连续性方程,恒定电流是无源场,电流线是连续的闭合曲线,既无起点也无终点,电荷守恒定律是电磁现象中的基本定律之一。,18,1.库仑(Coulomb)定律(1785年),真空中静止点电荷 q1 对 q2 的作用力:,,满足牛顿第三定律。,大小与两电荷的电荷量成正比,与两电荷距离的平方成反比;,2.2.1 库仑定律 电场强度,方向沿q1
6、和q2 连线方向,同性电荷相排斥,异性电荷相吸引;,19,电场力服从叠加定理,真空中的N个点电荷(分别位于)对点电荷(位于)的作用力为,20,2.电场强度,空间某点的电场强度定义为置于该点的单位点电荷(又称试验电荷)受到的作用力,即,如果电荷是连续分布呢?,根据上述定义,真空中静止点电荷q 激发的电场为,描述电场分布的基本物理量,电场强度矢量,试验正电荷,21,小体积元中的电荷产生的电场,22,2.2.2 静电场的散度与旋度,高斯定理表明:静电场是有源场,电力线起始于正电荷,终止 于负电荷。,静电场的散度(微分形式),1.静电场散度与高斯定理,静电场的高斯定理(积分形式),环路定理表明:静电场
7、是无旋场,是保守场,电场力做功与路径 无关。,静电场的旋度(微分形式),2.静电场旋度与环路定理,静电场的环路定理(积分形式),23,在电场分布具有一定对称性的情况下,可以利用高斯定理计算电场强度。,3.利用高斯定理计算电场强度,具有以下几种对称性的场可用高斯定理求解:,球对称分布:包括均匀带电的球面,球体和多层同心球壳等。,带电球壳,多层同心球壳,24,无限大平面电荷:如无限大的均匀带电平面、平板等。,轴对称分布:如无限长均匀带电的直线,圆柱面,圆柱壳等。,25,1.安培力定律,安培对电流的磁效应进行了大量的实验研究,在 1821 1825年之间,设计并完成了电流相互作用的精巧实验,得到了电
8、流相互作用力公式,称为安培力定律。,实验表明,真空中的载流回路 C1 对载流回路 C2 的作用力,载流回路 C2 对载流回路 C1 的作用力,2.3.1 安培力定律 磁感应强度,26,2.磁感应强度,电流在其周围空间中产生磁场,描述磁场分布的基本物理量是磁感应强度,单位为T(特斯拉)。,磁场的重要特征是对场中的电流磁场力作用,载流回路C1对载流回路 C2 的作用力是回路 C1中的电流 I1 产生的磁场对回路 C2中的电流 I2 的作用力。,根据安培力定律,有,其中,27,任意电流回路 C 产生的磁感应强度,电流元 产生的磁感应强度,体电流产生的磁感应强度,面电流产生的磁感应强度,28,2.3.
9、2 恒定磁场的散度和旋度,1.恒定磁场的散度与磁通连续性原理,磁通连续性原理表明:恒定磁场是无源场,磁感应线是无起点和 终点的闭合曲线。,恒定场的散度(微分形式),磁通连续性原理(积分形式),安培环路定理表明:恒定磁场是有旋场,是非保守场、电流是磁 场的旋涡源。,恒定磁场的旋度(微分形式),2.恒定磁场的旋度与安培环路定理P48,安培环路定理(积分形式),29,2.4.1 电介质的极化 电位移矢量,1.电介质的极化现象,电介质的分子分为无极分子和有极分子。,在电场作用下,介质中无极分子的束缚电荷发生位移,有极分子的固有电偶极矩的取向趋于电场方向,这种现象称为电介质的极化。,无极分子的极化称为位
10、移极化,有极分子的极化称为取向极化。,30,由于极化,正、负电荷发生位移,在电介质内部可能出现净余的极化电荷分布,同时在电介质的表面上有面分布的极化电荷。,3.极化电荷,(1)极化电荷体密度,在电介质内任意作一闭合面S,只有电偶极矩穿过S 的分子对 S 内的极化电荷有贡献。由于负电荷位于斜柱体内的电偶极矩才穿过小面元 dS,因此dS对极化电荷的贡献为,S 所围的体积内的极化电荷 为,31,(2)极化电荷面密度,紧贴电介质表面取如图所示的闭合曲面,则穿过面积元 的极化电荷为,故得到电介质表面的极化电荷面密度为,32,2.4.2 磁介质的磁化 磁场强度,1.磁介质的磁化,介质中分子或原子内的电子运
11、动形成分子电流,形成分子磁矩,在外磁场作用下,分子磁矩定向排列,宏观上显示出磁性,这种现象称为磁介质的磁化。,无外磁场作用时,分子磁矩不规则排列,宏观上不显磁性。,33,由,即得到磁化电流体密度,在紧贴磁介质表面取一长度元dl,与此交链的磁化电流为,(2)磁化电流面密度,则,即,34,则得到介质中的安培环路定理为:,磁通连续性定理为,小结:恒定磁场是有旋无源场,磁介质中的基本方程为,(积分形式),(微分形式),35,2.4.3 媒质的传导特性,对于线性和各向同性导电媒质,媒质内任一点的电流密度矢量 J 和电场强度 E 成正比,表示为,这就是欧姆定律的微分形式。式中的比例系数 称为媒质的电导率,
12、单位是S/m(西/米)。,存在可以自由移动带电粒子的介质称为导电媒质。在外场作用下,导电媒质中将形成定向移动电流。,36,2.5 电磁感应定律和位移电流,本节内容 2.5.1 电磁感应定律 2.5.2 位移电流,电磁感应定律 揭示时变磁场产生电场。,位移电流 揭示时变电场产生磁场。,重要结论:在时变情况下,电场与磁场相互激励,形成统一 的电磁场。,37,2.5.1 电磁感应定律,1881年法拉第发现,当穿过导体回路的磁通量发生变化时,回路中就会出现感应电流和电动势,且感应电动势与磁通量的变化有密切关系,由此总结出了著名的法拉第电磁感应定律。,负号表示感应电流产生的磁场总是阻止磁通量的变化。,1
13、.法拉第电磁感应定律的表述,当通过导体回路所围面积的磁通量 发生变化时,回路中产生的感应电动势 的大小等于磁通量的时间变化率的负值,方向是要阻止回路中磁通量的改变,即,38,全电流定律:,微分形式,积分形式,全电流定律揭示不仅传导电流激发磁场,变化的电场也可以激发磁场。它与变化的磁场激发电场形成自然界的一个对偶关系。,39,2.位移电流密度,电位移矢量随时间的变化率,能像电流一样产生磁场,故称“位移电流”。,注:在绝缘介质中,无传导电流,但有位移电流。在理想导体中,无位移电流,但有传导电流。在一般介质中,既有传导电流,又有位移电流。,位移电流只表示电场的变化率,与传导电流不同,它不产生热效应。
14、,位移电流的引入是建立麦克斯韦方程组的至关重要的一步,它揭示了时变电场产生磁场这一重要的物理概念。,40,2.6.1 麦克斯韦方程组的积分形式,41,2.6.2 麦克斯韦方程组的微分形式,42,2.6.3 媒质的本构关系,代入麦克斯韦方程组中,有,各向同性线性媒质的本构关系为,43,2.7.1 边界条件一般表达式,44,两种理想介质分界面上的边界条件,2.7.2 两种常见的情况,在两种理想介质分界面上,通常没有电荷和电流分布,即JS0、S0,故,45,2.理想导体表面上的边界条件,理想导体表面上的边界条件 设媒质2为理想导体,则E2、D2、H2、B2均为零,故,理想导体:电导率为无限大的导电媒
15、质,特征:电磁场不可能进入理想导体内,46,47,48,第3章 静态电磁场及其边值问题的解,49,2.边界条件,微分形式:,本构关系:,1.基本方程,积分形式:,或,或,3.1.1 静电场的基本方程和边界条件,若分界面上不存在面电荷,即,则,50,在静电平衡的情况下,导体内部的电场为0,则导体表面的边界条件为,或,场矢量的折射关系,导体表面的边界条件,51,2.电位的表达式,对于连续的体分布电荷,由,同理得,面电荷的电位:,故得,点电荷的电位:,线电荷的电位:,p13,52,在均匀介质中,有,5.电位的微分方程,在无源区域,,53,电容是导体系统的一种基本属性,是描述导体系统 储存电荷能力的物
16、理量。,孤立导体的电容定义为所带电量q与其电位 的比值,即,1.电容,孤立导体的电容,两个带等量异号电荷(q)的 导体组成的电容器,其电容为,电容的大小只与导体系统的几何尺寸、形状和及周围电介质 的特性参数有关,而与导体的带电量和电位无关。,54,(1)假定两导体上分别带电荷+q 和q;,计算电容的方法一:,(4)求比值,即得出所求电容。,(3)由,求出两导体间的电位差;,(2)计算两导体间的电场强度E;,计算电容的方法二:,(1)假定两电极间的电位差为U;,(4)由 得到;,(2)计算两电极间的电位分布;,(3)由 得到E;,(5)由,求出导体的电荷q;,(6)求比值,即得出所求电容。,55
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