硅片制绒工艺和清洗 PPT制绒工艺.ppt
《硅片制绒工艺和清洗 PPT制绒工艺.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《硅片制绒工艺和清洗 PPT制绒工艺.ppt(34页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、硅片制绒和清洗,2,概 述,硅片表面处理的目的:,制绒,硅片表面沾污主要包括:有机杂质沾污颗粒沾污金属离子沾污,硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类:A.有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。B.颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 0.4 m颗粒,利用兆声波可去除 0.2 m颗粒。C.金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污.,4,硅片表面的机械损伤层(一)硅锭的铸造过程,单晶硅,多晶硅,5,硅片表面的机械损伤层(二)多线切割,硅片表面的机械损伤层(三)机械损伤层,6,硅片表面的机械损伤层(
2、三)切割损伤层的腐蚀(初抛),线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90条件腐蚀 0.51min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到610um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短,以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况,腐蚀速度主要取决于溶液的温度,而与碱溶液实际浓度关系不大。,7,8,制绒:表面织构化,单晶硅片表面的金字塔状绒面,单晶硅片表面反射率,制绒,角锥体形成原理,10,角锥体的密度和它们的几何特征同时影响着太阳电池的陷光效率和前表面产生反射损失的最低限。尺寸一般控制在315微米。推测腐蚀反应期间的产物氢气泡的发展对角锥体
3、的形成起着重要的作用。气泡粘附在硅片表面,它们的掩蔽作用导致了溶液的侧向腐蚀,这是角锥体形成过程的要素。,绒面光学原理,11,制备绒面的目的:减少光的反射率,提高短路电流(Isc),最终提高电池的光电转换效率。陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。,绒面光学原理,12,陷光原理图示:,影响绒面质量的关键因素,13,NaOH浓度无水乙醇或异丙醇浓度制绒槽内硅酸钠的累计量制绒腐蚀的温度制绒腐蚀时间的长短槽体密封程度、乙醇或异丙醇的挥发程度,关键因素的分析 NaOH的影响,14,制绒液中的乙醇或异丙醇、NaOH、硅酸纳三者浓度比例决定着溶
4、液的腐蚀速率和角锥体形成情况。溶液温度恒定在80时发现腐蚀液NaOH浓度在1.54%范围之外将会破坏角锥体的几何形状。当NaOH处于合适范围内时,乙醇或异丙醇的浓度的上升会使腐蚀速率大幅度下降。,关键因素的分析 NaOH的影响,15,维持制绒液中乙醇的含量为10 vol%,温度85,时间30分钟条件下:NaOH浓度5g/l时绒面形貌,关键因素的分析 NaOH的影响,16,NaOH浓度15g/l时绒面形貌,关键因素的分析 NaOH的影响,17,NaOH浓度55g/l时绒面形貌,关键因素的分析 NaOH的影响,18,绒面的平均反射率随NaOH浓度的变化,关键因素的分析 硅酸钠的影响,19,硅酸钠在
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 硅片制绒工艺和清洗 PPT制绒工艺 硅片 工艺 清洗 PPT

链接地址:https://www.31ppt.com/p-2203204.html