光纤通信3 光源与光发射机课件.pptx
《光纤通信3 光源与光发射机课件.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《光纤通信3 光源与光发射机课件.pptx(144页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、主要内容,激光器原理半导体激光器(LD)LD的特性常用光源光发射机,光源是光发送机中的光波发生器,即光振荡器。,相干光:(激光),非相干光:(自然光),光源有产生的光有两类:,光纤通信系统对光源的要求:,1、光源发光的峰值波长应当与光纤的低损耗窗口一致。,2、光源的输出功率应当足够大。(10uw几mw),3、光源应当有高度的可靠性。(10万小时以上),4、光源的谱线不能太宽。,5、光源应利于调制。,6、电光转换效率应当高。,7、光源体积小重量轻功耗小。,常用光源,(三)LD和LED的比较,3.1激光器原理,二、原子的能带,E,原子的能级,一、光子,普朗克常数,电子在能级的概率,玻尔兹曼常数,三
2、、光与物质的三种作用形式,爱因斯坦指出光与物质的转变存在三种不同的形式:,自发辐射受激吸收受激辐射,1、自发辐射,处于高能级的电子是不稳定的,它将自发的向低能级跃迁,发射出一定能量的光子。,E,电子,光子,光子的能量满足,特点:各个能级上的电子都是自发的、独立的进行跃迁,辐射的光子的频率或相位、方向不同,所以是非相干光。,E2,E1,自然光,2、受激吸收,在光子的激励条件下,电子吸收光子的能量从低能级跃迁到高能级。,E,电子,光子,特点:这个过程不是自发的,必须有外来的光子的激励。,E2,E1,3、受激辐射,在外来光子的激励下,电子从高能级跃迁到低能级,同时发出一个能量为 的光子。,E,电子,
3、光子,光子,特点:受激辐射必须在外来光子的能量等于跃迁时的能级差时发生,产生的光子与原光子的频率、相位、偏振方向相同,称为全同光子,将使光的能量放大。,光子,E2,E1,受激辐射是激光器发光的主要原因(LASER-Light Amplification by Stimulate Emission of Radiation),四、光放大的条件,受激吸收受激辐射,外来光子,吸收光能?,放大光能?,受激辐射,受激吸收,在热平衡时,单位时间 受激辐射的电子数+自发辐射的电子数,=受激吸收的电子数,受激辐射的电子数受激吸收的电子数,自发辐射系数,受激辐射系数,受激吸收系数,受激辐射的电子数受激吸收的电子
4、数,光放大,粒子数反转,非热平衡状态,外在激励(能量),粒子数反转分布,有光放大能力,泵浦源,工作物质,激活物质、增益物质,光放大器=工作物质+泵浦源,工作物质被泵浦源激活后具有光放大作用,就是光放大器,四、激光器组成,光学谐振腔,粒子数反转分布是产生激光的必要条件,但需要对产生的光子进行频率和方向的选择光学谐振腔,组成:两个反射率为R1,R2的反射镜法布里珀罗(F-P)谐振腔,R1,R2,工作物质,作用:方向选择,能量反馈放大,频率选择。,激光器=光放大器+正反馈谐振回路,Fabry-Perot,电子震荡器=放大器+正反馈回路,光方向选择:,R1,R2,与中轴平行的光线,不断在同一直线上反射
5、,反射光叠加,强度加强,R1,R2,与中轴不平行的光,多次反射后离开谐振腔,结论:只有与中轴平行的光才存在,否则将在多次反射后消失,工作物质辐射的光的波长有一定谱线宽度,如 图:,光频率的选择:,G,当反射光与入射光的相位相等或相差2的整数倍时,发生相强的干涉,光的能量加强。反之则发生相消干涉,光的能量渐渐减弱。,干涉加强,干涉减弱,相位条件:,结论:只有满足相位条件的波长的光才会被加强,否则会被减弱。,光的能量的反馈放大:,谐振腔的衰减:光方向性衰减,工作物质的吸收,反射镜的吸收和透射等。,谐振腔的增益:激励物质源源不断向工作物质提供粒子数反转分布以发出光子,,增益系数表示为G。,当增益与损
6、耗相当时,将建立稳定的激光震荡,增益的阈值条件为:Gth=a+1/2 Ln(1/R1R2),(a为工作 物质的吸收,R1,R2为反射镜的反射率),结论:只有满足阈值条件时,才有功率稳定的光存在,外在激励,粒子数反转分布,自发辐射,方向选择,受激辐射,全同光子,阈值条件,相位条件,方向性好、功率稳定、频率窄的激光,激光的产生过程,3.2 半导体激光器原理,Semiconductor Laser,Laser Diode,激光二极管LD,1、半导体能级,半导体是由大量原子周期有序的排列构成的共价晶体,相邻原子原子之间的相互作用使得电子在整个半导体中进行共有化运动,所处的离散能态扩展成连续分布的能带。
7、,半导体电子的能带,化学键电子所处的能带叫价带,比价带高的能带叫导带电子在导带可以自由运动,能带之间不允许电子的存在,称为禁 带,价 带(EV),导 带(EC),禁带(Eg),2、直接带隙和间接带隙,直接带隙,间接带隙,半导体材料的带隙是动量k的函数,依照带隙的形状,可以将半导体分为直接带隙材料和间接带隙材料两类。,直接带隙一个电子和一个空穴复合,随后辐射一个光子,在最简单和最有可能发生的复合过程中,电子和空穴具有相同的动量,这就是直接带隙材料。间接带隙导带最小能级和价带最大能级有不同的动量,所以此时导带与价带之间的复合必须要有另外的粒子参与以保持动量守恒,声子就能完成这样的功能,,x0.08
8、的典型Ga1xAlxAs光谱图,工作在800-900-nm光源:使用的主要的材料是(镓铝砷),砷化铝与砷化镓的比率x决定了合金的带隙,相应地也就决定了其辐射光的峰值波长。,工作在 光源,使用的材料主要是(铟镓砷磷),通过改变有源区材料的 的摩尔比率,可构造出峰值发光波长在之间,3、光源材料,4、本征材料:没有缺陷和未掺杂的理想半导体材料,费米能级:,是一个假象能级,电子处在该能级上的概率是1/2,本征半导体:电子和空穴是 成对出现的,Ef位于禁带中央。,通过向晶体中掺微量的族元素,如,可以使得晶体的导电性能大为增加,这些用来掺杂的元素在原子核的外层有五个电子,其中四个电子用来与相邻的原子形成共
9、价键,余下一个电子受到的束缚很弱,可以用来传导电流,这样就在导带下面产生了一个占用能级(施主能级)。在n型材料中电子是多数载流子,空穴是少数载流子,N型半导体:导带电子多,价带空穴少,Ef抬高。,5、n型材料,导带,价带,6、p型材料,通过向晶体中掺微量的族元素,也可以使得晶体的导电性能增加,这些用来掺杂的元素在原子核的外层有三个电子,这三个电子与相邻的原子形成共价键,同时会产生一个与施主电子电量相等的空穴,这样就在价带上方产生一个非占用能级(受主能级)。在P型材料中空穴是多数载流子,电子是少数载流子,P型半导体:导带电子变少,价带空穴增多。Ef 降低。,导带,价带,7、pn结,当p型材料和n
10、型材料接触时,两种材料的电荷区相接触,就会形成pn结,它决定了半导体器件的电特性。当pn结形成后,在pn结上就形成一个内建电场(或势垒)由于电子和空穴都形成共价键结构,所以结区就不再有移动的载流子,称这个区域称为耗尽区(或空间电荷区).,当电场正极接p型材料,负极接n型材料,这时pn结就形成了正向偏置,导致势垒降低。于是n型区的导带电子和p型区的价带空穴又可在结区内扩散。,8、正向偏置与粒子数反转,当PN结加上正向偏压时,外加电压的电场方向正好和内建场的方向相反,因而削弱了内建电场,破坏了热平衡时统一的费米能级,在P区和N区各自形成了准费米能级。这时,导带上费米能级以下充满了电子,价带上费米能
11、级以上没有电子,因此,形成了粒子数反转分布,成为激活区,称为半导体激光器的作用区或有源区。当频率f满足FEg/h的光通过时,就可以得到放大。,粒子数翻转,解理面,解理面,解理面,解理面,半导体激光器是利用在有源区中受激而发射光的光器件。只有在工作电流超过闻值电流的情况下,才会输出激光(相干光),因而是有阈值的器件。,当激光器阈值电流很大时,器件发热,使寿命很短,如何使激光器阈值电流减少,使寿命长,采用异质结结构,同质结结构,单异质结结构,双异质结结构,同质结,异质结,载流子限制,异质结,折射率分布,光波限制,3.3半导体激光器(LD)的P-I特性,1、输出光功率与激光器驱动电流之间关系,外量子
12、效应外量子效率定义为超过阈值时每个电子空穴对的辐射性复合所产生的光子数。,是带隙能量,阈值电流,2、激光二极管的模式,在半导体激光器的谐振腔内,辐射光建立起的电磁场模式称为谐振腔模式,它们可划分为横电(TE)和横磁(TM)模式两种。每类模式都能通过沿谐振腔主轴分布的纵向电磁场、水平横向电磁场以及垂直横向电磁场的半正弦变化来进行描述。其中,纵向模式与谐振腔的长度L相关,并决定辐射光的主要光谱结构,由于L远大于激光波长(),因此在谐振腔中会有许多纵模。,水平横向模分布在pn结平面内,它取决于谐振腔的宽度和腔壁的情况,同时该模式又决定激光束的水平横向分布特性。垂直横向模与pn结垂直方向上的电磁场和波
13、形相关。以上三种模式分布在很大程度决定激光器的特性。,谐振腔中纵向模式。,激光二极管的横模与纵模,3、光谱特性,考虑激光器相位关系,如果只考虑纵向模式,在多模激光器中频率和波长的间隔为:,例:有一GaAs,激光器工作波长为850nm,激光器腔长500m,材料折射率n3.7,频率和波长的间隔各为多少?,在半导体激光器的应用中,一个值得考虑的重要因素是温度对阈值电流的影响,经验公式可粗略的表示为:,4、温度特性,其中 是激光器对温度敏感程度的度量的特性温度;是一个常数。,方向性,半导体激光器发出的激光与光纤或光器件进行耦合,要求激光器的方向性要强。,15,5,电光延迟、张弛振荡、自脉动、啁啾,(1
14、)电光延迟,激光器的输出光信号 滞后于电信号的现象。,原因:有源区的电子密度必须增加到一定的闸值才会有光出来。,影响:出现码型效应,限制调制速度。,5、瞬态特性,(2)张弛振荡,当电脉冲注入激光器后,输出光脉冲有一个幅度逐渐衰减的振荡。,影响:当调制速度接近张弛振荡的频率时,容易产生误判,影响了调制的速度。,原因:光子激发与电子注入的时间延迟。,通过增加偏置电流可以改善电光延迟和张弛振荡。,(3)自脉动现象,有些激光器再脉冲调制下或直流驱动下,当注入电流足够大时,输出的光脉冲出现持续等幅的高频振荡。,啁啾(Chirp)效应,3.4分布反馈半导体激光器(DFB)与LED,多纵模LD-F-P 双异
15、质结LD,分布反馈半导体激光器(DFB),量子阱激光器(QW-LD),发光二极管LED,常用光源,Distributed feedback laser,Light emitting diode,Quantum-well,2、分布反馈半导体激光器(DFB),DFB激光器的结构,DFB是用Brag衍射光栅代替F-P谐振腔对光进行波长的选择,是激光器形成单纵模。,DFB激光器的工作原理,DFB激光器用布拉格(Bragg)光栅代替F-P镜面反射。,Bragg波纹光栅是由于材料折射率的周期性变化而形成。,布拉格反射条件,DFB激光器的分布反馈是 的布拉格反射,这时有源区的光在栅条间来回振荡。此时的布拉格
16、条件为:,DFB激光器的优点,当光栅的周期长度为 L时,只有满足布拉格反射条件波长为 的光波,才能产生激光振荡,因而使激光器得到单频输出。由于分布馈激光器是由光栅来选择单纵模,因而在高速调制下仍维持单纵模输出。-DFB激光器的谱线窄,其线宽大约为普通型激光器线宽的1/10左右,如图所示,从而使色散的影响大为降低,可以实现速率为Gb/s的超高速传输。,DFB的优点:,1、单纵模,2、谱线窄,波长稳定,3、动态谱线好,啁啾小,利于高速调制,4、线性好,利于调制模拟信号。,DFB的应用:,2.5G以上的1550nm第三代光纤通信系统,光纤CATV,3、量子阱激光器(QW-LD),量子阱:一般双异质结
17、激光器的有源层的厚度为0.15um,若将有源层的厚度减少到德布罗意 波长(50nm)以下,半导体的性质将发生根本的改变,出现量子效应,相应的势阱称为量子阱。(我们将窄带隙Eg称为势阱,将宽带隙Eg称为势垒),量子阱激光器:将双异质结半导体激光器的有源层做到nm级,形成量子阱结构,使之出现量子效应,这样的激光器叫做量子阱激光器。,单量子阱激光器(SQW-LD)具有一个势阱和两个势垒的激光器,多量子阱激光器(MQW-LD)具有n个势阱和n+1个势垒的激光器,势垒,势阱,6.3nmLw50nm,势垒,势阱,量子阱激光器的特点:,1、阈值电流低,输出功率大。超薄的有源区使得很小 的电流就可以产生大增
18、益的电流。,2、单纵模,谱线窄,利于调制。,3、温度要求低。无需温度控制,无需制冷仪器。,4、发光二极管,一、发光原理,LED 与LD 的最大不同:没有光学谐振腔,发出的是自发辐射光。,P层,N层,有源层,低,高,E,外电场,在正向偏压的情况下,N区的电子将向正方向扩展进入有源区,P区的空穴也将向负方向扩展进入有源区。进入有源区的电子和空穴由于势垒的作用而被封闭在有源区,形成粒子数反转分布,这些反分布的电子将发生自发辐射,发出自发辐射的光。只要有外加电流的作用,就会源源不断的向有源层提供电子和空穴得到稳定的自发辐射光。,二、分类,面发光二极管,正面发光辐射角大输出功率大耦合效率低,边发光二极管
19、,侧面发光辐射角小输出功率小 耦合效率高,三、工作特性,1、光谱特性和辐射特性,没有经过光学谐振腔的光强反馈、方向选择和光频选择,谱线宽,辐射角大,强度不大。,3dB,=0cos,2、P特性,P,边发光二极管,面发光二极管,无阈值自发光近似直线,3、温度特性,10,20,30,40,50,P,对温度不敏感,不用ATC电路。,4、可靠性,工作寿命长,可靠性好,达3105小时,合 34 年。,5、耦合效率低,LED发散角大,耦合效率低。一般小于10%。,四、应用,中低速数字通信和模拟通信中,LD与LED之比较,L D,L E D,1、P-I特性,P,P,有阈值电流曲线有转折点,无阈值电流 曲线无转
20、折点,L D,L E D,2、温度特性,P,P,20,40,60,80,受温度影响大,温度越高闸值电流越大,输出光功率越小。,20,40,60,80,受温度影响小,温度升高,输出光功率减少不大。,3、光谱特性,L D,L E D,单纵模,多纵模,P,P,P,谱线窄,功率大,谱线宽,功率相对小,4、方向性,L D,L E D,方向集中,发散角小,方向不集中,发散角大,5、耦合效率,耦合效率高,耦合效率低,6、寿命,相对较短,较长,7、价格,高,低,8、应用,长途高速数字系统,中低速数字或模拟系统,根据LED和LD的性能,在选择光源时应作到技术上合理、经济上合理以及便于应用。,3.5 光发射机,光
21、发射机实现电/光转换。,由光源、驱动器和调制器组成。,功能是用电信号对光源发出的光波进行调制,成为已调光波,然后再将已调的光信号耦合到光纤或光缆去传输。,1、发射端机的组成及功能,输入接口:将电端机送来的信号做码型变换,如将HDB3码变换为普通二进制码。,线路编码:将普通二进制码变换为适合在光纤链路上传输的码型。,调制电路:为光源提供调制电流。,控制电路:主要是APC电路、ATC电路、光源保护电路等。,光源:一般为发光二极管或半导体激光器,实现光电转换。,二、数字直接调制中偏置电流和调制电流大小的选择加大偏置电流使其逼近激光器阈值,可以大大减小电光延迟时间,同时使张驰振荡得到一定程度的抑制偏置
22、于阈值附近,较小的调制脉冲电流即可得到足够的输出光脉冲,I0与I0+Im的值相差不大,从而可大大减小码型效应和结发热效应的影响另一方面,加大直流偏置电流将会使光信号消光比(EX)恶化,光源消光比将直接影响接收机灵敏度,一般要求EX10dB,实验发现,异质结激光器的散粒噪声在阈值处出现最大值,因此偏置电流不正好偏置在阈值处由于激光器的串联阻抗很小,因此激光器的偏置电路应是高阻恒流源调制电流幅度Im的选择,应根据激光器的P-I曲线,既要有足够的输出光脉冲幅度,又要考虑到光源的负担。如果激光器在某些区域有自脉动现象发生,则Im的选择应避开自脉动发生的区域,三、直接调制电路要求:快的开关速度、良好的电
23、流脉冲波形,四、外调制外调制器以EA、LN为主高速驱动模块EA:驱动电压峰-峰值2V、偏置电压-1VLN:驱动电压峰-峰值5V、偏置电压23V,偏置点控制电路,高速驱动器,LiNbO3外调制器,五、激光器控制电路1、系统对光源的要求,波长稳定性要求WDM系统对光源发射波长 的稳定性具有较高的要求波长的漂移将导致信道之 间的串扰,影响发射波长的因素,对于DFB 激光器,影响发射波长的因素:管芯温度、工作电流、光反射(利用隔离器减小)管芯温度与激射光频的关系:呈单调直线下降,,工作电流与激射光频的关系:,电流注入载流子变化有源区折射率下降,大电流结温升高,正常工作时,起主导作用一般为-1GHz/m
24、A左右,B为DFB激光器的布拉格波长,为光栅周期,为场限制因子,n为折射率,为载流子浓度,为载流子寿命,比较而言,温度变化是波长漂移的主要因素,功率稳定性要求某信道功率的漂移,不仅影响本信道的传输性能,而且通过EDFA的瞬态效应影响其它信道的性能通常要求:输出平均光功率:0-3dBm;不稳定度:0.5dB(模块表面温度 0-50C)消光比:10dB 眼图:符合 G.957模版,影响发射功率的因素管芯温度:温度增加-功率下降器件老化:功率下降,温度控制和功率控制作用,就是消除温度变化和器件老化影响,稳定发射机性能,采取的稳定方法有:温度控制;自动功率控制,窄线宽 DFB 激光器,EA(LN)调制
25、器,精密温度控制,恒定电流控制,10Gb/s电压驱动器,NRZ码,光发射机结构框图,温度控制:,温控电路通常由比例放大、PID(比例-积分-微分)电路、电流放大组成控制精度可到0.01C波长稳定性可达200MHz/24小时目前N2.5Gb/s系统中,主要采用这一技术,DFB-LD组件,激光器,导热,制冷器,热敏电阻,温度控制电路,PD,R1=10k,T1=298K,B=3887+/-34K,波长锁定(wavelength locker),例:将激光器输出波长与一标准波长(参考波长)进行比较,测得波长漂移信息,反馈控制管芯温度,由此控制激光器的输出波长,WDM signal,Wavelength
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 光纤通信3 光源与光发射机课件 光纤通信 光源 发射机 课件
链接地址:https://www.31ppt.com/p-2172424.html