光刻机结构及工作原理课件.ppt
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1、完整的IC制造工艺流程,微电子制造装备概述,加法工艺,减法工艺,图形转移工艺,辅助工艺,掺杂扩散离子注入薄膜氧化化学气相淀积溅射外延刻蚀湿法刻蚀干法刻蚀抛光及清洗化学机械平坦化清洗图形转移光刻测试及封装测试封装,后道工艺,扩散炉离子注入机退火炉,氧化炉CVD反应炉溅射镀膜机外延设备,湿法刻蚀机反应离子刻蚀机,光刻机涂胶显影设备,CMP抛光机硅片清洗机,测试设备划片机键合机,光刻工艺流程,光刻工艺的8个基本步骤,气相成底膜,旋转涂胶,软烘,对准和曝光,曝光后烘焙,显影,坚膜烘焙,显影检查,光刻与光刻机,对准和曝光在光刻机(Lithography Tool)内进行。其它工艺在涂胶显影机(Track
2、)上进行。,光刻机结构及工作原理,光刻机简介光刻机结构及工作原理,光刻机简介,*微电子装备 芯片设计能力 芯片制造与制造设备 芯片测试与测试设备 设备是信息产业的源头:我们开发设备、设备制造芯片、芯片构成器件、器件改变世界!,光刻机简介,*摩尔定律Intel 创始人之一摩尔1964年提出,大约每隔12个月:1).芯片能力增加一倍、芯片价格降低一倍;2).广大用户的福音、行业人员的噩梦。芯片集成密度不断提升、光刻分辨率的不断提升!,*2006国际半导体技术路线图(ITRS)原理研究样机研发产品量产持续改进,光刻机简介,*光刻机的作用光刻机是微电子装备的龙头技术难度最高单台成本最大决定集成密度光刻
3、机是源头中的龙头!,光刻机简介,光刻工艺流程,光刻机简介,Lithography=Transfer the pattern of circuitry from a mask onto a wafer.,*对准曝光工作流程,光刻机简介,光刻机简介,光刻机简介,Development of lithography system,*光刻机发展路线图1,光刻机简介,*光刻机发展路线图2,光刻机简介,光刻机三巨头,光刻机简介,光刻机原理,Reticle(Mask)WaferLightLensPhotoresist,wafer,die,Image(on reticle),Image(on wafer),光
4、刻机原理,硅片(wafer),单晶硅芯棒直径可达300mm,长度可达30feet(9m),重量可达400kg。用金刚石锯,将芯棒切成薄圆片,即晶片(wafer)。,标准晶片尺寸和厚度为:100mm(4”)x 500m150mm(6”)x 750 m200mm(8”)x 1mm300mm(12”)x 750m,硅片,Wafer type:SEMIJEIDADiameter:8 inch-200mm12 inch 300mmNotch:Y/NFlat edge lengthClearance RoundFlat,SEMI=Semiconductor Equipment and Materials
5、International JEIDA=Japan Electronic Industries Development Association,光刻机重要评价指标,CD Line width(线宽)Overlay(套刻精度)Field size(场尺寸)Throughput(生产率),Y,Wph,CD=Critical Dimension,光刻机重要设计指标,*光刻机(汞灯),光刻机总体结构,*光刻机(激光器),光刻机总体结构,Step and Scan System,193 nm Excimer Laser Source,Computer Console,Exposure Column(Le
6、ns),Wafer,Reticle(Mask),光刻机总体结构,自动对准系统,投影物镜系统,框架减振系统,掩模传输系统,调平调焦测量系统,照明系统,工件台系统,掩模台系统,硅片传输系统,环境控制系统,整机控制系统,整机软件系统,光刻机结构及工作原理,曝光系统(照明系统和投影物镜)工件台掩模台系统自动对准系统调焦调平测量系统掩模传输系统硅片传输系统环境控制系统整机框架及减振系统整机控制系统整机软件系统,光刻机结构:曝光系统,*曝光系统激光器/汞灯提供光源照明系统 均匀照明掩模投影物镜 高分辨率成像,光刻机结构:曝光系统,*曝光系统总体结构,光刻机结构:曝光系统,*曝光系统工作原理,光刻机结构:曝
7、光系统,*曝光系统结构1,光刻机结构:曝光系统,*曝光系统结构2,光刻机结构:曝光系统,*曝光波长汞灯:g-Line(453 nm)、h-Line(405 nm)、i-Line(365 nm)准分子激光器:KrF(248 nm)、ArF(193 nm)、F2(157 nm)极紫外光源:EUV(13 nm)曝光波长影响光源技术:中心波长、光谱带宽、输出功率光学系统:光学设计、光学材料、光学镀膜光刻工艺:光刻胶、工艺参数,光刻机结构原理:曝光系统,*汞灯光源,光刻机结构:曝光系统,*激光器中心波长193.365 nm波长带宽0.3 pm脉冲频率4000 Hz脉冲能量5 mJ输出功率20 W,光刻机
8、结构:曝光系统,*离轴照明,光刻机结构:曝光系统,顶部模块(Top Modular),光刻机结构:曝光系统,*刀口狭缝Slit,光刻机结构:曝光系统,*投影物镜,典型的投影物镜:-30 块镜片-60 个光学表面-0.8m 最大直径-500kg 重量,wafer,v,v,v,v,v,v,v,Objective lens,reticle,Condenserlens,Light source,Aperturestop,光刻机工作原理:成像原理Imaging Principle:Optical Projection,Imaging Principle:Fourier Optics,object,Pro
9、jection LensEntrance Pupil,NA=Numerical Aperture=Angular Measure of Lens Size,(wafer),(reticle),Image,Definition of Numerical Aperture(NA),Diffraction,Illumination of a Periodic Grating,n=order#,n=0,n=-/+1,n=-/+3,Diffraction Orders,n=0,n=1,n=3,Reticle level,Wafer level,DC bias,Resist,Zero and+1st or
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