第5章磁电式传感器课件.ppt
《第5章磁电式传感器课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第5章磁电式传感器课件.ppt(93页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、2023/1/20,1,第5章 磁电式传感器,麦克斯韦电磁场理论 变化的磁场在周围空间产生电场,当闭合回路导体处在此电场中时,导体中的自由电子在电场力作用下作定向移动而产生感应电流;如果不是闭合回路,则导体中自由电子的定向移动使断开处两端积累正、负电荷而产生感应电动势。,被测量 电信号,分类:磁电感应式、霍尔式,2023/1/20,2,一 磁电感应式传感器1、工作原理,法拉第电磁感应定律:,为磁通量B为磁感应强度l为导体长度v相对运动速度,2023/1/20,3,其中:1-永久磁铁 2-软磁铁 3-感应线圈 4-测量齿轮 5-内齿轮 6-外齿轮 7-转轴,(1)变磁通式,a开磁通式 b闭磁通式
2、,磁电感应式传感器分类:变磁通式和恒磁通式,2023/1/20,4,开磁路变磁通式:线圈、磁铁静止不动,测量齿轮安装在被测旋转体上,随之一起转动。每转动一个齿,齿的凹凸引起磁路磁阻变化一次,磁通也就变化一次,线圈中产生感应电势,其变化频率等于被测转速与测量齿轮齿数的乘积。,这种传感器结构简单,但输出信号较小,且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速。,2023/1/20,5,闭磁路变磁通式:它由装在转轴上的内齿轮和外齿轮、永久磁铁和感应线圈组成,内外齿轮齿数相同。当转轴连接到被测转轴上时,外齿轮不动,内齿轮随被测轴而转动,内、外齿轮的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化,从而引起磁路中磁通的变化
3、,使线圈内产生周期性变化的感生电动势。,显然,感应电势的频率与被测转速成正比。采用测频的方法可以得到被测物体的转动速度。,开磁路式转速传感器结构比较简单,但输出信号小,另外当被测轴振动比较大时,传感器输出波形失真较大。在振动强的场合往往采用闭磁路式转速传感器。,2023/1/20,7,(2)恒定磁通式,工作气隙中的磁通恒定,动圈式,动铁式,2023/1/20,8,感应电动势与线圈相对磁铁运动线速度或角速度正比,B气隙磁感应强度(Wb/m2)l 线圈导线总长度(m)S线圈所包围的面积(m2)v线圈和磁铁间相对运动的速度(m/s)线圈和磁铁间相对旋转运动的角速(rad/s)运动方向与磁感应强度方向
4、的夹角,式中:,磁铁和线圈的相对运动产生切割磁力线从而产生感应电势,2023/1/20,9,磁电式传感器:利用,测量量变化 感应电压e 有源传感器,电磁式传感器:利用衔铁运动,Rm变化L 变化 U 变化 无源传感器,注意与电磁式传感器区别,2023/1/20,10,2、基本特性,当测量电路接入磁电传感器电路中,传感器的输出电流Io为 式中:Rf 测量电路输入电阻 l每匝线圈平均长度 R线圈等效电阻 N线圈匝数,传感器的电流灵敏度为,运动速度,2023/1/20,11,而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为:,当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、机械振动或冲击时,其灵敏度将发生变化而产生
5、测量误差。相对误差为:,2023/1/20,12,(1)非线性误差,磁电式传感器产生非线性误差的主要原因是:由于传感器线圈内有电流I流过时,将产生一定的交变磁通I,此交变磁通叠加在永久磁铁所产生的工作磁通上,使恒定的气隙磁通变化,如图所示,2023/1/20,13,当产生的附加磁场方向与原工作磁场方向相反,减弱了工作磁场的作用,从而使得传感器的灵敏度随着被测速度的增大而降低。当线圈的运动速度与图所示方向相反时,感生电势E、线圈感应电流反向,所产生的附加磁场方向与工作磁场同向,从而增大了传感器的灵敏度。,其结果是线圈运动方向不同时,传感器的灵敏度具有不同的数值,2023/1/20,14,为补偿上
6、述附加磁场干扰,可在传感器中加入补偿线圈,如图所示。补偿线圈通以经放大K倍的电流,适当选择补偿线圈参数,可使其产生的交变磁通与传感线圈本身所产生的交变磁通互相抵消,从而达到补偿的目的。,补偿线圈,2023/1/20,15,对铜线而言,当温度变化时每摄氏度变化量为:dL/L0.16710-4 dR/R0.4310-2 温度变化时对铝镍钴永久磁合金 dB/B-0.0210-2这样可得近似值:t(-4.5%)/10 这一数值是很可观的,所以需要进行热磁分流器温度补偿。,(2)温度误差,2023/1/20,16,热磁分流器 由具有很大负温度系数的特殊磁性材料做成。温度正常时将空气气隙磁通分路掉一小部分
7、;而当温度过高时,它的磁导率显著下降,分流掉的磁通显著降低,从而保持空气气隙的工作磁通不随温度变化,维持传感器灵敏度为常数。,2023/1/20,17,磁电式传感器是速度传感器,通常具有较高的灵敏度,不需要增益放大器。积分:将速度转换成位移,svdt微分:速度转换成加速度,adv/dt,3、测量电路,2023/1/20,18,(1)磁电式相对速度计,1-顶杆 2,5-弹簧片3-磁铁 4-线圈6-引出线 7-外壳,4、应用,测量时,壳体固定在一个试件上,顶杆顶住另一试件,则线圈在磁场中运动速度就是两试件的相对速度。速度计的输出电压与两试件的相对速度成正比。相对式速度计可测量的最低频率接近于零。,
8、2023/1/20,19,(2)磁电式扭矩传感器,2023/1/20,20,在驱动源和负载之间的扭转轴的两侧安装有齿形圆盘,它们旁边装有相应的两个磁电传感器。当齿形圆盘旋转时,圆盘齿凸凹引起磁路气隙的变化,于是磁通量也发生变化,在线圈中感应出交流电压,其频率等于圆盘上齿数与转数乘积。当扭矩作用在扭转轴上时,两个磁电传感器输出的感应电压u1和u2存在相位差。这个相位差与扭转轴的扭转角成正比。这样传感器就可以把扭矩引起的扭转角转换成相位差的电信号。,2023/1/20,21,二 霍尔式传感器,1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着
9、半导体技术的发展,开始用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。,霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体,当它的电流方向与磁场方向不一致时,载流导体上垂直于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势,半导体薄片称霍尔元件。,霍尔式传感器,一、霍尔传感器工作原理,霍尔器件是一种磁电传感器,其工作机理是霍尔效应。,图2.1 霍尔效应原理图,如图2.1所示,在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板,导电板通以电流I,方向如图所示。,霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。,霍尔
10、式传感器,导电板中的电流使金属中自由电子在电场作用下做定向运动。此时,每个电子受洛伦兹力fl的作用,f1的大小为,fl=eBv,式中:e电子电荷;v电子运动平均速度;B磁场的磁感应强度。,霍尔式传感器,fl的方向如图2.1,此时电子除了沿电流反方向作定向运动外,还在fl的作用下漂移,结果使金属导电板内侧面积累电子,而外侧面积累正电荷,从而形成了附加内电场EH,称霍尔电场。该电场强度为,式中,UH为电位差,b为两点间沿电场线方向的距离。,霍尔式传感器,霍尔电场的出现,使定向运动的电子除了受洛伦兹力作用外,还受到霍尔电场力的作用,其力的大小为eEH,此力阻止电荷继续积累。随着内、外侧面积累电荷的增
11、加,霍尔电场增大,电子受到的霍尔电场力也增大,当电子所受洛伦兹力与霍尔电场作用力大小相等、方向相反,即,eEH=eBv,EH=vB,此时电荷不再向两侧面积累,达到平衡状态。,霍尔式传感器,霍尔效应演示,当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势,c,d,a,b,若薄片为N型半导体,导电板单位体积内载流子(电子)数为n,电子定向运动平均速度为v,则激励电流I=n(-e)vbd,即,代入上两式得,霍尔式传感器,式中令RH=-1/ne,称之为霍尔常数(反映霍尔效应强弱),其大小取决于导体载流子密度,则,式中,KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度
12、。,上述推导是针对N型半导体,对于P型半导体,则,式中:,霍尔式传感器,对霍尔片材料的要求,希望有较大的霍尔系数RH,霍尔元件激励极间电阻R=L/(bd),同时R=UI/I=EIL/I=L/(nebd),其中UI为加在霍尔元件两端的激励电压,EI为霍尔元件激励极间内电场强度,载流子的迁移率,即单位电场作用下载流子的运动速度,=v/E。则,可见,霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度,其灵敏度与霍尔系数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度,霍尔元件常制成薄片形状。,霍尔式传感器,由电阻率1/ne或1/pe,得RH=,从RH表达式可知,霍尔系数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率的乘积。若要
13、霍尔效应强,即霍尔电势大,则RH值大,因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。,霍尔式传感器,一般金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高,但载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。半导体中电子迁移率(电子定向运动平均速度)比空穴迁移率高,因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件。目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。,霍尔式传感器,霍尔元件的结构很简单,它是由霍尔片、四根引线和壳体组成的,如图二.2(a)所示。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片,引出四根引线:1、1两根引线加激励电压或电流,称激励电极(控制电极);2、2引线为霍尔
14、输出引线,称霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装的。在电路中,霍尔元件一般可用两种符号表示,如图二.2(b)所示。,二、霍尔元件的结构和基本电路,霍尔式传感器,图二.2 霍尔元件,(a)外形结构示意图,霍尔元件的基本测量电路如图所示,激励电流由电压源供给,其大小可由可变电阻调节。,霍尔式传感器,控制电流端并联输出电势为:2倍,控制电流端串联次级绕阻叠加输出,直流供电方式:,交流供电方式:,霍尔式传感器,(1)额定激励电流和最大允许激励电流 额定激励电流:当霍尔元件自身温升10时所流过的激励电流称为额定激励电流。最大允许控制电流:以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流值。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 磁电 传感器 课件
链接地址:https://www.31ppt.com/p-2154609.html