《仪器分析》课程伏安与极谱分析(二)课件.ppt
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1、仪器分析课程,第五章 伏安与极谱分析(二),厦门大学精品课程仪器分析(含实验),1,谢谢观赏,2019-8-26,二、影响扩散电流的主要因素,1被测物质的浓度 id=kc c id但汞滴滴落时间若过短(2s),则扩散电流与浓度不成线性关系(由于下滴速度过快而搅动溶液,使电流增大),最合适的汞滴下落时间为36秒,2,谢谢观赏,2019-8-26,=t时(t:滴汞落下时间t=max)则 imax=708nD1/2m2/31/6c扩散电流随的增大而增大至汞滴落下时为最大,在实际应用中应该测量在汞滴落下时间内的平均扩散电流。平均极限扩散电流id=1/t0tdt=607 nD1/2m2/3t1/6c(2
2、5)尤考维奇方程id=kc=6/7 imax,3,谢谢观赏,2019-8-26,4,谢谢观赏,2019-8-26,测量峰高的方法,5,谢谢观赏,2019-8-26,测量峰高的方法,6,谢谢观赏,2019-8-26,2毛细管特性(m2/3t1/6,毛细管常数),idm2/3t1/6影响m,t的因素均会引起扩散电流的变化,如汞柱高度和滴汞电极电位等。汞柱高度的影响:由于汞流速与汞柱压力p成正比,m=kp,而滴落时间则与汞柱压力 p成反比 t=k2/p m2/3t1/6=(k21/6k12/3)/p1/2 idm2/3t1/6 idp1/2h1/2实验结果表明,汞柱高度提高1 cm,扩散电流增加 2
3、%,7,谢谢观赏,2019-8-26,温度的影响,扩散电流方程式 id=607 nD1/2m2/3t1/6c中,除反应电子转移数n以外,其余各项都是温度的函数,室温下,扩散电流的温度系数约为1.3%/,实验中要求控温在正负0.5以内。,8,谢谢观赏,2019-8-26,三、极谱分析中的干扰电流,(一)残余电流:电解电流和充电电流在外加电压未到达被测物质的分解电压,仍有微小的电流通过电解池,一般为10-1A1电解电流,易于在DME上还原的微量杂质如O2,Cu2+,Fe3+等,量值很小,通常可通过除O2,纯化试剂等手段减小。,9,谢谢观赏,2019-8-26,2充电电流,引起残余电流的主要原因。在
4、KCl溶液中,经研究表明滴汞的表面电荷,表面引力与施加电压有如下关系。当E-0.56V时,滴汞表面带负电荷。(1)当P、A相触,DME与SCE短路,DME与SCE具有相同的正电位,滴汞表面带正电荷(结合表面电荷与电压关系图说明),10,谢谢观赏,2019-8-26,汞滴表面排斥溶液中的正离子,吸引负离子,形成双电层,相当于一个电容器。如果汞滴面积不变,在汞滴双电层上充以相当的电荷密度而使其具有甘汞电极的电位时,充电就停止。电容电流很快趋向零。但由于汞滴不断下落,面积在不断变化,为保持一定的电荷密度,使之与SCE具有相同的正电位,必须不断地向汞滴双电层充电,所以产生了连续不断的电容电流。,11,
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