氧化物IZO薄膜晶体管ppt课件.ppt
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1、复旦大学硕士毕业论文答辩,非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的研究,研究背景,1,1.研究背景,平板化、大型化、高清晰度,1.研究背景,a-Si TFT 场效应迁移率低(FE1 cm2V-1s-1)不透明,开口率100%光敏性强,1.研究背景,p-Si TFT大面积制备困难均匀性差制备温度较高,1.研究背景,几种氧化物TFT及其性能,1.研究背景,1.研究背景,1.较高的FE和Ion/Ioff较大的驱动电流、较快的器件响应速度2.溅射技术大面积制备均匀3.低温制备采用塑料基板,应用在柔性显示,氧化物TFT的特点,1.研究背景,铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)宽禁带 n型2000年
2、之前,主要工作为研究应用于太阳能电池,平板显示电极,研究内容:直流磁控溅射法(DCMS)制备IZO沟道层 相关报道多为射频磁控溅射;靶材设计(2)脉冲等离子体沉积法(PPD)制备SiO2绝缘层 类似于PLD,未见报道(3)初步尝试IZO-TFT的制备,研究目的:探讨DCMS法制备IZO沟道层的可行性,探索制备IZO-TFT的实验条件,研究影响TFT性能的因素,1.研究背景,研究背景和研究内容,1,直流磁控溅射法实验参数,2.IZO薄膜的制备和性能研究,2.IZO薄膜的制备和性能研究,靶材设计,(1)晶体结构,2.IZO薄膜的制备和性能研究,(2)表面形貌,No.30 target,No.40
3、target,No.50 target,2.IZO薄膜的制备和性能研究,2.IZO薄膜的制备和性能研究,(2)表面形貌,(3)电学性能,2.IZO薄膜的制备和性能研究,(4)光学性能,2.IZO薄膜的制备和性能研究,Eg:3.343.53 eV,(5)小结,i 室温制备的IZO薄膜均为非晶结构,表面平整ii 在较高氧分压下制备的非晶IZO薄膜都具有较好的透明性,Ta%80%iii No.30靶材制备的IZO薄膜更加平整,且在PO2=510-2 Pa时具有106 cm的电阻率,可应用于TFT沟道层,2.IZO薄膜的制备和性能研究,研究背景和研究内容,1,脉冲等离子沉积SiO2实验参数,3.SiO
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