第6章调Q技术与锁模ppt课件.ppt
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1、第6章 调Q技术与锁模技术,6.1 调Q技术6.2 锁模技术,调Q技术 脉宽纳秒量级 峰值功率106W以上锁模技术脉宽皮秒或飞秒量级 峰值功率10W,6.1 调Q技术,最早出现在1962年巨脉冲:高峰值功率的窄脉冲普通脉冲激光器输出的驰豫振荡产生非线性光学分支推动激光雷达、激光测距、高速摄影、核聚变等应用技术的发展,6.1.1 调Q的基本理论,一、脉冲固体激光器输出的驰豫振荡驰豫振荡:尖峰脉冲的宽度约为0.11ns,间隔约为510us,光泵越强,尖峰脉冲个数越多,但包络的峰值增加不多最根本的原因:激光器的阈值始终保持不变,二、谐振腔的品质因数可以表征谐振腔损耗的大小当,三、调的基本原理光泵初期
2、调高器件的振荡阈值突然调低器件的阈值激光振荡的阈值条件而则调技术的本质:控制谐振腔的损耗,模式数,光子在腔内的寿命,谐振腔一般的种损耗反射损耗吸收损耗衍射损耗散射损耗输出损耗根据损耗的控制方法不同分类控制反射损耗电光调Q机械转镜调Q控制吸收损耗可饱和吸收染料调Q控制衍射损耗声光调Q控制输出损耗透射调Q,调Q激光器的要求1.工作物质 高抗损伤阈值 激光上能级寿命要比较长2.光泵谱速率 光泵谱速率大于上能级的自发辐射速率否则反转粒子数的积累水平不高3.Q值突变 Q值的变化应与腔建立激光振荡的时间相近否则使脉冲展宽,四、调Q激光器的两种储能方式 工作物质储能调Q 谐振腔储能调Q1.工作物质储能调Q脉
3、冲反射式调(法)将能量以激活离子的形式储存在工作物质中(1)工作过程,三个特殊的时刻:.值阶跃上升的时刻(t0)2雪崩过程形成的时刻(t).光子数密度达到最大值的时刻(tp)三个过程:.自发辐射为主的过程.雪崩过程.光子数密度衰减的过程,()特点巨脉冲的宽度一般为1020ns边振荡边输出,输出光脉冲的形状与腔内光强的变化状态一致激光振荡终止,工作物质中残留一部分反转粒子数,谐振腔储能调(脉冲透射式调,法)将能量以光子的形式储存在谐振腔中,当腔内光子数密度达到最大值时,瞬间将腔内能量全部输出(腔倒空法),偏振棱镜,()工作过程 V=0腔内损耗极大,值很低,不能形成激光振荡,积累反转粒子数,腔内损
4、耗很低,值突增,激光振荡建立当工作物质中的储能全部转化为腔内光子能量时,迅速撤去晶体上的电压,形成巨脉冲,特点腔能瞬间倒空更窄线宽更高峰值功率更高能量利用率,6.1.2 调Q激光器的速率方程,描述腔内光子数和工作物质的反转粒子数随时间变化规律的方程组几点说明:单程损耗函数是理想的阶跃变化函数工作物质的能级结构为二能级系统;开关打开前,不存在自发辐射,开关打开后,光泵立即停止只用来研究值阶跃后的脉冲形成过程,一、调激光器的速率方程工作物质受激辐射过程中,腔内光子数密度随距离Z的增长率腔内光子数密度随时间的增长率为腔内光子数密度随时间的衰减率为,值阶跃后的单程损耗率,光子在谐振腔内的寿命,腔内光子
5、数密度总的变化率为腔内总光子数的变化率当增益等于腔损耗时,得阈值增益系数令则增益系数正比于反转粒子数N,则,设 时间内,反转粒子数的变化量为dN.简化的二能级系统,每产生一个光子,反转粒子数相应地减少两个,则得速率方程,二、速率方程的解1.腔内光子数Q值阶跃变化,则当N=Nt时,腔内光子数达最大值,利用台劳级数在t附近展开2.峰值功率m设谐振腔输出反射镜的透过率为(另一腔镜为全反镜),腔长为,光在腔内的运动速度为,则,输出反射镜单位时间内光能量的衰减率,输出能量单脉冲的能量利用率定义意义:一个调脉冲可以从工作物质的储能中提取多大比率的能量对巨脉冲无贡献,以荧光的形式消耗掉脉冲终止时,,代入,调
6、脉冲的时间特性(脉宽和波形),脉宽:半功率点间的宽度当 取值不同时,用数值法求出的一些典型激光巨脉冲波形和脉宽,上升段时间,下降段时间,由图可知,对巨脉冲的上升时间影响很大,随着,上升时间急剧缩短,下降时间与关系不大,下降时间主要取决于光子在腔内的自由衰减寿命,Q开关开启速度的快慢直接影响巨脉冲的性能,快开关开关时间远小于脉冲建立的延迟时间阶跃函数开关慢开关开关时间与脉冲建立的延迟时间相差不多或者更长线性函数开关抛物线函数开关不足:容易引起多脉冲的形成,6.1.3 电光调Q,一、晶体的电光效应基础Kerr效应(二次电光效应):各向同性的透明介质在电场作用下变为双折射介质的现象。Pockels效
7、应:某些晶体在电场作用下产生与电场的一次方成比的电光效应。电光调Q即是利用某些晶体所具有的线性电光效应实现Q值突变的优点:开关时间短;效率高;调Q的时间可以精确控制;系统工作稳定;重复频率高;输出脉冲窄(10-20ns);峰值功率高(几十兆瓦以上),电光晶体:单轴晶体要求:电光系数大;抗破坏阈值高;光学质量好等常用的电光晶体:KD*P(磷酸二氘钾)类晶体和LiNbO3类晶体纵向电光效应,E=0晶体在三个感应主轴方向上的折射率分布为,产生的相位差在出射表面,两偏振光合成振动的偏振状态取决于所加电压大小不同,合成的偏振光偏振状态不同,二、带偏振器的Pockels电光调器件、激光器的结构,偏振器兼作
8、起偏和检偏作用采用KD*P晶体纵向电光效应工作原理V=0,腔的损耗很低,Q值很高,打开状态V=V/4 时,腔的损耗很高,Q值很低,关闭状态器件的工作状态,关键问题1.准确控制Q开关打开的延迟时间2.电光晶体的x轴(或y轴)与偏振棱镜的起偏方向二者之间的相对位置实际运用中,关键问题的解决第一,做好“关门”实验调Q激光器安装好后,给KDP电光晶体加恒定的V/4电压,并绕其光轴转动晶体,打激光.反复微调电光晶体,直至其x轴(或y轴)与偏振棱镜的起偏方向平行.同时,适当微调V/4电压值,直至发射激光时,激光器完全不能振荡.说明电光Q开关已处于完全关闭的状态.,第二,准确调整开关的打开的延迟时间 接通电
9、光晶体上的高压退压电路,发射动态激光,微调氙灯开始泵谱到退去V/4电压之间的延迟时间电位器,边测量激光的强弱,边微调延时电位器旋纽,直到激光输出最强为止.消除电光晶体的光弹效应 在外电场作用下,晶体内部会产生机械应力使晶体的折射率发生变化.给晶体加一个瞬时的负高压来消除光弹效应所造成的影响,三、单块双45电光调激光器利用LN晶体的横向电光效应激光器的结构,LN45斜面矩形长方体光轴Z轴电压X轴不影响通光,电场均匀结构优点:不需要加偏振器插入损耗小结构简单,工作原理,结论第一,AB段-起偏器;后段-检偏器;双45LN晶体等效于在两个偏振器之间夹一个电光晶体第二,当在晶体上加有V=V/2 时,通过
10、晶体的o光和e光都偏离了原来入射光的传播方向.此时,腔内光路不同,损耗很高,Q开关处于关闭状态,不能形成激光振荡.典型的双45LN调Q器件的脉宽为610ns,峰值功率大于10MW,单脉冲能量可达200mJ,四、电光晶体材料和电极结构电光晶体材料核心器件,电光晶体材料的选择:消光比,半波电压,抗破坏阈值和透过率(1)消光比衡量电光Q开关性能的重要指标取决于晶体折射率的均匀性KDP晶体的消光比可达104以上LN晶体的消光比,最高可达103(2)半波电压V/2 高,使用不安全,对电路干扰大(3)抗破坏阈值能承受比较高的功率密度KD*P可达500MW/cm2LN晶体低,(4)透过率要求高的透过率,以减
11、小插入损耗KD*P0.22.0um从可见光到1.4um,透过率85%LN晶体0.45um,最高透过率可达98%电光晶体的防潮问题:LN晶体不易潮解,无需密封KD*P易潮解,通光表面发毛,通光损耗增大,电极结构设计原则:使晶体内电场分布均匀横向运用的LN晶体,电场方向与通光方向垂直,电极作成平板形,6.1.4 可饱和吸收调Q,利用可饱和吸收介质的吸收特性,将其置于谐振腔中,通过控制腔内的吸收损耗来实现Q值的突变优点:结构简单、方便实用被动Q开关最早出现于1964年,一、可饱和吸收染料调Q原理,可饱和吸收染料的性质:吸收系数非常数Is饱和吸收光强,与染料的种类和浓度有关浓度增大,Is增大可饱和吸收
12、染料调Q适用于脉冲激光器,二、可饱和吸收染料的速率方程,二能级系统染料分子对频率v的激光辐射的吸收截面为在开始照射时,荧光很弱,染料物质在通光方向的 厚度为l,初始吸收系数初始透过率为初始透过率是设计染料Q开关的主要参数。可直接用分光光度计测量,初始透过率低,腔内不能形成激光振荡,随着光泵的作用,染料分子跃迁到激发态,吸收截面减小进一步增大泵谱光,吸收截面进一步减小,最后达到动态平衡此时,吸收达到饱和,染料透明谐振腔实现了Q值的突变,产生巨脉冲,根据染料分子能级的速率方程推导其吸收截面随时间变化的规律染料分子激发态能级粒子变化的速率方程为,染料Q开关的吸收截面随时间和入射激光辐射密度变化的方程
13、当入射光强度很强(很大)时,吸收截面很小,透过率最大,染料透明,三、染料调Q激光器结构,1染料调Q激光器结构 脉冲激光器插入染料盒,染料三种基本要求:1.波长匹配且吸收带宽窄(见书251页)对激光波长具有强烈的可饱和吸收2.染料要有适当的饱和光强值表征染料饱和效应强弱的重要参量3.染料溶液要有良好的光化学稳定性,2.染料调Q激光器的输出特性(1)阈值输入能量使激光器输出单脉冲所对应的最低输入能量,(2)坪宽产生双脉冲的阈值输入能量与产生单脉冲的阈值输入能量之差泵谱能量控制在坪区的中点附件(3)阈值效率在阈值泵谱条件下,器件的输出能量与输入能量之比,3.影响染料调Q激光器输出特性的主要因素(1)
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