硅工艺半导体工艺复习ppt课件.ppt
《硅工艺半导体工艺复习ppt课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《硅工艺半导体工艺复习ppt课件.ppt(28页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、课程复习,河北工业大学信息学院微电子研究所,半导体工艺原理,潘国峰,第一部分 衬底制备与加工环境,1.1 衬底材料(了解)一、衬底材料的类型1.元素半导体:Si、Ge、C(金刚石)2.化合物半导体:GaAs、SiGe、SiC、GaN、InP3.绝缘体:蓝宝石二、对衬底材料的要求(了解)1.2 单晶的制备一、直拉法(CZ法)的流程、基本原理(掌握)二、悬浮区熔法(float-zone,FZ法)(了解)三、水平区熔法(布里吉曼法)-GaAs单晶,1.3 衬底制备,一、晶体的整形(了解)二、晶体定向(了解)1光图像定向法2.X射线衍射法三、晶面标识(熟悉)1主参考面(主定位面,主标志面)2.次参考面
2、(次定位面,次标志面)识别晶向和导电类型四、晶片加工(掌握)切片、磨片、抛光1.4 加工环境(了解),第二部分 掺杂技术,1 扩散一、扩散原理(熟悉)本质上:扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果。方向上:高浓度向低浓度扩散。1.菲克第一定律 J=-DN2.扩散模型(掌握)间隙式扩散 替位(代位)式扩散,3.扩散系数(熟悉)D=D0 exp(-Ea/kT)D0表观扩散系数,Ea激活能;D是描述粒子扩散快慢的物理量,是微观扩散的宏观描述。4.菲克第二定律扩散方程(掌握),二、扩散杂质的浓度分布,1.恒定表面源扩散/恒定表面浓度扩散(掌握)定义(特征):在扩散过程中,Si片表面的杂质浓度始终不变。
3、例如:预淀积,箱法扩散 余误差分布,杂质总量结深,2.有限表面源扩散/恒定杂质总量扩散(掌握),定义(特点):在扩散过程中,杂质源限定于扩散前淀积在晶片表面极薄层内的杂质总量Q,没有补充,也不会减少。例如:再分布。高斯分布结深,3两步扩散工艺(熟悉),第一步:较低温度下,预淀积;第二步:较高温度下,再分布;两步法的浓度分布:预淀积(恒定源扩散)余误差分布;目的:准确控制表面杂质总量Q。再分布(有限源扩散)高斯分布目的:达到所需的Ns和Xj,4.实际杂质分布(理解)5扩散层质量参数(了解),2-2 离子注入,特点(掌握)注入温度低掺杂数目完全受控无污染横向扩散小不受固溶度限制注入深度随离子能量的
4、增加而增加。缺点:损伤(缺陷)较多:必须退火。成本高一.离子注入设备(了解),二.能量损失模型(掌握)1.核阻挡模型2.电子阻挡模型三.注入深度(了解)1.总射程RE0Ene,即以电子阻挡为主,令Sn(E)=0,则Rk2E01/2,2.投影射程XP3.平均投影射程RP4.标准偏差(投影偏差)RP反映了RP的分散程度(分散宽度)。,四.浓度分布1.高斯分布(了解)2.横向效应(熟悉)3.沟道效应(熟悉)减小沟道效应的途径注入方向偏离晶体的主轴方向;提高温度;增大剂量;淀积非晶表面层(SiO2);在表面制造损伤层。五.注入损伤与退火(了解),掌握掺杂的目的,作用、特点及影响因素;扩散及离子注入的原
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 工艺 半导体 复习 ppt 课件
链接地址:https://www.31ppt.com/p-2098026.html