水污染控制光催化氧化技术ppt课件.ppt
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1、1,水污染控制,光催化氧化技术,2,目 录,2,光催化氧化技术的基本原理及特点,1.,光催化氧化技术的影响因素,2.,光催化氧化技术存在问题,.3,参考文献,.4,3,光催化氧化技术的概念,3,光催化氧化是在反应溶液中加入一定量的半导体催化剂,使其在紫外光的照射下产生,通过 的强氧化作用降解有机污染物。,4,4,光催化氧化技术的基本原理半导体的能带理论,当用能量等于或大于禁带宽度的光照射时,半导体价带上的电子e-被激发跃迁到导带,同时在价带产生相应的空穴h+,这样在半导体内部生成e-h+对。它们能够在电场作用下或通过扩散的方式运动,与吸附在半导体催化剂粒子表面上的物质发生氧化或还原反应。,5,
2、5,图1 光催化氧化原理图,价带,禁带,导带,还原性物质被空穴h+氧化,氧化性物质被电子e-还原,6,6,常用的催化剂,光催化氧化常用的催化剂有:TiO2、ZnO、CdS、WO3 等。TiO2原料易得,耐腐蚀性能好,对光的稳定性强,且具有较强的光催化氧化能力,是使用最多的光催化剂。,图2 TiO2光电效应图,7,7,TiO2光催化机理,8,8,光催化氧化技术的特点,适用范围广,处理效果好反应成本低且反应条件温和反应易于控制且反应过程不产生二次污染反应速度快,9,9,光催化氧化的影响因素 催化剂用量,有机污染物的降解率开始随TiO2用量的增加而提高,当量增加到一定量时降解速率不再提高,反而有所下
3、降。开始速率提高是因为催化剂的增加,产生的 增加,当催化剂增加到一定的程度时,会对光吸收有影响。,10,10,Fig.3 Effect of catalyst loading on photocatalytic degradation rate of Brij 35Experimental condition:Brij 350=0.25mM,I=19.9mW cm-2,VL=250mL,T=298K,pH7.0,最佳催化剂量0.1g/L,11,11,Fig.4 Effect of catalyst loading on PCD of phthalic acid(phthalic acid co
4、ncentration=100mg/L,reaction time=6h),12,12,光催化氧化的影响因素 污染物种类,吸附到TiO2表面的速度较快,但降解速度较慢,苯环结构易受 攻击,有机污染物,以长碳链为主的烷烃类,含苯环的芳香族类化合物,13,13,Fig.5 Degradation of various aromatic carboxylic acids with time(acid concentration=100mg/L,catalyst amount=2.5g/L),邻氯苯甲酸,苯甲酸,邻苯二甲酸,邻硝基苯甲酸,14,14,光催化氧化的影响因素温度,受温度影响的反应步骤主要是
5、吸附、解吸、表面迁移和重排,而这些均不是决定光反应速率的关键步骤,因而反应温度对光催化降解污染物的影响很小。,15,15,麦草畏化学结构,Fig.6 Effect of temperature on the solar photocatalytic degradation of dicamba in aqueous solution.Insert figure:plot of Ln(k)versus 1/T.Dicamba=10g/mL,TiO2=30mg(1mg/mL),irradiation time=10min,light intensity=1.6 mW/cm2,pH5.0.,16,1
6、6,光催化氧化的影响因素 温度,Fig.7 Proposed photocatalytic degradation pathway of dicamba.,17,17,光催化氧化的影响因素 pH,反应体系的pH值对TiO2表面态、界面电位和表面电荷及聚集性均有较明显的影响。pH较低时,TiO2表面质子化,使其表面带有正电荷,因而对光生电子向TiO2表面转移有利;pH较高时,OH-将使TiO2表面带有负电荷,有利于空穴从颗粒内部转移到颗粒的表面;因此,光催化氧化一般在pH值较高或较低时反应速度最大。,18,18,Fig.8 Effect of initial pH on the solar ph
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