第五章CCD 图像传感器ppt课件.ppt
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1、第五章 CCD 图像传感器,图像传感器(Imaging Sensor ,缩写为IS,又称成像器件、摄像器件)作为现代视觉信息获取的一种基础器件,因其能实现信息的获取、转换和视觉功能的扩展(光谱拓宽、灵敏度范围扩大),能给出直观、真实、层次最多、内容最丰富的可视图像信息,所以在现代社会中得到了越来越广泛的应用。 图像传感器的功能是把光学图像转换为电信号,即把入射到传感器光敏面上按空间分布的光强信息(可见光和非可见光)、转换为按时序串行输出的电信号 视频信号,而视频信号能再现入射的光辐射图像。把空间图像转换为按时序变化的电信号的过程称为扫描。,50年代前,摄像的任务主要都是用各种电子束摄像管(如光
2、导摄像管、飞点扫描管等)来完成。60年代后期,随着半导体集成电路技术,特别是MOS集成电路工艺的成熟,各种固体图像传感器得到迅速发展,到70年代末期。已有一系列产品在军事、民用各方面得到广泛应用。 固体图象传感器(Solid State Imaging Sensor 缩写为SSIS)主要有三大类型、一种是电荷耦合器件(Charge Coupled Device简称CCD),第二种是MOS图象传感器,又称自扫描光电二极管列阵(Self Scanned Photodiode Array,简称SSPA),第三种是电荷注入器件(Charge Injection Device,简称CID)。目前,前两种
3、用得比较多。,同电子束摄像管相比,固体图象传感器有以下显著优点: (1)全固体化,体积很小,重量轻,工作电压和功耗都很低;耐冲击性好可靠性高,寿命长。 (2)基本上不保留残象,无象元烧伤、扭曲,不受电磁干扰。 (3)红外敏感性。硅的SSPA光谱响应:0.201.0;CCD可作成红外敏感型;CID主要用于光谱响应大于35微米的红外敏感器件。 (4)象元尺寸的几何位置精度高(优于1微米),因而可用于不接触精密尺寸测量系统。 (5)视频信号与微机接口容易 主要应用领域:小型化黑白/彩色TV摄象机;传真通讯系统;光学字符识别(OCR: Optical Character Recognition);工业
4、检测与自动控制;医疗仪器;多光谱机载和星载遥感;天文应用;军事应用。,CCD摄像器件由光敏(光积分)单元和电荷转移单元(读出移位寄存器)组成,每个光敏单元对应一个象素如下图所示。各单元的基本结构如右图所示,由金属、绝缘层、半导体构成。VG加正向偏压后在半导体内形成“电子势阱(耗尽区)”,势阱的深度由VG的大小来控制。电子势阱可以用来存放电子,这些电子的注入方式既可用“光注入”(光敏单元采用光注入),也可以用“电注入”(转移电荷时采用电注入)。,对于光敏单元,当受到光线照射时,在光子的作用下,半导体内产生电子空穴对,空穴被排斥,电子被电子势阱俘获。这种光生电子作为反映光强的载体电荷包被收集,成为
5、光电荷注入,这就是CCD摄像器件的光电变换过程。势阱内电荷包的大小与光照强度和光照时间成正比。 光敏单元电子势阱的电荷包可以通过转移栅的作用并行地转移到读出移位寄存器(电荷转移单元)中,读出移位寄存器在读出脉冲(三相或四相脉冲)的作用下把各个来自光敏单元的电荷包读出,从而获得各个像素的亮度值。,读出移位寄存器的工作原理是依靠MOS电容与其电子势阱的存储电荷作用,以及改变栅压高低可以使势阱内电荷包逐个势阱转移的效应。当MOS电容栅压VG增高时,在半导体内部被排斥的电荷数也增加,耗尽层厚度增加,半导体内电势越低,电子则向耗尽层移动、存储象对电子的陷阱一样,称为电子势阱。电子势阱可以用来存放电子。其
6、特点是:当VG增加,势阱变深;当VG减小,势阱变浅,电子向势阱深处移动。,在栅极加正偏压之前,P型半导体中的空穴(多子)的分布是均匀的。加正偏压后,空穴被排斥而产生耗尽区,偏压增加,耗尽区向内延伸。当UG Uth时,半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高,以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面,形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。,电荷存储,5.1 CCD图像传感器,电荷的转移(耦合),电荷的转移(耦合),第一个电极保持10V,第二个电极上的电压由2V变到10V,因这两个电极靠得很紧(间隔只有几微米),它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第一个
7、电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有。若此后第一个电极电压由10V变为2V,第二个电极电压仍为10V,则共有的电荷转移到第二个电极下的势阱中。这样,深势阱及电荷包向右移动了一个位置。CCD电极间隙必须很小,电荷才能不受阻碍地自一个电极转移到相邻电极。对绝大多数CCD,1m的间隙长度是足够了。,主要由三部分组成:信号输入、电荷转移、信号输出。输入部分:将信号电荷引入到的第一个转移栅极下的势阱中,称为电荷注入。电荷注入的方法主要有两类:光注入和电注入电注入:用于滤波、延迟线和存储器等。通过输入二极管给输入栅极施加电压。光注入:用于摄像机。用光敏元件代替输入二极管。当光照射CCD硅片时,在栅极附近
8、的半导体体内产生电子空穴对,其多数载流子被栅极电压排开,少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。,的工作原理,P-Si,输入,栅,输入二极管,输出二极管,输出,栅,SiO2,在栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值的电压,则在半导体表面形成不同深浅的势阱。势阱用于存储信号电荷,其深度同步于信号电压变化,使阱内信号电荷沿半导体表面传输,最后从输出二极管送出视频信号。为了实现电荷的定向转移,在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的循环结构。一位CCD中含的MOS个数即为CCD的像数。以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD,简称为N型CCD。而以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟
9、道CCD,简称为P型CCD。由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高得多。,的工作原理,为确保CDD的转移功能,对时钟脉冲的要求是:1)三相时钟脉冲有一定的交叠,在交叠区内,电荷包的源势阱与接收势阱同时共存,以保证在这两个势阱间进行充分转移;2)时钟脉冲的低电平必须保证沟道表面处于耗尽状态;3)时钟脉冲幅度选取得当。,CCD的特性参数,作为成像器件,CCD的主要特性参数仍然是灵敏度、分辨力、光谱响应以及信噪比等。但CCD还起着电荷传输的作用,故还应包括转移效率、噪声、功耗等参数。 主要参数:转移效率 和损耗率时钟频率的上、下限光谱特性和光电特性,CCD的特性参
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