第9章IC工艺薄膜物理淀积技术课件.ppt

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1、2022/12/20,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Metal Layers in a Chip,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Multilevel Metallization on a ULSI Wafer,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Copper Metallization,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,9.1.薄膜沉积的特点：pages 296微电子技术中的薄膜种类繁多，一般都不能（也不需要）形成与衬底晶格匹配的晶体。形成非晶或多晶薄膜即可（但要求其界面的应力足够小）。其生长的过程大致为：晶核形成、晶粒成长、晶粒聚

2、结、逢道填补、成积膜成长。,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,晶粒自由能对成核的影响：临界半径表面能的约束界面亲和能对成核的影响：浸润湿夹角界面键的形成晶粒间界的形成与多晶膜的生长：杂质的影响：非晶膜的形成：（Si非晶膜、多晶膜和外延层的形成）,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,9.2.几种物理沉积（PVD）方法1）热阻加热蒸发镀膜常规真空系统：（Ch 12）,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,油扩散泵原理:(P.245),第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,无油真空系统：,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,分子泵,第9章IC工艺薄膜物理淀积

3、技术,低温吸附泵,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,溅射离子泵（Ti升华泵）,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,真空的测量9.4, 热偶规电离规,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,坩埚: 与蒸发材料的粘润性和互溶度钨、刚玉等 P302303,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,优点与缺点：系统简单、可蒸镀各种材料、易做厚膜纯度不够高、镀膜速率不易控制、均匀性较差（星型夹具）平衡蒸气压：合金与化合物蒸发：P305无分解蒸发、分解蒸发；不同蒸气压的蒸发膜厚的实时测量：石英振荡法（原

4、理？）精度可达0.01,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Simple Evaporator,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,2）电子束蒸发：纯度高镀膜速率易控制诱生软x射线：辐照损伤问题,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,3）溅射沉积 (10.5)(12.612.8)直流溅射,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,RF Sputtering System,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,射频溅射： 解决绝缘靶材料上的电荷堆积问题和合金材料的组分问题等离子体溅射：低压（电压、气压）磁控溅射：提高离化率、分离非

5、离化离子优点：？工艺： （组分的控制，界面态）台阶覆盖： （301，12.10 Morphology and Step Coverage）,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,(台阶的应用),第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,9.3. PVD的主要应用PVD技术主要用于金属膜的制备（也可以用于非金属薄膜材料的生长）9.3.1 主要金属材料连线材料（铝Al、铝铜合金、铜Cu）阻挡层金属（W、Ti、Mo、Ta等）硅化物（Pt、W、Ti等）金属填充物（W等）其它*真空度对生长膜质量的影响*材料纯度对生长膜质量的影响*技术方法对生长膜质量的影响,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Silicon and Sel

6、ect Wafer Fab Metals (at 20C),第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,9.4. 器件中的金属膜在器件中的作用：欧姆电极、连线、肖特基接触9.4.1.欧姆接触与肖特基接触（半导体物理）1、金属功函数与半导体亲合能对金半接触时的界面空间电荷区的影响阻挡层和反阻挡层的形成2、界面态的影响？费米能级钉扎3、隧穿效应4、与半导体载流子浓度的关系,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,5、实现低欧姆接触的途径高掺杂（正面）粗表面（背面）合金（双面）：合金层和扩散层表面态的形成6、实现肖特基接触的途径表面态的处理金属的选择表面的处理镀膜温度和速率,表面费米能级的工艺调制,第9章IC工艺薄膜物

7、理淀积技术,9.4.2. Al在硅器件中的特点Al是硅平面器件中的三种基本材料之一主要做欧姆电极和连线，也能与p型硅形成欧姆接触。欧姆电极和连线材料的要求：电阻率低、稳定抗氧化、与基质材料的粘接性好、能与各型硅材料形成良好的欧姆接触、易于光刻、易于键合,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,1、金属（Al）的电阻率、粘附性和可光刻性,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,2、几个物理问题1）合金的形成相图固溶度金属化合金温度的选择557C合金处理也将改变界面态,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,2）界面渗透 557C 金属化时，Al/Si界面的渗透主要是Si向Al内扩散。 金属/半导体界面的低温相互渗透，将

8、使界面的机械强度增加，但也可能影响界面态的稳定。 Al/SiO2界面的在低温下可形成一极薄的Al2O3层,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,3） Al/Si接触中的尖刺现象 Al向硅中扩散，（100）方向的扩散系数大，所以MOS IC器件中明显。,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Junction Spiking,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,尖刺现象的抑制： Al/Si合金层结构但Si从Al 中分凝将在Al层中形成单晶硅“结瘤”或“外延膜”使接触整流化。 Al/多晶Si双层金属化结构重掺杂（P、As）多晶硅具有低阻、互连性好、多晶

9、粒不易在低温下再结晶等特点。但不适宜在p型层上作互连。,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Al-阻挡层结构用薄（几十纳米）金属膜（Ti0.030.28W、TiN 0.4） 作Al/Si间的阻挡层（可在600C下阻挡Al 20h）。TiW的压应力大，因而目前多用TiN。由于TiW、TiN与Si的欧姆接触和粘附性不好，故需在阻挡层和Si之间加一层金属硅化物（如：PtSi、Pd2Si、CoSi等），形成多层金属化电极。,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,4）电迁移现象： 表观现象为，Al电极引线在大电流密度作用下，一部分出现空洞而断裂，一部分出现Al原子堆积而形成小丘。,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,

10、主要机理是，在高电流密度（106A/cm2）Al离子被电子风“吹”离晶格位置。 对策包括，Al膜多晶化、Al-Cu等合金、夹心结构、介质膜覆盖和Cu基材料。肖特基接触还大量用于MESFET器件AlCu合金工艺（提高抗电迁移能力，Cu0.54%）Cu工艺：抗电迁移能力强、电阻率低、较少的工艺步骤（难度：难于等离子刻蚀、本身的抗氧化能力小、与硅相互作用）,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,通常用溅射（SPUTTER）方法淀积Al,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,9.4.3. 钛金属硅化的自对准工艺要点：钛能与硅形成难腐蚀的低电阻的TiSi2合金（工艺难点），而不易与其它介质材料形成化合物。 Al栅的

11、困难,0.13m,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Formation of Self-Aligned Metal Silicide (Salicide),第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,Chip Performance Issues Related to a Salicide Structure,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,9.4.4. 光学薄膜等应用,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,结构1包含三层金属，自下而上依次为Ni（150 ），Ge（400），Au（1500 ）。因为AuGe与InGaAs的浸润性很差，Ni起湿润作用，防止“缩球”发生，同时还能促进Au与InGaAs的反应，提高Ge

12、的内扩散能力，起着整个相变反应催化剂的作用5。Ge在一定温度下通过扩散进入InGaAs并占据Ga空位，成为施主杂质，因而在合金层下形成一层高掺的n+层6，这是形成欧姆接触的关键。Au会促使InGaAs的分解以及Ga的外扩散，形成Ga空位；同时Au还能提高合金后的薄层电导率，改善合金形貌。,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,结构2包含六层金属，自下而上依次是Ni（40 ），Ge（40 ），Au（660 ），Ge（80 ），Ni（30 ），Au（2200 ）。前三层金属Ni，Ge，Au的用途与结构1中的三层金属类似。第四层金属Ge的作用主要是使NiGeAu系统保持一定的化学计量比。第五层金属Ni在前面几层金属与第六层的Au之间形成一层阻挡层防止过多的As扩散进入顶层的Au7。第六层金属Au用于提高合金后薄层电导率，改善表面合金形貌。,2022/12/20,第9章IC工艺薄膜物理淀积技术,演讲完毕，谢谢听讲!,再见，see you again,3rew,