薄膜太阳能电池完整版课件.ppt
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1、.,薄膜太阳能电池,组员:王文丽 孙有政吕立锋晋俊超杨鸣春,.,主要内容,太阳能薄膜的性能表征,4,1,薄膜太阳能电池介绍,.,背景介绍,.,1993年,欧洲CIS(EuroCIS)研究中心使用CdSCu(In,Ga)Se2结构,成功将效率提升到15左右。,1996年,美国可在生能源国家实验室(NERL) 效率提高到了177。直到现在为止,NERL已将效率再往上提升至195,研究历程,南开大学的CIS太阳能电池研究小组,在CIGS太阳能电池的转换效率上已经达到121左右,.,发展现状,我国高度重视薄膜太阳能电池技术的研发和产业化,与国际先进水平差距逐步缩小,积极有序地发展。截至2008年底,我
2、国已建成并投产的14家薄膜太阳能电池企业的产能约达125.9MW,年产量约为46MW。截止2009年底,已开工建设和已开展前期工作宣布建设的薄膜太阳能电池项目将近40个,按其规划,2014年前全部建成后的产能将高达约4000MW。,.,薄膜太阳能电池的原理,主要是利用光伏效应(photovoltaic effect)将光能直接转换成电能的一种P-N结半导体装置。,当晶片的接触面受光后,只要光子的能量等于或大于Eg,就会把电子从价带激发到导带,在价带中留下一个空穴,产生电子-空穴对。如果所产生的电子-空穴对有足够长的寿命,各自扩散到p-n 结的势垒区附近,在p-n 结的内建电场作用下被互相分离,
3、光生的非平衡空穴往带负电的p 型区移动,电子往带正电的n 型区移动。在p-n 结开路情况下。n 区边界将积累非平衡电子,p 区边界将积累非平衡空穴,产生一个与p-n 结内建电场方向相反的光生电场Voc,这就是光伏效应。在p-n 结短路情况下光生电子和光生空穴分别产生电流Jn 和Jp,总的光生电流密度Jsc为两者之和。此时在晶片的两边加上电极并引入负载,只要光照不停止,就会不断地有电流流过电路,p-n 结起到了电源的作用,这就是光电池的基本工作原理。光照在接触面产生的电子空穴对愈多,电流愈大。,.,薄膜太阳能电池的特色,1.相同遮蔽面积下功率损失较小(弱光情况下的发电性佳)2.没有内部电路短路问
4、题(联机已经在串联电池制造时内建)3.照度相同下损失的功率较晶圆太阳能电池少4.有较佳的功率温度系数5.较高的累积发电量6.只需少量的硅原料7.较佳的光传输8.厚度较晶圆太阳能电池薄9.材料供应无虑10.可与建材整合性运用(BIPV),.,非晶硅(Amorphus Silicon, a-Si),微晶硅(Nanocrystalline Silicon,nc-Si,Microcrystalline Silicon,mc-Si),化合物半导体II-IV 族(CdS、CdTe、CuInSe2),色素敏化染料(Dye-Sensitized Solar Cell),有机导电高分子(Organic/poly
5、mer solar cells),CIGS (铜铟硒化物),太阳能电池的分类,.,薄膜太阳能模块结构图,薄膜太阳能模块是由玻璃基板、金属层、透明导电层、电器功能盒、胶合材料、半导体层.等,.,半透明式的太阳能电池模:建筑整合式太阳能应用,薄膜太阳能之应用:随身折迭式充电电源、军事、旅行,薄膜太阳能模块之应用:屋顶、建筑整合式、远程电力供应、国防,薄膜太阳电池产品应用,.,国内投资状况,.,国外投资状况,.,染料敏化太阳能电池,孙有政,.,染料敏化太阳能电池结构,.,Click to add title in here,TiO2薄膜的性能及应用,.,TiO2薄膜的常用制备工艺,.,太阳能薄膜制备
6、方法,.,溶胶凝胶法制备TiO2太阳能薄膜,.,制备纳米TiO2粒子溶胶或前躯体,.,实验举例,.,存在的问题及改进,显然,通过涂覆的办法只能得到小尺寸的薄膜,而我们希望薄膜的尺寸越大越好。使用丝网印刷法制备出大面积的TiO2薄膜,具体工艺如下:,.,硅薄膜太阳能电池,吕立锋,.,硅薄膜太阳能电池,硅薄膜太阳能电池可以分为以下三类:,.,硅薄膜太阳能电池,晶体硅太阳电池是光伏市场的主导产品之一,薄膜硅太阳能电池,特点,生产工艺,高效率、低成本、大规模生产发展,不采用由硅原料、硅锭、硅片到太阳电池的工艺路线,而采用直接由原材料到太阳电池的工艺路线,发展薄膜太阳电池的技术,材料大多来自半导体硅材料
7、的 外品和单晶硅的头尾料,原料紧缺,制作成本高,不能满足光伏工业发展的需要,硅材料是构成晶体硅太阳电 池组件成本中很难降低的部分,全球太阳能电池最大的生产企业日本夏普电器公司董事长片山干雄指出:“2013年之前是薄膜硅和结晶硅齐头并进,2013年以后薄膜硅将成主流。”,.,多晶硅薄膜太阳能电池制备,目前,制备多晶硅薄膜太阳能电池多采用各种化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺和快热化学气相沉积(RTCVD)工艺。此外还有半导体液相外延生长法、固相结晶法和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜太阳能电池。,.,非晶硅薄膜太阳能电池制备,.,非晶硅薄
8、膜太阳能电池制备,三种主要的制备方法中,PECVD法最为成熟,在低温下就可以制备非晶硅太阳能电池。等离子体增强化学气相沉积:是在沉积室内建立高压电场,反应气体在一定气压和高压电场作用下,产生辉光放电,反应气体被激发成非常活泼的分子、原子、离子和原子团构成的等离子体,大大降低了沉积反应温度,加速了化学反应过程,提高了沉积速率。,.,非晶硅薄膜太阳能电池制备,三室连续PEVCVD沉积系统。该沉积系统由PIN三个反应室、真空系统、供气系统、激励电源与衬底加热系统等主要单元组成。PIN三个反应室都开有观察窗口,P室和N室分别进行p型与n型材料的沉积,I室用于制备本征层(i层)材料,.,非晶硅薄膜太阳能
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