常用微波元件ppt课件.ppt
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1、5.1 基本微波元件 5.2 微波无源器件 5.3 微波谐振器 5.4 微波有源器件习题,第5章 常用微波元器件,5.1 基本微波元件5.1.1 电阻性微波元件在微波波段要控制传输线内的传输功率,就需在传输线中接入衰减器,它相当于低频电路中的电阻元件。微波电阻性元件主要是微波衰减器。衰减器一般有两类,即吸收式和截止式。另外,匹配负载在本质上也属于吸收衰减器,只不过一般衰减器为两端口,接在传输线始端或中间某一位置,而匹配负载为单端口器件,接在传输线终端。衰减器的主要作用是消除负载失配对信号源的影响,即“去耦”,以及调节微波源输出功率电平。匹配负载主要用于建立传输线中的行波状态。对衰减器一般的要求
2、是具有一定的工作频带, 有较小的输入驻波比, 较少的起始衰减量和确定的衰减频率特性。对匹配负载的一般要求是具有宽工作频带、小输入驻波比和适当的功率容量。,1. 吸收式衰减器图5-1给出了一种矩形波导吸收式衰减器。它是利用吸收片吸收部分能量而达到吸收效果的。在一段矩形波导中,垂直于宽壁沿纵向放一块两端做成尖劈形(以减小反射)的介质片,片上涂有电阻膜片以构成吸收片。由于吸收片与矩形波导中TE10模的电场平行,故其片上将有电流J=E流过,于是一部分能量将在电阻膜上转化为热能,构成衰减。,图5-1 一种吸收式衰减器,因为TE10波的电场沿波导宽边的分布是中间强,两边弱,于是吸收片位于波导中间时衰减最大
3、,移向窄壁时衰减最小。利用这个原理设法将吸收片沿波导宽边移动便可做成可变衰减器。移动吸收片位置的支撑杆可用细介质棒做成,若吸收片较长需用两根杆支撑时,杆距l常取p/4的奇数倍,目的是使两根介质棒产生的反射波在波导输入口处反相而抵消。另一种矩形波导吸收式可变衰减器是沿波导宽壁纵向开槽的,槽中插入吸收片,片与TE10模的电场平行。这种衰减器的衰减量随吸收片插入深度的不同而改变大小。,衰减器衰减量的大小用A来表示,设Ei和Eo分别为衰减器的输入和输出电场强度, 则(5-1-1)(5-1-2) 一般说来,吸收式衰减器的衰减量与吸收片的位置及频率之间没有一个简单的数学关系,必须用功率计或标准衰减器进行点
4、频定标,从而获得刻度衰减量曲线。,2. 截止式衰减器截止式衰减器是利用波导的截止特性做成的。图5-2是一种截止式衰减器的结构示意图。这种截止式衰减器的主体是一段处于截止状态的圆波导。选择圆波导的半径应满足截止条件,(5-1-3),图5-2 一种截止式衰减器(a) 截止式衰减器结构图; (b) 衰减量与移动距离的关系,这种截止衰减器具有如下特点:(1) 衰减量与移动距离l之间成线性关系,并且衰减系数可由有关公式算出,因此这种衰减器也可作为衰减量的标准。(2) 当c时,衰减系数很大,移动不太长的一段距离,就可得到很大的衰减量。(3) 由于截止圆波导中不存在吸收性材料,故其衰减不是由于损耗而是由于反
5、射所引起的,所以截止式衰减器属于反射式衰减器一类。(4) 由于圆波导输入、输出端反射都很大,因此无论对输入同轴线还是输出同轴线而言都是严重失配的。,为了改善其输入端的匹配,在输入同轴线的终端接以匹配负载; 为了改善其输出端的匹配,在小环上装有一个电阻,使其阻值R=Z0。经如此改善后的输入、输出同轴线几乎都接近匹配。在需要获得很大衰减量或者要求衰减调节范围很宽时可采用截止式衰减器。,3. 匹配负载匹配负载是一种接在传输系统终端的单端口微波元件,它几乎能无反射地吸收入射波的全部功率。图5-3(a)所示的是一种矩形波导小功率匹配负载,它是内置有吸收片的终端短路的一段波导。吸收片的存在对波导系统来说总
6、是引入了一种不连续性,为了尽量减小反射,吸收片应做成尖劈形,且其长度应为p/2的整数倍,如图5-3(b)所示。只有这样才能使吸收片在斜面上的每一点引起的电磁波的反射都能被与其相距p/4的另一点引起的反射所抵消,从而使波导系统得到良好的匹配。尖劈是一种缓变过渡结构。实践表明,由此引起的对波的反射远小于突变结构,且尖劈劈角越小,即斜面拉得越长,匹配性能愈好。这种小功率匹配负载允许耗散的平均功率达W级,一般可在10%15%的频带内达到驻波比1.05的近于理想的匹配程度。,图5-3 匹配负载(a) 矩形波导小功率匹配负载; (b) 匹配负载的吸收片,5.1.2 电抗性微波元件电抗性微波元件在微波系统中
7、起着类似于低频电路中L、C及其组合元件的作用。利用在传输线中插入某种由于不连续性而激起的高次模截止场所呈现的不同特性来构成一个相当于集总参数的电感或电容,这便是微波电抗元件的构成思想。,在实际的微波传输系统中不可避免地会出现各种形式的不连续性,如在波导传输线中引入膜片、销钉、拐角、分支等都会导致微波系统的不连续性。不连续性会引起波的反射和激发高次模,而局限在不连续性近区中的处于截止状态下的高次模,其电场与磁场的储能是不均衡的。若截止场中以磁能为主,则这种不连续的简单等效电路就为电感,反之,就等效为电容。高次模对单模传输系统的工作状态将产生不利影响。但当传输系统原本存在有反射时,我们可在传输线上
8、适当的位置人为地引入一定量的不连续性以产生附加反射来抵消传输系统原有的反射,从而使传输系统获得近似于匹配的状态。所以,有时也称像波导中的膜片、销钉和螺钉等一类的电抗性元件为调配元件。,1. 波导中的膜片电感膜片和电容膜片波导中的膜片包括电感膜片和电容膜片。膜片是配置于波导横截面上的带有某种形状的金属片。膜片按其本身的结构及与矩形波导中TE10模场分布的关系可分为感性和容性两种,而每一种膜片本身的结构又有对称和不对称之分。,1) 电感膜片对于矩形波导中TE10模的场,电感膜片的插入将激发起高次模TE30, TE50,TE70, 这是因为只有这些高次模才能抵消TE10波在膜片处的切向电场分量以满足
9、膜片处的边界条件。而这些高次模对于选定的单模传输线来说为截止波,它们不能沿波导传输,只能集中在膜片附近,但它们也各自携有能量。从图5-4(a)所示的电感膜片附近的场分布可见,TE10波的磁场在膜片附近较为集中,故等效电路呈感性电纳。电感膜片在传输线中的等效电路为图5-4(b)所示。,图5-4 电感膜片处的场分布及等效电路电感膜片附近的场分布; (b) 电感膜片在传输线中的等效电路,窗口面积为bd的电感膜片,当膜片的厚度t极薄可以不予考虑时,其相对电纳B的近似计算公式为 (5-1-4a) 当膜片的厚度t不能忽略不计时,则 的计算公式为 (5-1-4b)窗口宽度d越小,等效的相对电纳越大; 当d=
10、0时,窗口消失,膜片成为一短路片,则相对电纳值为无穷大。公式(5-1-4)的精确度大约在10%左右。,2) 电容膜片由图5-5(a)所示的电容膜片附近的场分布可见,TE10波的电场在膜片附近较为集中,故等效电路呈容性电纳。电容膜片在传输线中的等效电路如图5-5(b)所示。,图5-5 电容膜片处的场分布及等效电路(a) 电容膜片附近的场分布; (b) 电容膜片在传输线中的等效电路,窗口面积为ad的电容膜片,当膜片厚度t极薄可以不予考虑时,其相对电纳 的近似计算公式为 (5-1-5a)当膜片厚度t不能忽略时,其相对电纳要加以修正,修正值B为 (5-1-5b) 修正后的电纳为,该公式的精确度为10%
11、左右。d越小,窗口面积越小,相对电纳越大。当d=0时,膜片上的窗口消失,成为一短路片,其相对电纳值为无穷大。,2. 销钉对称电感销钉的结构如图5-6所示。图5-6(a)是单销钉,图5-6(b)是三销钉,还有二销钉、四销钉、五销钉、七销钉等等。它们是一根或多根垂直对穿波导宽壁的金属圆棒。这些销钉起到电感的作用,其原理和电感膜片类似。可将它们看作是具有一定宽度和厚度的窄条电感膜片。电感销钉的相对电纳与电感棒的粗细有关。棒越粗,相对电纳越大。同样直径的电感棒,根数越多,相对电纳越大。从场的观点来看,销钉的根数越多,几何尺寸越大,所引起的高次模就越多,这些TE高次截止波在销钉附近所储存的磁场就越大,其
12、等效感性电纳也就越大。,图5-6 销钉(a) 单销钉; (b) 三销钉,电感销钉的相对电纳近似值计算公式为(5-1-6a)式中,d=2r,r为销钉半径。 (5-1-6b)式中, 和p分别为工作波长和波导波长。,其他电感销钉的相对电纳计算公式见微波工程手册。在实际应用中应注意两点:(1) 棒径越大,公式误差越大,计算结果要比实测值小。若给定所需的 值,则计算出的棒径值在 较大时往往太粗,而在 很小时算出的棒径值又太细。(2) 电感销钉的等效电路实际上不是单纯的电感,而是电容和电感构成的T型网络。但当d=2ra时,即销钉很细时,其串联电容的作用可忽略不计。,3. 可调电抗元件螺钉膜片和销钉有一个共
13、同的缺点,那就是尺寸一旦确定,就只能作为一个固定的电抗元件使用。而螺钉则不同,由于螺钉插入波导的深度可以调节,故其等效电纳值连续可变。在低功率设备中,它是一种被普遍采用的调谐和匹配元件。螺钉可从波导宽壁插入也可从波导窄壁插入。当螺钉从波导宽壁插入时,一方面, 它与电容膜片一样,其附近高次模的电场较为集中,具有容性电纳; 另一方面,波导宽壁上的轴向电流要流入螺钉,产生附加磁场,具有电感量。但当插入深度h较浅时,电感量较小,容抗占优势,总的作用等效为一个电容。,在实际使用时,考虑到螺钉引入的损耗,大功率时还应考虑到击穿场强等问题,因此,螺钉插入深度一般都较浅,所以宽壁插入的螺钉一般作可变电容用。对
14、于窄壁插入螺钉的情况可从场分布受干扰的角度来理解,当窄壁螺钉插入较浅时,主要是TE10模的磁力线受“挤压”而使螺钉处的磁能比原先集中,故螺钉主要呈感性; 随着螺钉插入深度的增加,TE10模的电力线需在螺钉处满足其边界条件而渐变垂直于螺钉,故出现了Ez分量,即螺钉激起了TM高次截止模,所以也呈容性,此时销钉等效为LC并联回路,当销钉插入深度继续增加至穿过窄壁时,螺钉成为电容销钉,等效为一电容。,5.1.3 微波移相器微波移相器是能改变电磁波相位的装置。按控制其相移量的手段不同可分为机械控制(有惯性控制)和电子控制(无惯性控制)两种; 按构成移相器的材料和结构不同又可分为介质移相器、PIN二极管移
15、相器、场效应管移相器和铁氧体移相器等。均匀传输线上两点之间的相位差等于相移常数与两点之间距离l的乘积,即 (5-1-7),因此,就原理而言,移相器只有波程式移相器和波导波长式移相器两种。最简单的波程式移相器是一段可滑动伸缩的传输线或设置几段不同长度的传输线段用PIN二极管或场效应管开关跳跃变程的传输线。而通过改变波导波长改变相移量的方法可有多种,如介质片式、销钉式和铁氧体式等。对移相器的主要技术要求有:移相范围大, 移相精度高, 插入衰减小, 输入驻波比小, 工作频带宽和功率容量大等。图5-7是一种简单的横向移动介质片移相器。当介质片的介电常数一定时,由于矩形波导中TE10波的电场沿波导宽边是
16、按正弦分布的,所以介质片对电磁波相移常数的影响将随位置而变:处于宽边中央时影响最大,处于两侧边时影响最小。,图5-7 横向移动介质片移相器,如果介质片的高度与波导窄边高度相等,厚度较薄,则用微扰理论可求得其相移常数增量为 (5-1-8)式中,0=2/p0为空波导中的相移常数, =2/p为组合结构的相移常数, r为介质片的相对介电常数, S为空波导的横截面积, S为介质片的横截面积, x1为介质片离侧边的距离。,由式(5 - 1-8)可见,当介质片位于波导宽边中央(x1=a/2)时相移量最大,位于侧边(x1=0)时,相移量为零。这种移相器的缺点是相移量(-0)l与片的移动距离x1不成线性关系;
17、它的另一缺点是采用机械传动方式改变x1的位置,很难做出相移的精确刻度, 即相移精度不高。在结构上,介质片的两端做成尖劈渐变形。渐变段的长度为p/2的整数倍以减小片反射; 支撑介质片的两根小棒间距取为p/4的奇数倍,使由两小棒引起的反射相互抵消。,PIN管数字式移相器是由在重掺杂P区和N区之间夹一层电阻率很高的本征半导体I层组成的。当给其零偏压时,由于空间电荷层内的载流子已被耗尽,电阻率很高,故PIN管在零偏时呈现高阻抗; 当给其正偏压时,PIN管呈低阻抗,正偏压愈大管子阻抗愈低; 当给其反偏压时,PIN管的阻抗比零偏时更大,类似于以P、N为极板的平板电容。利用PIN管的正反向特性可构成开关电路
18、。另外, 还有有源场效应管移相器。除具有相移作用外还能够放大射频信号的移相器被称为有源移相器,而GaAs(砷化镓)金属半导体场效应管(MESFET),尤其是双栅(MESFET)是实现这一双重功能的关键控制元件。目前,模拟式和数字式两种场效应管移相器都已实现。,无论何种形式的移相器,其相位的改变量 均为(5-1-9)式中, l为传输线长度的改变量,p为传输线中传输波的相波长,vp为传输线中传输波的相速度,为传输波的工作频率。由上式可见,产生相移的途径不外乎两条: 改变相移段传输线的长度l; 改变波的相速vp或相波长p。,5.1.4 常用波导与波导分支在实际工程应用中,有时需将一路电磁能量分为两路
19、或更多路,这就需用到分支元件。常用的矩形波导分支有E面分支、H面分支、双T接头及魔T等。此外,还有同轴线分支、微带线分支等。,1. 波导E面分支波导E面分支的分支波导位于主波导的宽壁上,且分支平面与主波导内的主模TE10波的电场平面平行,如图5-8(a)所示。这种分支的形状像“T”字,故习惯上称之为E-T接头。我们将主波导的两臂分别记为“1”和“2”,分支臂记为“3”,并假设三个臂的端口均处于该臂高模场区之外,则E-T接头具有如下特性:当主模TE10波从分支臂“3”输入时,主波导“1”和“2”臂中有等幅反相信号输出,如图5-8(b)所示; 当信号从“1”、“2”两臂反相输入时,则“3”臂中有和
20、信号输出,如图5-8(c)所示; 当信号从“1”、 “2”两臂同相输入时,则“3”臂中有差信号输出,若“1”、“2”两臂的输入信号等幅同相,则“3”臂中输出信号为零,如图5-8(d)所示。由此可见,当E-T分支中心对称面(图5-8中的点画线平面)处于电场波节位置(相当于等效电压的波节、等效电流的波腹)时,分支臂“3”中有最大功率输出; 相反,当分支中心对称面处于电场波腹位置时,分支臂“3”中没有信号输出。,图5-8 E-T接头及各分支输入、输出(a) E-T接头; (b) 信号由3口输入; (c) 信号由1、2口反相输入; (d) 信号由1、2口同相输入,2. 波导H面分支波导H面分支的分支波
21、导位于主波导的窄壁上,且分支平面与主波导内的主模TE10波的磁场平面平行,如图5-9(a)所示,形状也像“T”字,故称为H-T接头。同样,我们记主波导的两臂分别为“1”和“2”,记分支臂为“3”,并假设三个臂的端口均处于分支高模场区之外,则H-T接头具有如下特性:若信号由主波导“1”臂输入,则其他两臂“2”、“3”皆有输出且同相,但不一定等幅,如图5-9(b)所示; 当信号由分支臂“3”输入时,主波导臂“1”、“2”中有等幅同相信号输出,如图5-9(c)所示;,当信号由主波导“1”、“2”臂同相输入时,则分支臂“3”中有和信号输出,如图5-9(d)所示; 当信号由“1”、“2”两臂反相输入时,
22、则“3”臂中有差信号输出,如图5-9(e)所示,若“1”、“2”两臂的输入信号等幅反相,则“3”臂中输出信号为零。这与E-T接头的情况正好相反,即当波导分支对称中心面(图中的点画线平面)处于电场波腹位置时,分支臂“3”中有最大的功率输出; 而当波导分支对称中心面处于电场波节位置时,分支臂“3”中没有信号输出,所以H-T接头的等效电路为含并联支路的传输线段。如果在分支臂中放置一活塞,则它的等效电路为一并接于传输线中的可变电纳,调节活塞的插入长度,即可改变并联导纳的大小。,图5-9 H-T接头及各分支输入、输出(a) H-T接头; (b) 信号由1口输入; (c) 信号由3口输入; (d) 信号由
23、1、2口同相输入; (e) 信号由1、2口反相输入,3. 双T接头如果我们将E-T和H-T两种分支合为一体,便构成了双T接头,如图5-10所示。图中,臂“3”与臂“4”是互相隔离的,用散射参量表示,即S34=S43=0。同时, 也可以看到双T是一个 3 dB(功率均分)的同相或反相耦合器。,图5-10 波导双T接头,普通双T接头的特性可归纳如下:(1) E臂输入,两主臂“1”、“2”等幅反相输出,H臂无输出。(2) H臂输入,两主臂“1”、“2”等幅同相输出,E臂无输出。(3) 主臂“1”、“2”等幅反相输入,E臂输出,H臂无输出。(4) 主臂“1”、“2”等幅同相输入,H臂输出,E臂无输出。
24、双T可用作功率分配器,也可用作阻抗调配器; 还可用作反相型平衡混频器中的附件,利用E,H两分支臂之间的高隔离度,将接收信号与本振信号分开。,4. 弯波导对于矩形波导的角形弯曲段通常是削去一角或接入一段波导以减小在波导拐弯处的突变所带来的不均匀性,如图5-11所示。若弯曲发生在波导宽臂上,则其输出口相对于输入口的电力线方向发生了改变,通常称之为E型弯角或E面弯曲; 若弯曲发生在波导窄臂上,则其输入口相对于输入口的磁力线方向发生了改变,通常称之为H型弯角或H面弯曲。对于H角或E角在最小驻波比下最佳尺寸的选择, 可根据有关微波工程手册中所提供的图表或曲线进行设计和计算。,图5-11 角形弯曲段(a)
25、 E型; (b) H型,5. 扭波导在雷达技术中,有时需要改变波的极化方向(即电场强度E的方向),通常采用扭波导,如图5-12所示。为了减小扭转段产生的不均匀性,应尽量使扭转过渡段延长、渐变。例如,扭转90的扭转段长度L2p时, 其行波系数不小于 0.92。,图5-12 扭波导,6. 微带的拐角图5-13给出了微波集成电路中经常碰到的微带拐角。其中, 图5-13(a)为任意角度的拐角,图5-13(b)为等宽与不等宽两种匹配直角拐角。常用的匹配斜切直角拐角,是将拐角外边切成45斜角,以减小对拐角电容和不连续性的影响。有关微带拐角的匹配设计和计算,可借助于工程手册来完成。对于50 微带线的直角拐角
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