奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题「微电薄膜...课件.ppt

《奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题「微电薄膜...课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题「微电薄膜...课件.ppt（167页珍藏版）》请在三一办公上搜索。

1、奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题微电薄膜,奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题微电薄膜,( ) 何謂真空的定義？ (A) 容器內的壓力低於一大氣壓(B)容器中沒有任何的氣體(C) 容器中氣體密度小於2.510-19 mol/cm3.,精,2,( ) 精4,( A ) 何謂真空的定義？ (A) 容器內的壓力低於一大氣壓(B)容器中沒有任何的氣體(C) 容器中氣體密度小於2.510-19 mol/cm3.,精,3,( A ) 精5,( ) 真空可以真空度來區分為(何者為非)：(A) 粗略真空(1105 Pa 1 10-1 Pa) (B) 高度真空(110-6 Pa 1 10-9

2、 Pa) (C) 超高真空(110-4 Pa 110-6 Pa),精,4,( ) 精6,( B ) 真空可以真空度來區分為(何者為非)：(A) 粗略真空(1105 Pa 1 10-1 Pa) (B) 高度真空(110-6 Pa 1 10-9 Pa) (C) 超高真空(110-4 Pa 110-6 Pa),精,5,( B ) 精7,( ) 下列敘述何者為非？ (A) 真空室是完全一個密閉的空間 (B) 真空計是用來偵測真空度 (C) 派藍尼真空計常被使用在偵測超高真空,精,6,( ) 精8,( B ) 下列敘述何者為非？ (A) 真空室是完全一個密閉的空間 (B) 真空計是用來偵測真空度 (C)

3、 派藍尼真空計常被使用在偵測超高真空,精,7,( B ) 精9,( ) 真空計的分類可用以下哪幾種方式區分？ (A) 量測範圍 (B) 量測方法 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非,精,8,( ) 精10,( C ) 真空計的分類可用以下哪幾種方式區分？ (A) 量測範圍 (B) 量測方法 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非,精,9,( C ) 精11,( ) 如何選擇真空計：(A)依照當日天氣 (B) 依照系統所需真空度 (C) 依照個人喜好選擇,精,10,( ) 精12,( B ) 如何選擇真空計：(A)依照當日天氣 (B) 依照系統所需真空度 (C) 依照個人喜好選擇,精,11,( B

4、) 精13,( ) 以下何者為非： (A) 粗略真空110-6 Pa 1 10-9 Pa (B) 中度真空 110-4 Pa 110-6 Pa (C) 高度真空110 Pa-1 110-4 Pa (D) 超高真空1105 Pa 1 10-1 Pa,精,12,( ) 精14,( D ) 以下何者為非： (A) 粗略真空110-6 Pa 1 10-9 Pa (B) 中度真空 110-4 Pa 110-6 Pa (C) 高度真空110-1Pa 110-4 Pa (D) 超高真空1105 Pa 1 10-1 Pa,精,13,( D ) 精15,( ) 目前最常用的真空單位：(A) Pascal (B)

5、 Torr (C) mbar (D) atm,精,14,( ) 精16,( A ) 目前最常用的真空單位：(A) Pascal (B) Torr (C) mbar (D) atm,精,15,( A ) 精17,( ) 下列何者非等值換算單位 (A) 1 atm (B) 760 torr (C) 750 mbar,精,16,( ) 精18,( C ) 下列何者非等值換算單位 (A) 1 atm (B) 760 torr (C) 750mbar,精,17,( C ) 精19,( ) 下列何者非真空計(A) 派藍尼真空計 (B) 熱陰極真空計 (C) TA真空計,精,18,( ) 精20,( C )

6、 下列何者非真空計？(A) 派藍尼真空計 (B) 熱陰極真空計 (C) TA真空計,精,19,( C ) 精21,( ) 以下何者為是 ： (A) 真空系統是指幫浦的串連 (B) 真空系統是一完善系統不需要加裝真空計辨識真空度 (C) 真空計在真空系統中是辨識真空度的重要指標,精,20,( ) 精22,( C ) 以下何者為是 ： (A) 真空系統是指幫浦的串連 (B) 真空系統是一完善系統不需要加裝真空計辨識真空度 (C) 真空計在真空系統中是辨識真空度的重要指標,精,21,( C ) 精23,( ) 真空系統如何選用幫浦(下列何者為是)? (A)所能達到之最高壓力(high Pressur

7、e ) (B)有效之工作壓力範圍(Pressure Range) (C)抽氣速率大小(Pumping Speed),精,22,( ) 精24,( A ) 真空系統如何選用幫浦(下列何者為是)? (A)所能達到之最高壓力(high Pressure ) (B)有效之工作壓力範圍(Pressure Range) (C)抽氣速率大小(Pumping Speed),精,23,( A ) 精25,( ) 下列何者不是真空系統選用幫浦所需考慮的準則？ (A)抽氣速率大小(Pumping Speed) (B)排氣口壓力(Exhaust Pressure) (C)無效之壓力範圍(Pressure Range)

8、,精,24,( ) 精26,( C ) 下列何者不是真空系統選用幫浦所需考慮的準則？ (A)抽氣速率大小(Pumping Speed) (B)排氣口壓力(Exhaust Pressure) (C)無效之壓力範圍(Pressure Range).,精,25,( C ) 精27,( ) 下列何者為真空系統所需俱備的必要項目 ？(A) 幫浦 (B) 真空計 (C) 腔體(D)以上皆是,精,26,( ) 精28,( D ) 下列何者為真空系統所需俱備的必要項目 ？(A) 幫浦 (B) 真空計 (C) 腔體(D)以上皆是,精,27,( D ) 精29,( ) 下列何者為儲氣式幫浦？ (A) 活塞式幫浦

9、(B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦,精,28,( ) 精30,( C ) 下列何者為儲氣式幫浦？ (A) 活塞式幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦,精,29,( C ) 精31,( ) 真空幫浦在真空系統中的主要作用為： (A) 抽氣 (B) 排氣 (C) 打氣 (D) 儲氣,精,30,( ) 精32,( A ) 真空幫浦在真空系統中的主要作用為： (A) 抽氣 (B) 排氣 (C) 打氣 (D) 儲氣,精,31,( A ) 精33,( ) 下列何者為排氣式幫浦？(A) 吸附幫浦 (B) 結拖幫浦 (C) 擴散幫浦,精,32,( ) 精34,( B ) 下列何者為排氣式幫浦？(A

10、) 吸附幫浦 (B) 結拖幫浦 (C) 擴散幫浦,精,33,( B ) 精35,( ) 下列何者非大氣壓可啟動的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非,精,34,( ) 精36,( C ) 下列何者非大氣壓可啟動的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非,精,35,( C ) 精37,( ) 真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A) 氣體在腔體中燃燒 (B)幫浦的油氣回流造成污染 (C) 氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生成物,(B) The hydrogen (氫) atom at ground state

11、(A) can, (B) cannot, absorb a photon with 9.0 eV.,精,36,( ) (B) The hydrogen (氫) a,( B ) 真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A) 氣體在腔體中燃燒 (B)幫浦的油氣回流造成污染 (C) 氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生成物,精,37,( B ) 精39,( ) 想從一大氣壓將系統降至粗略真空範圍需要選用什麼樣的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 魯式幫浦 (C) 冷凍幫浦,精,38,( ) 精40,( B ) 想從一大氣壓將系統降至粗略真空範圍需要選用什麼樣的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 魯式幫浦 (C)

12、 冷凍幫浦,精,39,( B ) 精41,( ) 何為RCA 清洗(何者為非)？(A) 屬於半導體製程的一部份 (B)可去除晶圓上的油污、附著物及表面氧化物 (C)處理矽晶圓的主要清理流程,精,40,( ) 精42,( C ) 何為RCA 清洗(何者為非)？(A) 屬於半導體製程的一部份 (B)可去除晶圓上的油污、附著物及表面氧化物 (C)處理矽晶圓的主要清理流程,精,41,( C ) 精43,( ) 下列何者非RCA清洗所需藥品？ (A)氰氟酸 (HF) (B) 氨水 (NH4OH) (C) 鹽酸 (HCl),精,42,( ) 精44,( C ) 下列何者非RCA清洗所需藥品？ (A)氰氟酸

13、 (HF) (B) 氨水 (NH4OH) (C) 鹽酸 (HCl),精,43,( C ) 精45,( ) RCA清洗的步驟中哪個動作是不需要的？ (A) 加熱 (B) 以去離子水清洗 (C) 活化/敏化,精,44,( ) 精46,( C ) RCA清洗的步驟中哪個動作是不需要的？ (A) 加熱 (B) 以去離子水清洗 (C) 活化/敏化,精,45,( C ) 精47,( ) 選用下列何種幫浦組合可以達到中度真空？(A) 魯式幫浦+擴散幫浦 (B) 擴散幫浦+冷凍幫浦 (C) 冷凍幫浦+渦輪分子幫浦,精,46,( ) 精48,( A ) 選用下列何種幫浦組合可以達到中度真空？(A) 魯式幫浦+擴

14、散幫浦 (B) 擴散幫浦+冷凍幫浦 (C) 冷凍幫浦+渦輪分子幫浦,精,47,( A ) 精49,( ) 以下哪一種方式不能達到高度真空？(A) 乾式幫浦+渦輪分子幫浦 (B) 乾式幫浦+冷凍幫浦 (C) 以上皆可,精,48,( ) 精50,( C ) 以下哪一種方式不能達到高度真空？(A) 乾式幫浦+渦輪分子幫浦 (B) 乾式幫浦+冷凍幫浦 (C) 以上皆可,精,49,( C ) 精51,( ) 高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫浦有什麼差異？ (A) 轉速不同 (B) 低真空幫浦可以從大氣壓啟動，高真空幫浦無法從大氣壓下啟動 (C) 高真空幫浦可以從大氣壓抽到高真空，低真空幫浦只能從一大氣壓

15、抽到低真空,精,50,( ) 精52,( B ) 高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫浦有什麼差異？ (A) 轉速不同 (B) 低真空幫浦可以從大氣壓啟動，高真空幫浦無法從大氣壓下啟動 (C) 高真空幫浦可以從大氣壓抽到高真空，低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真空,精,51,( B ) 精53,( ) 高真空系統的保護裝置有何功用？ (A) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會自動斷電，系統關機 (B) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會關上閥門隔絕 (C) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入系統，旋葉會反轉排出氣體,精,52,( ) 精54,( B ) 高真空系統的保護裝置有何功

16、用？ (A) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會自動斷電，系統關機 (B) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會關上閥門隔絕 (C) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入系統，旋葉會反轉排出氣體,精,53,( B ) 精55,( ) 到達超高真空所需的主要後段幫浦 (A) 渦輪分子幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 旋片幫浦,精,54,( ) 精56,( A ) 到達超高真空所需的主要後段幫浦 (A) 渦輪分子幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 旋片幫浦,精,55,( A ) 精57,( ) 觀察高度真空所需的真空計為下列何者？ (A) 彭甯冷陰極真空計 (B) 熱電偶真空計 (C)

17、派藍尼真空計,精,56,( ) 精58,( A ) 觀察高度真空所需的真空計為下列何者？ (A) 彭甯冷陰極真空計 (B) 熱電偶真空計 (C) 派藍尼真空計,精,57,( A ) 精59,( ) 到達高度真空系統所需的真空計組合為何？(A) 熱電偶真空計+派藍尼真空計 (B) 熱電偶真空計+彭甯冷陰極真空計 (C) 派藍尼真空計,精,58,( ) 精60,( B ) 到達高度真空系統所需的真空計組合為何？(A) 熱電偶真空計+派藍尼真空計 (B) 熱電偶真空計+彭甯冷陰極真空計 (C) 派藍尼真空計,精,59,( B ) 精61,( ) 下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的效用(A) 鈦昇華幫浦

18、 (B) 擴散幫浦 (C) 以上皆可,精,60,( ) 精62,( A ) 下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的效用(A) 鈦昇華幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 以上皆可,精,61,( A ) 精63,( ) 下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的疑慮而須加設油氣捕捉陷阱 (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦 (D) 乾式幫浦,精,62,( ) 精64,( A ) 下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的疑慮而須加設油氣捕捉陷阱 (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦 (D) 乾式幫浦,精,63,( A ) 精65,( ) 下列何者非RCA清洗的目的 (A)去除表面有機物汙

19、染 (B) 去除金屬鍍膜層 (C) 去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽,精,64,( ) 精66,( C ) 下列何者非RCA清洗的目的 (A)去除表面有機物汙染 (B) 去除金屬鍍膜層 (C) 去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽,精,65,( C ) 精67,第二單元感應耦合電漿離子束濺鍍沉積銅金屬化薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製,精,66,精68,( ) 本系統有採用MFC(流量控制器)，請說明本系統所採用的單位為何 ?(A) SCCM, (B) SCKM, (C)SCLM.,精,67,( ) 精69,( A ) 本系統有採用MFC(流量控制器)，請說明本系統所採用的單位為何

20、?(A) SCCM, (B) SCKM, (C)SCLM.,精,68,( A ) 精70,( ) 本系統採用哪 種低度真空計(A) 冷陰極真空計, (B) 派藍尼真空計, (C) 液位真空計,精,69,( ) 精71,(B) 本系統採用哪 種低度真空計(A) 冷陰極真空計, (B) 派藍尼真空計, (C) 液位真空計,精,70,(B) 精72,( ) 本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1100, (B)0.1104, (C) 10-210-5,精,71,( ) 精73,(B) 本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1100, (B)0.1104, (C) 10-

21、210-5,精,72,(B) 精74,4. ( )本系統採用的高度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 110-7, (B)0.1104, (C) 10-210-5,精,73,4. ( )精75,4. ( A )本系統採用的高度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 110-7, (B)0.1104, (C) 10-210-5,精,74,4. ( A )精76,5. ( ) 本系統採用的低度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 1100, (B)1105, (C) 10-210-4,精,75,5. ( ) 精77,5. ( B ) 本系統採用的低度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 1100, (

22、B)1105, (C) 10-210-4,精,76,5. ( B ) 精78,6. ( ) 本系統採用哪種低度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪幫浦, (C) 活塞式幫浦,精,77,6. ( ) 精79,6. ( A ) 本系統採用哪種低度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪幫浦, (C) 活塞式幫浦,精,78,6. ( A ) 精80,7. ( ) 本系統採用哪種高度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪分子幫浦, (C) 活塞式幫浦,精,79,7. ( ) 精81,7. ( B ) 本系統採用哪種高度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪分子幫浦, (C) 活塞式幫浦,精,80,7.

23、 ( B ) 精82,8. ( ) 本系統採用的高度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 10-1100, (B) 102105, (C) 10-110-7,精,81,8. ( ) 精83,8. ( C ) 本系統採用的高度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 10-1100, (B) 102105, (C) 10-110-7,精,82,8. ( C ) 精84,9. ( ) 本系統是採用哪種方式產生電漿(A) ICP (B) PVD (C) CVD,精,83,9. ( ) 精85,9. (A) 本系統是採用哪種方式產生電漿(A) ICP (B) PVD (C) CVD,精,84,9. (A)

24、 精86,( ) 冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種 (A) 低溫冷凝 (B)低溫捕獲 (C)低溫吸附 (D) 以上皆是.,精,85,( ) 精87,(D) 冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種 (A) 低溫冷凝 (B)低溫捕獲 (C)低溫吸附 (D) 以上皆是.,精,86,(D) 精88,11. ( ) 濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿 (A)Ar (B)N2 (C) H2.,精,87,11. ( ) 精89,11. ( A ) 濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿 (A)Ar (B)N2 (C) H2.,精,88,11. ( A ) 精90,( ) Vent氣是採用哪種氣體 (A)Ar (B)N2 (C) H2.,

25、精,89,( ) 精91,( B ) Vent氣是採用哪種氣體 (A)Ar (B)N2 (C) H2.,精,90,( B ) 精92,( ) 系統所顯示的壓力值是採用何種單位 . (A) Pa, (B) Torr, (C) mBar.,精,91,( ) 精93,( A ) 系統所顯示的壓力值是採用何種單位 . (A) Pa, (B) Torr, (C) mBar.,精,92,( A ) 精94,( ) 本次所採用的基板為何種材料. (A) Si, (B) glass, (C) Stainless stell.,精,93,( ) 精95,( A ) 本次所採用的基板為何種材料. (A) Si,

26、(B) glass, (C) Stainless stell.,精,94,( A ) 精96,( ) RF power supply 所採用的頻率為何Hz (A) 13.6, (B) 12.6, (C) 10.6,精,95,( ) 精97,( A ) RF power supply 所採用的頻率為何Hz (A) 13.6, (B) 12.6, (C) 10.6,精,96,( A ) 精98,( ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000, (B) 1400,精,97,( ) 精99,( B ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 .

27、 (A) 1000, (B) 1400,精,98,( B ) 精100,( ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False,精,99,( ) 精101,( A ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False,精,100,( A ) 精102,( ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜.,精,101,( ) 精103,( A ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜.,精,102,( A ) 精104,( ) X

28、RD是根據何定律成立的 (A) 歐姆定律, (B) 牛頓第二定律, (C) 布拉格定律,精,103,( ) 精105,( C ) XRD是根據何定律成立的 (A) 歐姆定律, (B) 牛頓第二定律, (C) 布拉格定律,精,104,( C ) 精106,( ) 在X光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False,精,105,( ) 精107,( A ) 在X光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False,精,106,( A ) 精108,第三單元超高真空磁控濺鍍奈米氣體感測薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製,精,107,精109,( ) 氧化鎢（WO

29、3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik）,精,108,( ) 精110,( A ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik）,精,109,( A ) 精111,( ) 反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A） O2（B ）N2 （C）皆可,精,110,( ) 精112,( C ) 反應性濺鍍（Reactive Sputter

30、 Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A） O2（B ）N2 （C）皆可,精,111,( C ) 精113,( ) 感測器依據檢測原與材型大致可區分為（）觸媒燃燒式（）場效電晶體（）屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有,精,112,( ) 精114,( D ) 感測器依據檢測原與材型大致可區分為（）觸媒燃燒式（）場效電晶體（）屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有,精,113,( D ) 精115,( ) 觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（）C2H5OH（）CH4（）H2（）皆可,精,114,( ) 精116,( D ) 觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（

31、）C2H5OH（）CH4（）H2（）皆可,精,115,( D ) 精117,( ) 場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（）H2（）NH3（）O2（）皆可,精,116,( ) 精118,( ) 場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（）H2（）NH3（）O2（）皆可,精,117,( ) 精119,( ) 屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（）CO（）NO2（）SO2（）皆可,精,118,( ) 精120,( D ) 屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（）CO（）NO2（）SO2（）皆可,精,119,( D ) 精121,( ) 觸媒燃燒式的氣體感測具有

32、那些優缺點，何者為非（）不受溫度與溼度的影響（）反應速度慢（）操作溫度高,精,120,( ) 精122,( C ) 觸媒燃燒式的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）不受溫度與溼度的影響（）反應速度慢（）操作溫度高,精,121,( C ) 精123,( ) 場效電晶體型的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）反應速度慢（）操作溫度高,精,122,( ) 精124,( B ) 場效電晶體型的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）反應速度慢（）操作溫度高,精,123,( B ) 精125,( ) 屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度較低

33、（）操作溫度高,精,124,( ) 精126,( C ) 屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度較低（）操作溫度高,精,125,( C ) 精127,第四單元太陽能電池複晶吸收層薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製,精,126,精128,( ) 高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 磷 (C) 硼,精,127,( ) 精129,( C ) 高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 磷 (C) 硼,精,128,( C ) 精130,( ) 高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A)

34、氮 (B) 鋁 (C) 硼,精,129,( ) 精131,( A ) 高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 鋁 (C) 硼,精,130,( A ) 精132,( ) 太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A) True, (B) False, (C) Not certain.,精,131,( ) 精133,( A ) 太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A) True, (B) False, (C) Not certain.,精,132,( A ) 精134,( ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子,精

35、,133,( ) 精135,( A ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子,精,134,( A ) 精136,( ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子,精,135,( ) 精137,( B ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子,精,136,( B ) 精138,( ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電,精,137,( ) 精139,( B

36、 ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電,精,138,( B ) 精140,( ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電,精,139,( ) 精141,( A ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電,精,140,( A ) 精142,( ) CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有,精,141,( ) 精143,( C ) CIGS為一種極具潛力的

37、太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有,精,142,( C ) 精144,( ) CIGS為何種結構（A）黃銅礦結構（chalcopyrite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜結構（monoclinik）,精,143,( ) 精145,( C ) 屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度較低（）操作溫度高,精,144,( C ) 精146,( ) Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A) True, (B) False, (C) Not certain

38、,精,145,( ) 精147,( A ) Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A) True, (B) False, (C) Not certain,精,146,( A ) 精148,( ) 日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B) 鐵板 (C)塑膠,精,147,( ) 精149,( A ) 日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B) 鐵板 (C)塑膠,精,148,( A ) 精150,( ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向何處擴散(A) n 型半

39、導體(B) 空乏區(C)不擴散,精,149,( ) 精151,( A ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向何處擴散(A) n 型半導體(B) 空乏區(C)不擴散,精,150,( A ) 精152,( ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在n 型半導體中的電子會向何處擴散(A) p型半導體(B) 空乏區(C)不擴散,精,151,( ) 精153,( A ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在n 型半導體中的電子會向何處擴散(A) p型半導體(B) 空乏區(C)不擴散,精,152,( A ) 精154

40、,( ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電,精,153,( ) 精155,( A ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電,精,154,( A ) 精156,( ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，p 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電,精,155,( ) 精157,( B ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，p 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電,精,15

41、6,( B ) 精158,( ) CuInSe2，其能隙值約為(A) 1.1(B) 3.5(C)5.6 eV,精,157,( ) 精159,( A ) CuInSe2，其能隙值約為(A) 1.1(B) 3.5(C)5.6 eV,精,158,( A ) 精160,( ) 在CIGS吸收層的製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確,精,159,( ) 精161,( C ) 在CIGS吸收層的製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確,精,160,( C ) 精162,( ) CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百

42、分比可在 (A)1.17 1.20 (B) 2.172.20(C)3.173.20 eV之間調變,精,161,( ) 精163,( A ) CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在 (A)1.17 1.20 (B) 2.172.20(C)3.173.20 eV之間調變,精,162,( A ) 精164,( ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區 (B) 本質區(C)異質區,精,163,( ) 精165,( A ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區 (B) 本質區(C)異質區,精,164,( A ) 精166,( ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞 (B) 電子(C)相同,精,165,( ) 精167,( A ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞 (B) 電子(C)相同,精,166,( A ) 精168,感谢聆听,感谢聆听,