微星785G系列主板BIOS设置详细介绍.docx

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1、微星785G系列主板BIOS设置详细介绍（全）（图文教程，菜鸟也能看懂）！ 此帖对微星的评论此贴于2010.11.22更新 本贴转自DIY联盟，感谢作者liveman，非常全面的介绍！以下是全文：本帖来自微星官方论坛t# f% N+ b: l; l2 u4 M( b- u# ! 4 L( & |5 b7 u3 B( A* d4 L/ a0 B本设置讲解，以785GTM-E65为蓝本，其他AMD主板也可参考。( x# S* C2 ) I7 P不同型号AMD主板只是BIOS设置项目有多有少，只要是有的项目，设置方式和内容基本相同。4 A+ O+ Z$ i: N3 B一、BIOS主菜单, P4 (

2、y5 _/ 8 0 k q/ D& F K9 a: J# Q8 r/ p9 H: y4 * & l8 6 j2 g8 I5 T6 O1、Standard CMOS Features 标准CMOS属性$ i3 Q2 c& v1 q$ F- Y: n8 I2、Advanced BIOS Features 高级BIOS 属性- G% p7 |) N; T v8 u& Y3、Integrated Peripherals 整合周边设备# c; v, M9 I 0 C8 D9 N4、Power Management 电源管理$ x8 l; M0 o3 P. W# 5、H/W Monitor 硬件监测6 0

3、 b$ T8 y; Z! U6、Green Power 绿色节能: y# q x# u8 T) v7、BIOS Setting Password 开机密码设置1 c B3 s0 H2 ; e% 8、Cell Menu 核心菜单3 o9 Y* % F: z. x4 v9 F( A# 2 r9、M-Flash U盘刷新BIOS* T7 % q5 t- D4 ? d/ _10、User Settings 用户设置项$ o; q- 1 W) j1 B- L* U. b11、Load Fail-Safe Defaults 加载安全缺省值. 3 u6 r% |3 o* L1 A: I12、Load Opt

4、imized Defaults 加载优化值5 W A0 T2 o/ L u8 ?$ j q L2 X E13、Save & Exit Setup 保存设置并退出; K: i+ k$ l1 z; w14、Exit Without Saving 退出而不保存?% Y+ Q 2 c- a5 U0 t; Y; H2 / X/ y: n3 T* |- + u. ?, ?5 h1 9 t6 s7 W- a, q$ , i! W二、Cell Menu 核心菜单设置2 B0 n% Q- L N$ Gw q* ? L. R& h: # q( _3 l+ | l) K! F* M- l4 V2 T- t- 1、C

5、PU相关设置2 L; B% Q: H8 8 I6 hCPU相关设置有9项3 r4 l5 V) A# U D U% V f! Z* C* T P- M/ P9 I# P6 v! C1-1、CPU Specifications：这是查看CPU的规格和参数，也可以随时按F4查看。2 M1 P A |! x# i z h+ w# j2 _2 W ( X4 p4 U u! s3 ; f+ k4 M : j+ Z4 5 a: h, J( T6 % Y a- I6 l1-2、AND Cool n Quiet：AMD CPU的节能技术，也叫“凉又静”。依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。当CPU空闲时，核心

6、电压降到最低，倍频也降到最低。如果主板有微星的APS功能，请开启这个选项。该选项的设置是Enabled和Disabled。) N h, c! R0 a. d- x s I1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）：调整CPU的前端总线频率。默认的频率是CPU的标准FSB频率，用户可以自己调整，就是超频。在这里直接键入频率数值，比如220。+ q5 2 I7 V+ Y3 i1 a1-4、Adjust CPU Ratio：调整CPU的倍频。AMD的CPU一般是锁定最高倍频的，只能降低倍频。有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频。该项的默认设置是Auto。敲回车，弹出

7、倍频列表，用户可以从中选择希望的倍频。- q/ C4 D. s% $ _5 y+ t+ D p, r/ E! G& W- ?6 j$ s* t2 R7 m8 v1-5、Adjust CPU-NB Ratio：调整CPU内北桥（内存控制器）的倍率。AMD CPU整合了内存控制器，这个选项可以调整内存控制器的倍率。调整这个倍率要与内存频率设置相互配合，一般需要多次调整，才能达到最佳效果，如果设置不正确，可能引起蓝屏死机。6 Y( N0 N Z O; P, e l1 Z5 h0 b! j* # P, r3 I! A. W! R: a2 S0 w; h2 . y% E: % v n. Q) Q! G1

8、-6、EC Firmware：EC固件设置。这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项，用于开启被AMD关闭核心（有部分是不能正常运作的）。这项的默认设置是Normal。敲回车，弹出选项菜单供用户选择。 d7 m( J- E( j6 n! o R, L3 C9 I/ O. R9 v( L0 : c7 M+ q9 V Y3 F- F0 D7 m0 L% ?Normal是普通模式，就是不开启关闭的核心。Special是特殊模式，开启被关闭的核心。注意这个选项要配合下面的Advanced Clock Calibration设置。6 |( C# R 9 E0 z1 c1-7、Advanced Clo

9、ck Calibration：高级时钟校准。这是SB750开始有的有的功能。用于校准CPU的时钟频率，同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over Drive。SB710继承了这项功能，还可以配合EC Firmware开启关闭的核心。默认设置是Disabled。敲回车弹出选项菜单：! |# j k, N; E ) w# 2 O2 f, 0 j! A+ j1 v, U% B3 p; 1 D* Z. U+ a1 sAuto是自动模式。想开启关闭的核心，请设置为Auto。9 u0 Z/ 9 V$ |. sAll Cores是对所有核心都进行相同的高级时钟校准。选择了All Core后，菜单会多出一

10、个选项。9 P0 y+ m8 u5 N6 H0 M4 b1 b2 o9 b& c( Y4 v) X, G : I/ c, v, _/ m7 h; o就是要求选择校准的百分比。在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单。* g$ a! V: P% y# . m8 % X* r. A3 D6 E2 M: 8 y9 l, r% $ B( KPer Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。选择Per Core后，菜单会多出一个选项：# H7 S5 B * F b5 ?/ / c( o5 K, X) w: s/ b / l/ m& x7 P- T. k( _- T也是要求选择校准的百分比。在每一个V

11、alue敲回车都会弹出百分比选择菜单。1 X1 a1 n+ r/ i( L7 d3 S% i$ C8 C w t: yd- ( n8 + u5 K请注意，Value的个数与CPU的核心数相匹配，比如2核的就有2个Value选项。- z: ; A5 V5 z% , F- |. d1-8、Auto Over Clock Technology：微星独有的一种自动超频技术，默认是Disabled，可以设置为Max FSB。就是系统自动侦测CPU可能超频的最大FSB值。设置该项后，系统可能重复启动多次，最后找到最大FSB启动。由于FSB涉及内存的频率，可能会因为内存缘故而出现在最大FSB情况下，不能进系

12、统，或者蓝屏死机。1 _# F# f* * |# T- z$ q. v* t9 e& k) o; t. g/ : ) a1-9、Multistep OC Booster：这是微星独有的超频辅助技术，当CPU因超频较高，不能启动时，可以利用这个选项。它的作用是先以较低的频率启动进系统，然后再恢复原来频率。# M6 D8 R8 ( ) ?% u5 c& Q5 H# O( b6 W2 ! J) K4 0 u6 K: c: l0 C& i该选项默认是Disabled，有Mode1和Mode2选项。Mode1是以低于原频率90%的频率启动。Mode2是以低于原频率80%的频率启动。* _- r! r2

13、E* Y: P3 m w- h, s5 p- i+ O A- L2 k2、内存相关设置- U9 ?0 G; J- S) ; O5 h: 1 q内存设置有3项：* l r0 r2 B% i# B+ y; v# F& # E- A7 I2 3 f% s- m3 s1 X A5 k9 w+ N# S; 6 K j% i$ W& b6 F6 M9 f! 3 y2-1、MEMORY-Z：这是查看内存的SPD参数。也可以随时按F5查看8 L. O! 7 a0 I, Q3 f8 _% w, ( P$ ?. 2 g2 E 6 ) 8 l e插2条内存，弹出2条内存的SPD信息，如果插4条，就会有4条SPD信息

14、。回车就可以查看1条内存的SPD：. E; K; a0 T# q; M) 4 Y, 3 w G6 9 v4 s# k* r8 l6 u- q: t; 7 # w/ L2 E$ O2-2、Advance DRAM Configuration：高级DRAM配置。就是用户自己配置内存时序参数。回车进入高级DRAM配置：- W9 g/ n1 a: V% N; E7 a- 9 Y# 2 - r; P! B( s9 X W- z/ w3 M r k- O2 s G# r7 3 k9 I- P9 r2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM时序模式。有4项设置：Auto、DCT0、DCT1、Bo

15、th。9 ( w$ |( t: c+ o* s: ! j8 $ N5 y0 g$ _: m2 z/ J; 5 ) b% Z- q; a* a3 C( k& / u: ?- r2 M) |Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数。DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。默认设置是Auto。; l$ _1 L5 j4 G! y这是DCT0的时序参数设置：6 y G0 / D7 N I, N5 4 x( O1 : S7 L! e6 V) W4 m. A7 I2 l0 6 s内存时序参数最主要的有4个。CL-tRCD-tRP-tRAS，这4个参数也是在内存条上常常看到的

16、，比如8-8-8-24，就是这4个参数。 r, g7 ! c! + 6 n o3 w! v, Z, p) v, 3 附注：内存时序参数知识5 b: _7 T q% J1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。# B( B5 Z F5 M; E9 I2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。, $ e% B k# q r1 4 v3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据。读写前要先对选定的存储单元预充电（

17、Pre charge）。+ c. E! ! _2 t+ M4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。: N/ Z+ M. F3 F9 X3 G5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址选通）潜伏时间，实际上也是延迟。指的是CPU发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。3 t2 r1 / , n& R- q6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电，数据信号足够强。 ?0 l! q& c U w4 T; N7、tRP是Row-Pre charge De

18、lay，行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内对激活的行充电。6 h G1 M# ?3 P( 8、tRAS是Row-active Delay，行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。0 u; i2 T! B0 m: / n) U g* W9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns，也可用相对时间周期。一般多用周期表达。周期数越小，内存的速度越高。选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。下面列出DDR3的时序参数规格，供参考。9 T, Z1 k3 * R( i4 f) R z, T; + w)

19、 Q, _* 4 v; a/ P( Y h- C F+ h标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种，其中7-7-7的最好。还有非标准的7-8-8/8-9-9的，这种时序参数的内存条，上标称频率就会死机蓝屏。降一级频率就没有问题。 |3 X! y& m& B/ . i- n+ Q( s* l( i y1 B s3 x8 L6 S# y B/ f0 w2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驱动强度。! M. G |, t5 h+ o2 M* 9 t$ ! J X8 Y% k4 * g4 V; Y8 b& Q- p7 I& 该选项有4个参数，Auto是BIOS自动

20、依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：9 L* F W t! |$ z: l& B* _$ o! T/ I6 ( E: g2 P( I& w0 x6 O& o每个通道的信号驱动强度设置包括8项。9 x2 f8 f+ 8 WCKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度6 W H7 Z& 0 u2 S$ P- K: q* yCS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度7 P; O( / t

21、+ s2 e( w S/ N$ XAddr/Cmd Drive Strength：地址/命令驱动强度$ y7 o5 h5 i$ M s$ X e: X& |Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度: L8 b/ e _9 |7 o; tData Drive Strength：数据信号驱动强度, A( P T: 4 A( l. iDQS Drive Strebgth：数据请求信号驱动强度: # s: E4 Z0 rProcOdt：CPU内建终端电阻( y1 m9 m8 ) T0 O0 G) R驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度，一般以默认为1，设置选项是默认的倍率：8 4

22、 e2 r* n* X: ?/ G( v0 u8 N z# e/ R R8 I* Y3 G6 lX H9 C# E9 J4 r6 Y4 & O1 u: X3 A: I* 5 U- , n) F7 _7 5 D2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高级控制。3 x3 L W: O; l k2 O1 i1 A3 z0 y4 W9 P0 X* k) & / x0 q. 7 u( |& 1 u! : i该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增

23、加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：. h. T; P0 E8 T: ) D: B# x f$ h8 e3 Q& w5 d4 4 A0 x6 每个通道的高级控制有6项。+ A0 C7 L% R/ A7 j) k: uDRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默认是Auto。5 Z- W2 n5 z8 W* U% eDRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、N

24、ormal、Reduced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度。5 w5 L& H7 A( eDRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。. s I, |3 h# |- g. 0 l. c8 DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部

25、时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。7 X G) N( w, T- U; r% o( lDRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32。突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节，还是64字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。 g7 : D; U7 v, q, W4 D7 x) pBank Swizzle Mode：Bank搅和模式。内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一

26、个Bank，芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。. Q+ L3 H7 0 j$ m s/ X- G内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank，然后通过片选（信号）定位芯片内的逻辑Bank。5 x! a d2 |5 U7 Q _1 |插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank，访问命令不管实际有几个

27、片选Bank，都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或（XOR）逻辑运算，判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是会影响显卡性能。一般还是设置Auto为好。l. 3 I# z r, B9 r Y n- s4 z* T) t: Q$ ? ?1 H9 X Q+ Q2-2-4、1T/2T Memory Timing：1T/2T内存时序。这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内

28、存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。* c3 e% J: t$ ?1 m; a5 H7 t! L+ P# F c2 G& k# G. 4 _4 V& b/ E8 / F. z0 d& P/ s9 R9 w% r9 V! d5 H( a# R6 H2-2-5、DCT Unganged Mode：内存通道控制模式。选择内存通道的控制模式，Ganged是一个双通道，128位带宽。Unganged是2个单通道，64位x2带宽。设置选项是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged

29、）。默认是Enabled。! U2 Q5 & k, l7 U# Q; Q* V) : c( E2 B! - b) q, z5 r0 N% P0 k7 G% T) Z2 N2-2-6、Bank Interleaving：Bank交错存取。内存bank 交错存取可以让系统对内存的不同bank同时存取，可以提升内存速度及稳定性。设置值有Auto和Disabled，默认值是Auto(开启交错存取)。* q# 8 A, H4 / s6 z2 d( N) S* ; W9 d C/ f, _9 a6 j+ E# r1 c$ j# q6 X/ t( V h7 |. m* 2-2-7、Power Down En

30、abled：开启或关闭DRAM Power Down。内存掉电设置，选项有Disabled和Enabled。默认是Disabled。; d& J J P7 + L7 t3 P) m+ N k# U; 2 8 e T5 q. C+ j6 J2 m: T& F9 ! 4 J Y2 H+ # a Z. P# 设置为Enabled后，增加Power Down Mode选项，选择Channel模式和Chip Select模式。6 S0 ; 7 s6 i, X% T8 5 p* - t% r8 G5 K/ t3 B% w ?5 r7 - n! 5 2 o/ M k5 F! m& Z) g8 W5 % r7

31、 z. T: - p8 t% 1 S2-2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID：开启或关闭内存时钟在C3/ATLVID下的3态。默认是关闭的（Disabled）。 O k G( X$ W1 I# z u4 o$ _) M/ Q# W- r G6 k/ ) M2 & n2-3、FSB/DRAM Ratio：前端总线和内存倍率设置。* + G9 l( R z0 O, i. 2 Z b a5 a2 y, R3 r/ ?1 W默认设置是Auto，自动识别内存条的SPD，设置内存频率。回车可以手动设置。7 R/ O7 x2 W# c3 x, - c: q! F3 S; 2 D$ u*

32、 z0 s2 c. Q: B T4 h- Q# x0 h通过设置倍率可以改变内存的频率，FSB=200，1:2就是DDR800，1:3.33就是DDR1333。1:4 就是DDR1600。7 |* / V# n- T% V如果出现蓝屏死机现象，可以先通过这项设置降低内存频率试试，是不是内存不兼容或内存品质不良。如果降低频率可以排除故障，可以降频使用，或者更换内存条。, Q2 v4 m; r- v$ B n # W+ v$ f( D: z% T: P& T, u) N2 Z/ d0 R+ 6 _7 hDDR3 1333内存条有3种，一种是SPD只有1066，没有1333，可以通过设置倍率（1:1

33、.333）上到1333。第二种是SPD有1333，但是1333的参数不对，1333对应的频率应该是666，这种内存的频率是601，这样的内存也需要通过设置倍率上1333。第三种是标准的1333，SPD的1333频率参数是666或667。这种内存默认就可以上1333。4 $ P* E7 F$ h) S$ Y, e$ D! c9 V/ k% c) q+ HDDR3 1600内存有3种：超频1600的（SPD只有1333），可以通过设置倍率（!:4）到1600。第2种是SPD参数有1600（800），这样的内存条可以默认上1600。第3种是1600采用X.M.P规格，使用这种1600内存，BIOS会

34、出现X.M.P选项，把这项设置为Disabled即可上1600。, l. s$ U2 E! F B( p % k% R+ & J H3、内置显卡超频# j j2 A- R4 D1 z _为方便用户对内置显卡4200超频，BIOS把显卡频率设置选项移到核心菜单，叫做：6 Z/ . r: X( ?# DOnboard VGA Core Over Clock。7 a0 & J& g+ R+ u: m e s& u3 i2 b$ |4 BOnboard VGA Core Over Clock的设置项有Disabled（默认）和Enabled。$ j D8 H1 W9 N8 a开启显卡超频，增加一项调整

35、显卡频率值的选项：Adjust Onboard VGA Frequency。默认值是500MHz。超频时直接键入频率值，比如550MHz。6 e! E: O2 |6 W( e6 b! G; Y D. V, - w: U# x: _4、HT和PCI相关设置; j U/ , |5 _2 V yHT（超传输）总线是AMD的开发的芯片互连总线。AMD把内存控制器移到CPU，CPU内部采用HT总线。显卡采用PCIE总线，HT和PCIE之间需要桥接。AMD的北桥就起到HT和PCIE的桥接作用。北桥和CPU之间是HT总线连接。所以BIOS有HT总线的设置和PCIE总线的设置。相关设置有4项：8 R2 ?0

36、t7 a- ! k* g: J3 s! x2 K! y8 s! 8 J: l& y3 K; v0 6 u6 w/ L( z; t, K* t! F0 X; H$ R4-1、HT Link Control：HT链接控制。这个选项设置需进入二级菜单。回车进入二级菜单后，看到的是2个选项：/ l8 e R4 X6 F, r g6 F- |* |( z6 P! _1 F) K9 j* Q3 d tHT Incoming Link Width和HT Outgoing Link Width：HT上行链接宽度和下行链接宽度。HT总线采用差分信号，单向串行传输。每一路采用一对信号线，一条发送信号（下行），一条

37、接收信号（上行）。这两个选项就是设置HT总线的位宽。3个设置项：Auto（默认）、8位、16位。Auto是让系统自动设置，8位和16位是手动设置。. Y! w/ u6 U( R0 Y0 A3 I5 y R+ R& _) r/ 1 E 2-4-2、HT Link Speed：HT链接速度。链接速度以倍率表示，从x1到x13。默认设置是Auto，系统自动依据CPU动态设置，FSB超频会自动提升HT链接速度。用户也可以手动设置固定的倍率。X1是200MHz，X5就是1000MHz，以此类推。( l7 D9 q% M6 Pt0 U, l S& 3 U6 f% ; Z8 u, b. B( + u1 n

38、a/ T- l: C0 G2-4-3、Adjust PCI-E Frequency：调整PCI-E频率。1 u- J% R ! e, 9 |0 J$ T. F2 n( z) y# z4 Q. Z0 E6 a5 Y0 l, l2 N9 6 A9 G# p* L$ : 系统给PCI-E的频率是100MHz，由于现在的FSB和PCI-E时钟频率是分开的，调整FSB频率不会影响PCI-E/PCI频率。超频时不必再考虑锁定PCI-E和PCI频率。BIOS也没有锁定选项。这里的PCI-E频率调整是为PCI-E超频设计的，直接键入超频频率值，超频范围是100MHz-150MHz。5 ) z3 Y+ F* Z

39、/ n2 G6 o( s0 z k- V7 h2 y/ L8 B% j+ w2-4-4、Auto Disable DRAM/PCI Frequency：自动关闭DRAM/PCI时钟信号。. c4 M/ s: h# B默认设置是Enabled，系统将关闭空闲的DRAM和PCI槽的时钟信号，降低干扰。7 / O0 l4 t* x! & R0 P, o) J m! Q5 x$ 7 i* r3 5、电压设置- P c+ 8 V: m( ( x K: _785GM-E65 BIOS提供了8项电压设置：3 s6 b6 X+ s+ B; b3 M; 5 C1 m+ J 6 O9 o1 B$ K$ x# a,

40、 z$ z9 r) SCPU VDD电压：CPU VDD电压。调整范围1.1000-1.5500V# X* L/ ; G8 t1 % U7 V. c7 RCPU-NB VDD电压：CPU内北桥VDD电压。调整范围1.1000-1.5500 L# Y u! a# |CPU电压：CPU核心电压。调整范围1.025-1.975V7 i3 ?) G2 v8 $ D: S, Q* l b4 7 NCPU-NB电压：CPU内北桥电压。调整范围1.202-1.520V# Z% E1 X7 U( Y/ L4 PDRAM电压：内存电压。调整范围1.50-2.42V; C* e$ T H T8 yNB电压：北桥电

41、压。调整范围1.108-1.337V& ?! S) N5 S6 x$ i c0 bHT Link电压：HT总线链接电压。调整范围1.202-1.454V9 Q8 j, p7 Y3 ESB电压：南桥电压。调整范围1.228-1.472V% b5 / W7 M. m- c& z: Q0 O1、上面8项电压中，前2项VDD电压是CPU内的CMOS电路的漏极电压。调整这个电压可以使超频更稳定。& 4 |* Z* C% h r o2、其余5项电压是供电电压。超频时提高一点电压可以提高超频成功率。因为超频后，CPU内的CMOS开关频率加快，输出信号的电平幅度会降低，导致信号不稳定，提高一点供电电压，就会提

42、高信号电平幅度，增强信号。 r/ Z# j$ j9 0 l# 1 d# p简单讲CPU内的所有晶体管都是CMOS电路，都是开关。CPU运算就是这些CMOS开关电路不停地“开”和“关”。“开”就是导通，让代表“1”的高电平信号通过。“关”就是断开，信号变成低电平，表示“0”。如果代表“1”的高电平较低，就会与低电平的“0”混淆，CPU分辨不出“1”和“0”，自然运算就出错，导致死机、蓝屏。; T d0 8 c- Z8 3、电压提升过高也不利于超频，因为电压过高，把信号电平也拉高，信号电平越高，CMOS开关的频率就无法加快。这个道理可以从CPU电压的进展历程看出来。486/586时代，CPU的核心

43、电压和I/O电压都是3.3V。奔腾4开始，把CPU的核心电压与I/O分开，核心电压降到2V左右，现在降到1.xx V，降低信号电平就是要提高CPU的频率。CPU的频率取决于CMOS电路的开关速度，信号电平设计的越低，开关速度就越快。! 9 $ $ o! a: d3 y$ T4、有些DIY发现，超频频率很高时，CPU满载运作会有“掉”电压的现象。于是想办法改电路，或者再提高电压。其实，“掉”电压是正常现象。频率提高30%，CMOS电路的开关频率提高30%，开关时间缩短30%，输出的高电平信号电压肯定降低，自然也要把供电电压拉低。$ 9 o* u7 D n2 a# E; K& n5、所以，调整电压

44、要适当，不是越高越好。上述8项电压设置，灰色的Auto表示默认电压。白色数字表示正常范围的电压。红色数字表示非正常电压，包括过高和过低的。8 m5 P- ! R6 J m; i6、调整电压时，可以用小键盘的“+”和“-”键，也可以用Page Up和Page Down键。# ?- _1 M7 p V/ c+ U n, N% U( B6、频展设置) k5 u$ s# P5 . w9 i. a, c+ S& F5 V7 K, U/ C, / U6 k/ J) z& g* K) U0 2 ESpread Spectrum（扩展频谱）技术是一种常用的无线通讯技术，简称展频技术。当主板上的时钟发生器工作时

45、，脉冲的峰值会产生电磁干扰（EMI），展频技术可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰。在没有遇到电磁干扰问题时，应将此类项目的值全部设为“Disabled”，这样可以优化系统性能，提高系统稳定性；如果遇到电磁干扰问题，则应将该项设为“Enabled”以便减少电磁干扰。在将处理器超频时，最好将该项设置为“Disabled”，因为即使是微小的峰值飘移也会引起时钟的短暂突发，这样会导致超频后的处理器被锁死。! . X S% ( j# L5 ) F b# X) q6 z, X) Cell Menu讲解结束，有错误之处请指正。相关内容推荐菜鸟进阶BIOS设置技巧之Award篇菜鸟进阶BIOS设置技巧之AMI

46、篇BIOS设置最新 Award Bios 设置全程图解BIOS设置最新 AMI Bios 设置全程图解 版内热帖： 主板 msi微星 微星785GTM-E45 E65更新台湾官网BIOS 2.C 可以刷吗 求助(o)、 求救啊 微星785GTM-E45 PCIE问题 大家给点意见 那位大哥帮帮忙 我的 785-E65最近花屏蓝屏之后重 查看最新报价 综述参数图片 该产品用户点评(54) 新酷睿智能选机宝典: 中端平台价不高 4500元游戏配置推荐 高清影音利器 酷睿数码视频王仅765元 轻松搞定尘埃3 酷睿i5-2300玩游戏首选 4GB内存免费送 2600K超频平台低价促销 震撼视觉 二代智能酷睿数码视频王推荐大家一起来节能环保！ niuxue 进士 当前经验 436 分，升级还需 1114 经验分 下一等级：亚员 如何升级？ 帖子：116关注：粉丝：精华：0硬币：144Z币：7ID：niuxue所在地：山东注册时间：2