化学气相沉积ppt课件.ppt

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1、化学气相沉积,程立维 常秀丽 禚昌岩 西北工业大学,化学气相沉积概述,一、化学气相沉积的原理 二、化学气相沉积的工艺方法 三、化学气相沉积的特点与应用 四、 PVD和CVD两种工艺的对比 五、化学气相沉积的新进展,一、化学气相沉积的原理定义：化学气相沉积（Chemical vapor deposition)简称CVD技术，是利用加热、等离子体激励或光辐射等方法，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。 从理论上来说，它是很简单的：将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基体表面上。,三个步骤,1.产生挥发性物质,2.将挥发性物质运到沉

2、积区,3.挥发性物质在基体上发生 化学反应,原理：CVD是利用气态物质在固体表面进 行化学反应，生成固态沉积物的过程。,CVD化学反应中须具备三个挥发性条件：,（1）反应产物具有足够高的蒸气压（2）除了涂层物质之外的其他反应产物必须是挥发 性的 （3）沉积物具有足够低的蒸气压,进气口,基体送入口,压力计,加热器,反应器,CVD反应系统示意图,排气口,基体,化学气相沉积的反应过程,化学反应可在衬底表面或衬底表面以外的空间进。（1）反应气体向衬底表面扩散（2）反应气体被吸附于衬底表面（3）在表面进行化学反应、表面移动、成核及膜生长（4）生成物从表面解吸（5）生成物在表面扩散 在这些过程中反应最慢的

3、一步决定了反应的沉积速率。,CVD化学反应原理的微观和宏观解释,（1）微观方面： 反应物分子在高温下由于获得较高的能量得到活化，内部的化学键松弛或断裂，促使新键生成从而形成新的物质。（2）宏观方面： 一个反应能够进行，则其反应吉布斯自由能的变化（G0）必为负值。可以发现，随着温度的升高，有关反应的G0值是下降的，因此升温有利于反应的自发进行。并且对于同一生成物，采用不同的反应物，进行不同的化学反应其温度条件是不同的，因此选择合理的反应物是在低温下获得高质量涂层的关键。,化学气相沉积成膜特点,在CVD过程中，只有发生气相-固相交界面的反应才能在基体上形成致密的固态薄膜。 CVD中的化学反应受到气

4、相与固相表面的接触催化作用，产物的析出过程也是由气相到固相的结晶生长过程。在CVD反应中基体和气相间要保持一定的温度差和浓度差，由二者决定的过饱和度产生晶体生长的驱动力。,化学气相沉积热力学分析 用物理化学知识对沉积过程进行热力学分析,找出反应向沉积涂层方向进行的条件以及平衡时能达到的最大产量或转化率。 如反应： A(g) C(g) + D(s) ， 要想沉积D，上述反应的lgKp应是较大的正值，但要想D溶解进入气相，即在原料区，则lgKp应是较大的负值 lgKp=- G02.303RT =- H02.303RT+ S02.303RT 式中G0_标准状态下反应吉布斯自由能的变化 H0 和S0_

5、 标准状态下反应的焓和熵的变化 Kp_ 反应的平衡常数 Kp可表示为： Kp=pcD / pA D _ 固体活度；pA、 pc_ 气体物质A、C的分压,表1 :反应A(g) = C(g) + D(s) 的转换百分数与平衡常数的关系,从表中可以看出，当lgKp值位于+3和+4之间时，A基本上完全转化成C和D。,由于lgKp=3时转换效率已达99.9%因而可认为 lgKp3 的区域为最佳沉积区。比较可见反应I是理想的从热到冷的或放热的传输-沉积反应，其原料区温度控制在950-1100K，沉积反应控制在650-700K。反应的斜率太小，但尚可用。其它反应则多因温度太高或较低的原因因而难以实现或得不到

6、满意的镀层。,对于不同的反应，用lgKp对1/T作图，直线的斜率为： -H0/(2.303R)截距为：S0/(2.303R)图中假设的五个反应曲线可以用来选择传输-沉积反应。,几种反应的lgKp对1/T曲线,化学气相沉积反应的物质源1、气态物质源 如H2、N2、CH4、O2、SiH4等。这种物质源对CVD工艺技术最为方便 ，涂层设备系统比较简单，对获得高质量涂层成分和组织十分有利。2、液态物质源 此物质源分两种：（1）该液态物质的蒸汽压在相当高的温度下也很低，必须加入另一种物质与之反应生成气态物质送入沉积室，才能参加沉积反应。 (2)该液态物质源在室温或稍高一点的温度就能得到较高的蒸汽压，满足

7、沉积工艺技术的要求。如：TiCl4、CH3CN、SiCl4、VCl4、BCl3。3、固态物质源 如：AlCl3、NbCl5、TaCl5、ZrCl4、WCl6等。它们在较高温度下（几百度）才能升华出需要的蒸汽量，可用载气带入沉积室中。因为固态物质源的蒸汽压对温度十分敏感，对加热温度和载气量的控制精度十分严格，对涂层设备设计、制造提出了更高的要求。,常见的反应类型,1、热分解,2、还原反应,3 氧化反应,4、歧化反应5、合成或置换反应6、化学传输反应,1 、热分解：,SiH4,500,Si + H2 在8001000成膜,CH3SiCl3 SiC+3HCl,1400,WF6+3H2 W+6HF 氢

8、还原,2 、还原反应：,SiCl4+2Zn Si+2ZnCl2 金属还原,3 、氧化反应：,SiH4+O2 SiO2+2H2,SiCl4+O2 SiO2+2Cl2,4、歧化反应：,2GeI2g Ges,g+GeI4g,5、合成或置换反应： SiCl4g +CH4 g SiCg+4HClg,6、化学传输反应：(1)Zr的提纯： Zr(s)+2I2(g) ZrI4(g) Zr(s)+2I2(g)(2)ZnSe单晶生长: ZnSe(s)+I2 (g) ZnI2(g)+12Se2(g),250550,13001400,二、化学气相沉积的工艺方法,不同的涂层，其工艺方法一般不相同。但他们有一些共性，即每

9、一个CVD系统都必须具备如下功能： 将反应气体及其稀释剂通入反应器，并能进行测量和调节； 能为反应部位提供热量，并通过自动系统将热量反馈至加热源，以控制涂覆温度。 将沉积区域内的副产品气体抽走，并能安全处理。 此外，要得到高质量的CVD膜，CVD工艺必须严格控制好几个主要参量： 反应器内的温度。 进入反应器的气体或蒸气的量与成分。 保温时间及气体流速。 低压CVD必须控制压强。,CVD装置基本构成,液体循环真空泵,废气处理,排气,沉积室,加热炉,工件,发生器,质量流量计,H2,TiCl4,CH3CN,AlCl3,CH4,N2,H2,CO2,HCl,蒸发器,负压CVD装置示意图,负压CVD主要性

10、能说明,1、反应气体流量及输送 准确稳定的把各反应气体送入沉积室，对获得高质量的涂层是非常重要的。气体流量过去多采用带针型调节阀门的玻璃转子流量计，而现在随着工业水平的发展，气体流量又多采用质量流量计，这种流量计测量的控制精度高，又带计算机接口，很容易实现自动控制。2、加热方式及控制 CVD装置的加热方式有电阻加热、高频感应加热、红外和激光加热等，这应根据装置结构、涂层种类和反应方式进行选择。对大型生产设备多采用电阻加热方式。,3、沉积室及结构 沉积室有立式和卧式两种形式。设计沉积室时首先考虑沉积室形式、制造沉积室材料、沉积室有效容积和盛料混气结构。 一个好的沉积室结构在保证产量的同时还应做到

11、：（1）各组分气体在沉积室内均匀混合。（2）要保证各个基体物件都能够得到充足的反应气体。（3）生成的附加产物能够迅速离开基体表面。这样就能使每一个基体和同一个基体各个部分的涂层厚度和性能均匀一致。4、真空及废气处理 CVD装置大多会产生腐蚀性、挥发性气体和粉末状副产物。这会对真空泵和环境造成很大的损害，所以在大批量生产中，真空机组多选用水喷射泵和液体循环真空泵，废气采用冷阱吸收和碱液中和手段，去除酸气和有害粉尘，使尾气排放达到环保要求的标准。,CVD技术分类 反应器是CVD装置最基本的部件。根据反应器结构的不同，可将CVD技术分为开放型气流法和封闭型气流法两种基本类型。1、开放型气流法：特点：

12、反应气体混合物能够连续补充，同时废弃的反应产物能够不断地排出沉积室，反应总是处于非平衡状态。优点：试样容易装卸，工艺条件易于控制，工艺重复性好。,按照加热方式的不同，开放型气流法可分为热壁式和冷壁式两种。（1）热壁式 一般采用电阻加热，沉积室壁和基体都被加热。缺点是管壁上也会发生沉积。,反应气体,排气,衬底,热壁反应器,加热器,（2）冷壁式,基体本身被加热，故只有热的基体才发生沉积。实现冷壁式加热的常用方法有感应加热，通电加热和红外加热等。,反应气体,排气,水冷却反应器,加热的衬底,冷壁反应器,2.封闭型气流法,把一定量的反应物和适当的基体分别放在反应器的两端，管内抽真空后充入一定量的输运气体

13、，然后密封，再将反应器置于双温区内，使反应管内形成一温度梯度。温度梯度造成的负自由能变化是传输反应的推动力，于是物料就从封管的一端传输到另一端并沉积下来。优点（1）可降低来自外界的污染； （2）不必连续抽气即可保持真空； （3）原料转化率高。缺点（1）材料生长速率慢，不利于大批量生产； （2）有时反应管只能使用一次，沉积成本较高； （3）管内压力测定困难，具有一定的危险性。,反应气体,衬底,感应线圈,排气孔,（a）开放型,低温区T1 高温区T2,实心棒生长端,熔断处,（b）封闭型,化学气相沉积反应器示意图,ZnSe(s) +I2(g) ZnI2(g) +12 Se2(g),I2(g),ZnSe

14、,T2,T1,化学气相沉积主要工艺参数：一、温度 首先，温度影响气体质量运输过程，从而影响薄膜的形核率，改变薄膜的组织与性能；其次，温度升高可显著增加界面反应率和新生态固体原子的重排过程，从而获得更加稳定的结构。二、反应物供给及配比 进行CVD的原料，要选择常温下是气态物质或具有高蒸汽压的液体或固体。 气体组成比例会严重影响镀膜质量及生长率。如果要获得性能优良的氧化物、氮化物等化合物薄膜时，通入的氧气或氮气一般要高于化学组成当量。,三、压力 压力影响反应器内热量、质量及动量传输，因此会影响反应效率、膜质量及膜厚度的均匀性。在常压水平反应室内，气体流动状态可以认为是层流；而在负压立式反应室内，由

15、于气体扩散增强，反应生成物废气能够尽量排出，可获得组织致密、质量好的涂层，更适合大批量生产。,三、化学气相沉积的特点与应用,（1）沉积物众多，它可以沉积金属、碳化物、氮化物、氧 化物和硼化物。 （2）可以在常压或低真空状态下工作镀膜的绕射性好形状复杂的工件或工件中的深孔、细孔都能均匀镀膜。（3）涂层和基体结合牢固，经过CVD 法处理后的工件用在十分恶劣的加工条件下，涂层也不会脱落。（4）涂层致密而均匀，而且容易龙之它们的纯度、结构和晶粒度。（5）设备简单，操作方便灵活性强。 该法最大的缺点是沉积温度高，一般在700-1100范围内，许多材料都经受 不了这样高的温度，使其用途受到很大的限制。,化

16、学气相沉积的应用 化学气相沉积层的优点是膜层致密，基体结合牢固，绕涂性好，膜层比较均匀，膜层质量比较稳定，易于实现大批量的生产，因此在许多领域得到了广泛的应用。 1 CVD技术在材料制备中的应用 制备晶体或晶体薄膜； CVD法能极大改善晶体或晶体薄膜的性能，而且还能制备出其他方法无法制备的晶体。气体外延技术制备半导体层、金属单晶薄膜（如钨、钼、铂）、化合物单晶薄膜（如：Ni2O4、Y3FeO12、CoFe2O4等）。, 晶须制备 CVD 法广泛采用金属卤化物的氢还原。不仅可以制备金属晶须，还可以制备化合物晶须，如Al2O3、SiC和TiC晶须等。 此外，利用CVD技术在碳纤维表面进行“晶须化”

17、处理，沉积碳化硅纤维，大大提高碳纤维的粘结强度。CVD制备多晶材料膜和非晶材料膜 半导体工业中用作 绝缘介质隔离层的多晶硅沉积层，以及属于多晶陶瓷的超导材料Nb3Sn等大多都是CVD法制备。纳米粉末制备 应用等离子CVD法、激光CVD发或热激活CVD技术制备高熔点化合物纳米粉末。,2、 CVD在切削方面的应用 用CVD法在刀具上涂覆高耐磨性的碳化物、氮化物等涂层，能有效的控制在车、铣和钻的过程中出现的磨损。 化学气相沉积层降低刀具磨损的主要原因为：在切削开始时，切削与基体的直接接触减小，这样刀具和工件之间的扩散过程降低，因此降低了月牙形磨损。与基体材料相比，沉积层的导热性更小，使更多的热保留在

18、切削和工件中，这样降低了磨损效应，使寿命得到提高，明显降低了成,本，在切削加工材料时能获得最好的效果3、在模具方面的应用 金属材料在成形时，会产生高的机械应力和物理应力，采用CVD法得到的涂层作为表面保护层，显著地降低了所产生的磨损，因为它具有下列性能： 1)与基体材料的结合力好，因此在成形时能转移所 产生的高摩擦剪切力。 2)有足够的弹性，模具发生少的弹性变形时，不会出现裂纹和剥落现象。,3)具有好的润滑性能，它能降低模具的磨损并能改善成形工件的表面质量。4)具有高硬度，它能降低磨粒磨损。 目前，CVD已应用于凹模、凸模、拉模环、扩孔芯棒、卷边模和深孔模中，与未沉积的模具相比，沉积TiN层模

19、具寿命可提高几倍甚至几十倍。4在耐蚀涂层方面的应用 SiC、SiN4、MoSi2等硅系化合物是最重要的耐高温氧化覆层，这些覆层在表面上生成致密的SiO2薄膜，起着阻止氧化的作用，在14001600温度下能耐氧化。,Mo和W的CVD涂层亦具有优异的耐高温腐蚀性。因此，可应用于涡轮叶片、火箭发动机喷嘴、煤炭液化和气化设备及粉末鼓风机喷嘴等设备零件上。 5、在耐磨机械零件方面的应用 活塞环、注射成形用缸体、挤压用螺旋桨轴及轴承等零部件，在滑动中易磨损。因此，要求耐磨性好，摩擦因数低，与基体的粘附性好的材料。目前，进行研究和应用的有缸体和螺旋浆的TiC覆层、钟表轴承的TiN涂层、滚珠轴承的TiC、Si

20、3N4涂层等。,6、在半导体光电技术方面的应用 CVD法可以制备半导体激光器、半导体发光器件、光接收器和集成光路等。7、光纤通信的应用 通信用的光导纤维是用化学气相沉积技术制得的石英玻璃棒经烧结拉制而成，利用高纯四氯化硅和氧气可以很方便的沉积出高纯石英玻璃。 此外， CVD技术在太阳能、微电子学、超电导技术和碳纤维复合材料中都有重要的应用。,四、 PVD和CVD两种工艺的对比 1、工艺温度高低是CVD和PVD之间的主要区别。温度对于高速钢镀膜具有重大意义。CVD法的工艺温度超过了高速钢的回火温度，用CVD法镀制的高速钢工件，必须进行镀膜后的真空热处理，以恢复硬度。镀后热处理会产生不容许的变形。

21、2、CVD工艺对进人反应器工件的清洁要求比PVD工艺低一些，因为附着在工件表面的一些脏东西很容易在高温下烧掉。此外，高温下得到的镀层结合强度要更好些。,3、CVD镀层往往比各种PVD镀层略厚一些，前者厚度在7.5m左右，后者通常不到2.5m厚。CVD镀层的表面略比基体的表面粗糙些。相反，PVD镀膜如实地反映材料的表面，不用研磨就具有很好的金属光泽，这在装饰镀膜方面十分重要。4、CVD反应发生在低真空的气态环境中，具有很好的绕镀性，所以密封在CVD反应器中的所有工件，除去支承点之外，全部表面都能完全镀好，甚至深孔、内壁也可镀上。相对而论，所有的PVD技术由于气压较低，绕镀性较差，因此工件背面和侧

22、面的镀制效果不理想。,5 、在CVD工艺过程中，要严格控制工艺条件，否则，系统中的反应气体或反应产物的腐蚀作用会使基体脆化，高温会使镀层的晶粒粗大。6、操作运行安全问题。PVD是一种完全没有污染的工序，有人称它为“绿色工程”。而CVD的反应气体、反应尾气都可能具有一定的腐蚀性，可燃性及毒性，反应尾气中还可能有粉末状以及碎片状的物质，因此对设备、环境、操作人员都必须采取一定的措施加以防范。,五、化学气相沉积的新进展 化学气相沉积是目前制备各种类型的固体镀层的重要方法，但CVD的沉积温度通常很高，一般在700-1100之间，因此，基片的选择，沉积层或所得工件的质量都受到了限制。 目前CVD的趋向是

23、向低温和高真空两个方向发展。 近年来，在降低沉积温度和新的激活反应的方法等研究方面已取得了可喜的进展。较成功的有等离子体化学气相沉积法（PCVD）和激光致化学气相沉积法。 等离子化学气相沉积是将低压气体放电技术应用于化学气相沉积。在低温等离子体中高能电子和反应气体产生非弹性碰撞，使反应气体分子电离或激发，降低了化合物分解或化合所需的能量。使反应温度降低，在低温时便可以得到化合物涂层。,1.PCVD的优点 1） PCVD技术具有沉积温度低,沉积速率快,绕镀性好,薄膜与基体结合强度好,设备操作维护简单等优点,用PCVD法调节工艺参数方便灵活,容易调整和控制薄膜厚度和成份组成结构,沉积出多层复合膜及

24、多层梯度复合膜等优质膜。 2）PCVD法还拓展了新的低温沉积领域,例如,用PCVD法可将TiN的反应温度由CVD法的1000降到200500。,2、存在问题: 1)温度的精确测量和温度的均匀性问题 2)腐蚀污染问题因为通过化学反应,有反应产物及副产物,对腐蚀性产物要解决真空泵的腐蚀问题,还要解决排气的污染控制及清除问题 3)沉积膜中的残留气体问题用PCVD法所得TiN薄膜中的氯气含量随沉积温度的升高而降低。一般来讲,沉积温度高,速度慢,可减少残余气体量,在Si3N4膜中,若含氢量多,会影响膜的介电性能,激光致化学气相沉积是用激光束仅对基片上需要沉积的部位照射光线，结果只在基片上局部的部位形成沉积层。通过控制激光束的直径控制薄膜的厚度， 近年来还发展了等离子体增强化学气相沉积法将沉积温度从1000降到200-400，并利用等离子体环境诱发载气分解，这样减少了对热能的大量需要，从而大大扩展了沉积材料的范围。,THANKS FOR ATTENTION,