有机材料与器件有机电致发光课件.pptx
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1、有机半导体材料与器件Organic Semiconductor materials and devicesChapter 3 Electroluminescence,有机半导体材料与器件Organic Semiconduct,第五章 有机电致发光( electroluminescence,EL ),本章内容:1、有机电致发光的研究历史,包括物理机制的提出及发展2、OLED机理各种电极材料及电极修饰过程以及相应电极修饰对载流子注入的影响OLED器件电流特性、载流子复合类型、发光类型、EL分布特点等基于掺杂磷光的OLED器件中激子产生的过程和机制。3、OLED器件结构,包括单层、双层、三层、多层、
2、白光及掺杂器件。4、OLED器件表征参数:驱动电压、发光效率(包括量子效率、电流效率及功率效率)、色度坐标、色温及显色指数、器件寿命等5、OLED器件功能材料。,2,第五章 有机电致发光( electroluminescen,3.1 研究简史电致发光于1936年由G Destriau首次观察到 有机电致发光的研究始于1963年,早期的报道来自于M.Pope研究组和R.E.Visco研究组观察到蓝光。 W.Helfrich和W.G.Schneider 观察到蓝光。,3,2022/12/12,3.1 研究简史32022/9/24,D.F.Williams和M.Schadt于1970年通过在蒽单品的
3、两个侧面构筑电极,首次制备了“显示”器件 1982年,P.S.Vineett等以半透明的金做阳极,通过真空蒸镀制备了600 nm厚的非晶蒽薄膜器件,在30 V直流驱动下得到较亮的EL。国际上有机电致发光材料与器件的大规模研 发始于十九世纪八十年代末:1987年美国柯达公司的邓青云(C.W.Tang)博士等人发明了三明治型有机双层薄膜电致发光器件,标志着有机电致发光技术进入了孕育实用化时代 。,4,2022/12/12,D.F.Williams和M.Schadt于1970年通过在,5,2022/12/12,52022/9/24,1990年英国剑桥大学D.D.C.Bradley和R.H.Frien
4、d等报告了在低电压下高分子材料的电致发光现象(PLED)。 1998年,S.R.Forrest等开创性地将磷光材料应用于电致发光器件。 有机电致发光的优点:全固态 光谱宽 亮度高视角宽 厚度薄 柔性低电压驱动 功耗低 工作温度范围宽自主发光 响应速度快 易大面积加工制造成本低,6,2022/12/12,1990年英国剑桥大学D.D.C.Bradley和R.H.F,3.2有机电致发光器件机理3.2.1 电致发光种类电致发光(electroluminescence,EL):活性物质在电场的作用下,产生光辐射的过程;如果中间的活性物质是有机物,则称为有机电致发光(Organic electrolum
5、inescence, OEL)EL的类型划分可从三个角度考虑:激发源的类型(直流或者交流电);产生激发态的模式(载流子注入或者非载流子注入);光辐射跃迁的机制(荧光发射或者磷光发射)。,7,2022/12/12,3.2有机电致发光器件机理72022/9/24,8,2022/12/12,82022/9/24,基于不同的发光机制,电致发光可分为以下几类:薄膜电致发光 (thin film electroluminescence,TFEL);无机电致发光二极管 (light emitting-diode,LED)有机电致发光二极管 (organic light emitting diodeOLED)
6、,9,2022/12/12,基于不同的发光机制,电致发光可分为以下几类:92022/9/,10,2022/12/12,102022/9/24,TFEL器件工作原理(碰撞激发),2022/12/12,11,TFEL器件工作原理(碰撞激发)2022/9/2411,有机OLED与无机LED的基本区别:无机LED中可通过掺杂,形成稳定的p型和n型半导体及稳定的pn结,而有机材料不可能通过掺杂得到重复性很好的p和n型半导体及真正意义上不受化学反应和扩散影响的稳定pn结。无机LED中,在加电场之前就存在自由的正负载流子;而OLED中,载流子完全是由电场注入所致,在没有外加电场时是不存在自由载流子的。在无机
7、LED中,载流子以较快的能带模式输运,有较大的流动性,电子与空穴在pn结处的复合产生能带之间的光辐射;OLED中由于薄膜的无序性,载流子以迁移率极低的跃进方式输运,倾向于定域化和极化,正负载流子的复合产生相对定域化的激子,光辐射是激子型的。,12,有机OLED与无机LED的基本区别:12,OLED的发光过程:载流子注入:电子和空穴分别从阴极和阳极向夹在电极之间的有机活性层注入;载流子迁移:在电场作用下,正负载流子在器件中分别从电子传输层和空穴传输层向发光层相向迁移;激子形成和扩散:电子和空穴在发光层相遇,形成激子;激子复合并将能量传递给发光材料使其从基态跃迁至激发态。发光:发光材料的激发态能量
8、经过辐射跃迁过程产生光子,释放出光能。,13,2022/12/12,OLED的发光过程:132022/9/24,3.2.2 电荷注入1注入势垒及界面偶极层根据注入势垒的不同特征及所加载电压的大小,正负电极通过欧姆接触界面向OLED器件中注入载流子的途径,主要包括两种方式:克服势垒的热电子注入量子力学隧穿OLED获得较低注入势垒的首要方法:选取与邻近有机材料相匹配的电极。,14,2022/12/12,3.2.2 电荷注入142022/9/24,2阳极材料注入空穴,要求阳极的真空能级与HTL的空穴真空能级(HOMO)相匹配或相近,亦即阳极功函数与HTL的HOMO相匹配。用作空穴注入的阳极材料,需满
9、足以下条件:高电导率;优良的化学及形态稳定性;高功函数;良好的透光率。,15,2022/12/12,2阳极材料152022/9/24,常见阳极材料:功函数较高的金属(金、银、铝、镍等)透明导电金属氧化物(TCO: transparent conductingoxide)碳黑导电聚合物等铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO):最常用的OLED阳极材料,其功函数在4.04.5 eV左右。ITO的特点:稳定性好、透光性强(带隙Eg=3.54.3 eV,在可见光范隔内透光率达90%)、电阻率低(约为24X 10-4.cm),16,2022/12/12,常见阳极材料:162022/9/2
10、4,3阳极ITO的界面修饰在OLED中,为了提高空穴注入,通常将ITO表面做适当的界面修饰,以达到提高功函数、与有机材料HOMO匹配的目的ITO界面修饰方法包括:氧等离子表面处理CFx等离子表面处理酸碱吸附及自组装单分子层引入缓冲层等,17,2022/12/12,3阳极ITO的界面修饰172022/9/24,3.1 氧等离子处理有效地清洁ITO表面而且可以提高ITO的功函数,减小从ITO向有机薄膜的空穴注入势垒,提高ITO表面的浸润性能,改善有机材料在ITO薄膜上的成膜性能等改善OLED光电性能的作用。,18,2022/12/12,3.1 氧等离子处理182022/9/24,19,2022/1
11、2/12,3.2 CF3H处理,192022/9/243.2 CF3H处理,3.3 酸碱吸附及自组装单分子层研究发现,ITO表面的酸碱吸附可以很大程度地改变功函数。研究发现,ITO表面的酸碱吸附可以很大程度地改变功函数。酸处理ITO表面可以增大功函数,相应地,碱处理可以减小功函数,功函数的变化可高达+0.7 eV,磷酸(H3P04)及四丁基氢氧化铵N(C4H9)40H分别是效果最大的酸和碱。,20,2022/12/12,3.3 酸碱吸附及自组装单分子层202022/9/24,3.4 引入缓冲层(1)增强空穴注入的缓冲层在以ITO为阳极的OLED器件中,经过表面修饰的ITO功函数最大达5.0 e
12、V,有机空穴传输材料的HOMO通常在5.5 eV左右,因此空穴由电极的注入通常有0.5eV左右的注入势垒。为了减小电极与空穴传输层之间的注入势垒,可在二者之间嵌入一个空穴能级适中的空穴注入层,形成能级的梯状递增,使空穴可以通过减小的势垒分步注入到空穴传输材料中,提高注入效率。,21,2022/12/12,3.4 引入缓冲层212022/9/24,22,2022/12/12,222022/9/24,(2)产生空穴隧穿的绝缘缓冲层在ITO表面修饰一薄层绝缘材料,如聚四氟乙烯(teflon)、类金刚石(diamond like carbon,DLC)、氟化钾等,均可调控空穴注入、提高器件效率但是对驱
13、动电压的影响不一该绝缘层有一个优化厚度。,23,2022/12/12,(2)产生空穴隧穿的绝缘缓冲层232022/9/24,(3) p型化学掺杂型缓冲层在ITO和空穴传输材料层之间嵌入一层p型化学掺杂空穴注入材料,可以增强空穴注入。机制:由于掺杂使主体材料的电子转移到客体分子上,因而在主体材料中产生自由空穴,增加了阳极与有机薄膜的欧姆接触特性。p型掺杂形成的空穴聚集界而使p掺杂区域的能带向下弯曲,ITO处的空穴通过隧穿注入到有机薄膜的几率增大。,24,2022/12/12,(3) p型化学掺杂型缓冲层242022/9/24,在选择和使用p型化学掺杂体系作为ITO表面修饰时,需注意两个问题: (
14、1) 提高主体材料HOMO与掺杂客体材料LUMO的能级匹配 (2) 防止掺杂物种对发光层的发光猝灭,25,2022/12/12,在选择和使用p型化学掺杂体系作为ITO表面修饰时,需注意两个,2022/12/12,26,2022/9/2426,2022/12/12,27,2022/9/2427,(4) 由酞菁铜形成的ITO与空穴传输材料之间的缓冲层,2022/12/12,28,(4) 由酞菁铜形成的ITO与空穴传输材料之间的缓冲层202,4阴极材料在OLED器件中,阴极费米能级与有机材料LUMO能级之差是电子注入势垒的主要来源。OLED中的电子注入有多种机制。电子注入势垒高,可导致OLED器件注
15、入效率偏低,使得器件的驱动电压较高,功率效率较低。采用活泼金属与惰性金属的合金形式,既能提供较低的功函数,又具有较小的活性。,29,2022/12/12,4阴极材料292022/9/24,5、阴极铝的界面修饰铝(AI)是非常理想的OLED器件电极材料,它活性适中,如果被氧化,也仅仅在表面形成致密的氧化铝薄膜,可防止内层铝的进一步氧化。铝的功函数较大(4.3 eV) 直接用作阴极,电子注入势垒将会较大。为了降低势垒,有大量研究集中在铝电极界面修饰上,使用的材料包括碱金属醋酸盐、其他碱金属化合物、碱金属氟化物及n型化学掺杂体系。,30,2022/12/12,5、阴极铝的界面修饰302022/9/2
16、4,碱金属化合物修饰:LiF修饰:LiF对Al电极修饰使电子注入效率显著提高的机制隧穿效应界面偶极,31,2022/12/12,碱金属化合物修饰:312022/9/24,1)隧穿效应,2022/12/12,32,1)隧穿效应2022/9/2432,2)界面偶极,33,2022/12/12,2)界面偶极332022/9/24,3)水分子的存在,可降低铝功函数4)LiF在Alq3、LiF及Al共存下解离,是热力学可行的反应n型掺杂修饰:Li、Cs碱金属n型修饰;碱金属盐修饰,34,2022/12/12,3)水分子的存在,可降低铝功函数342022/9/24,3.2.3 载流子输运及器件电流,35,
17、2022/12/12,3.2.3 载流子输运及器件电流352022/9/24,36,2022/12/12,362022/9/24,3.2.4 流子复合产生激子及其光辐射衰减过程OLED器件中,载流子复合形成激子的过程包括两个步骤:电子空穴由于能量上与材料LUMO/HOMO能级相当,而被俘获,形成带电极化子;该极化子倾向于俘获相反电荷,形成激子。激子存在的形式:受激分子、不同分子间的电子转移复合物、相同分子间形成的基激二聚物等。OLED器件中,激子所在区域与器件结构关系密切,激子发生光辐射跃迁的发光,也有一定的特征。,37,2022/12/12,3.2.4 流子复合产生激子及其光辐射衰减过程37
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