电源管理芯片行业市场分析报告课件.pptx
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1、电源管理芯片行业市场分析报告,目录,一、电源管理投资逻辑框架,二 技术指引:详解电源管理芯片概览,原理与结构关键技术指标,三、鸟瞰于胸:产业链分析,四、窥见核心:增长驱动力,五、知己知彼:细说国内外厂商,概览电源管理芯片在半导体中的地位,电源管理芯片属于模拟芯片,是电子设备的电能供应心脏,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能。电源管理芯片是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,广泛应用于各类电子产品和设备中,是模拟芯片最大的细分市场之一。,半导体,集成电路,DOS器件,模拟芯片,数字芯片,分立器件,光电子,传感器,电源管理,信号链,微处理器,存储器,
2、二极管,晶体管,LED,MEMS,资料来源:半导体行业观察、市场研究部,概览电源管理芯片分类,电源管理芯片可划分为AC/DC(交流转直流)、DC/DC(直流转直流)、驱动IC、保护芯片、LDO、负,载开关、PMIC等。,常见的电源主要分为车载与通讯系列、通用工业与消费系列,前者的使用的电压一般为等,后者使用的电源电压一般在24V以下。,48V、36V、24V,不同应用领域规律不同,如PC中常用的是12V、5V、3.3V,模拟电路电源常用5V、15V,数字电路常用3.3V、2.5V等,现在的FPGA、DSP还用2V以下的电压,诸如1.8V、1.5V、1.2V等。,电源管理,线性稳压器,负载开,多
3、功能PMIC,AC/DC,DC/DC,驱动IC,保护芯片,关,多个,LED驱,马达驱动,过压保护,Buck-Boost,PSR,SSR,SR,Buck,Boost,电荷泵,LDO,DCDC、LDO集成,过热保护,动,资料来源:市场研究部,电源管理芯片分类按拓扑结构,拓扑结构即实现相应功能的最基本的电路结构。根据电能转换过程中是否使用隔离器件(变压器),将电路拓扑结构分为隔离型和非隔离型。,拓扑结构,非隔离型,隔离型,Buck-Boost降,Half,Full,Buck降压,Flyback Forward反激 正激,Boost,Push-Pull,Bridge,Bridge,SEPIC,uk,推
4、挽,压,半桥,全桥,升压,资料来源:CSDN、市场研究部,拓扑结构如何选择拓扑结构,隔离器件能增加电路的安全性,大电压场景一般需要隔离器件。如用市电供电,人接触电源的输出端或地端可能会有触电危险。在下雨天打雷的时候,没有隔离可能导致电路烧毁。,非隔离,Boost,Boost-Buck,升压,极性相反:uk极性相同:Sepic、Zeta,根据电路工作功率进行隔离型电源拓扑结构的选择。,组合,降压,非隔离电源中Boost和Buck是基本结构,其他结构都是Boost、Buck的组合变形。Boost电路比Buck电路技术要求高,Buck电路应用场景比Boost电路多。,Buck,Buck-Boost,
5、150W 500W 1kW 2kW,隔离,根据升降压的需求进行非隔离拓扑结构的选择。,Flyback反激,Forward,Push-Pull推挽,Full-Bridge全桥,正激,资料来源:市场研究部,拓扑结构非隔离型电源,非隔离型电源输入输出端没有使用隔离器件(主要是变压器)进行隔离。通过控制开关管占空比,, ,即导通占比大小),对输入的直流电进行升压或降压。(D 0D1,拓扑结构,基本电路,常规转换效率,相对成本 转换系数(,),所需磁器件,升/降压,Buck,85%,11,D,1个电感,降压,1,Boost,70%70%75%75%,1个电感1个电感2个电感2个电感,升压,1 ,Buck
6、-Boost,升压与降压,电压反向,1,1 ,升压与降压,电压同向,Sepic,1.21.2,1 ,升压与降压,电压反向,uk,1 ,资料来源:Wrth Elektronik、市场研究部,拓扑结构隔离型电源,隔离型电源使用变压器将输入电压与输出电压进行隔离,提高电路安全性。,拓扑结构,基本电路,常规转换效率,相对成本 转换系数(,),所需磁器件变压器,升/降压,DCMFlyback,T2,75%,1.51.81.82,D*,升降压,2 ,Forward,75%75%80%,变压器与电感变压器与电感电压器与电感,升降压升降压升降压,Push-Pull,Half-Bridge,资料来源:Wrth
7、Elektronik、市场研究部,隔离电源的两种形式:线性电源 VS 开关电源,交流市电转换为直流电的电源模块分为线性电源和开关电源。输入频率是决定变压器大小的变量之一,电源体积主要由变压器大小决定。交流市电输入频率固定:线性电源先经过变压器降压再整流,变压器体积难以做小;开关电源先整流,再通过开关管来增加输入电压频率,变压器体积小,电源体积可以做小。,线性电源大、重3040%简单,开关电源小、轻7095%复杂,尺寸,效率,复杂性,电磁干扰(EMI) 低噪声成本 高(材料要求高),需要滤波低,两种电源都需要多颗电源芯片来实现功能。,线性电源基本结构与波形图,开关电源基本结构与波形图,资料来源:
8、Powersupply、we-online、市场研究部,电源管理芯片核心器件 PWM控制器,开关管的导通关断状态主要通过PWM模块来完成。PWM的全称是Pulse Width Modulation,即脉冲宽度调制,其本质是一种数字信号,主要由占空比和频率来进行定义。,占空比:信号为高电平状态的时间量占据总周期时间的百分比。频率:代表PWM信号完成一个周期的速度,即决定信号在高低电平状态之间的切换速度。 PWM由误差放大器、比较器、振荡器、锁存器、基准电压组成。如电压控制型PWM,当参考电压与反馈电压的差值( )高于锯型波电压(U )时,锁存器输出高电平控制开关管导通,反之控制开关管断开。,电压
9、控制型PWM结构,PWM控制时序,参考电压与反馈电压差值,振荡器产生的锯齿波,参考电压与反馈电压差值,振荡器产生的锯齿波,资料来源:Expreview、市场研究部,电源管理芯片核心器件功率MOSFET,电源的开关管主要使用的是MOSFET,功率MOSFET能输出较大的工作电流(几安到几十安培)。, MOSFET有两种类型:N沟道和P沟道。,N沟道:漏极D接正极,源极S接负极,栅极G正电压时导电沟道建立,N沟道MOS管开始工作。用于ACDC电源、DCDC转换器、逆变器设备P沟道:漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,P沟道MOS管开始工作。用于负载开关、高边开关等。,N沟道M
10、OSFET,P沟道MOSFET,资料来源:Elecfans、市场研究部,原理与结构AC/DC,AC/DC芯片分为隔离和非隔离两种形式:非隔,根据交流输入转直流输出过程中,是否经过变压器进行隔离,离交直流转换器/控制器;隔离的SR、PSR、SSR。,AC/DC芯片类型,隔离器件变压器结构,种类,特性,交流转直流过程中不需经过隔离器件(变压器)优:节约成本、缩小尺寸、效率高于隔离电路劣:安全性低于隔离电路,非隔离交直流转换器/控制器,使用MOSFET将次级侧输出的方波信号整流成直流信号优:转换效率高,散热成本低,次级同步整流/控制器(SR),劣:需要驱动电路,成本高于肖特基二极管整流通过电压器原边
11、进行电压调节反馈,原边反馈交直流转换器/控制器(PSR),优:节省光耦、431及周边元件,体积小,成本低劣:输出精度低,一般只用在小功率电源上(10W内)通过变压器副边进行电压调节反馈,副边反馈交直流转换器/控制器(SSR),优:输出电压更佳,可空载启动,副边保护较好劣:需要光耦和431及周边元件,多成本多PCB空间,资料来源:ofweek、华为云、CSDN、市场研究部,原理与结构AC/DC,设备在接通电源过程中都需要AC/DC芯片,将交流市电转换为直流电给芯片供电。MOSFET分为:转换器和控制器,前者集成,后者需要外置MOSFET搭配使用。大功率场景,一般选择控制器与外置隔离型AC/DC芯
12、片:次级同步整流器(SR)、原边反馈交直流转换器(PSR)、副边反馈交直流转换器(SSR)。,按是否集成,MOSFET。,非隔离型AC/DC转换器 AP8505,AC/DC次级同步整流转换器(SR) PN8308L,集成MOSFET,变压器次级,交流输入芯片,集成MOSFET,直流输出,资料来源:芯朋微官网、市场研究部,原理与结构AC/DC,AC/DC应用较多。若没有进行隔离,如用市电供电,人接触电源的输出端或地端可能会有触电危险,雷雨天,隔离型,无隔离可能会导致电路烧毁风险。,原边反馈AC/DC转换器(PSR) PN8370,AC/DC次转换器(SSR) PN8137,副边反馈,交流经过整流
13、桥、ACDC输入到电压器初级,变压器次级整流后输出直流,通过变压器原边进行反馈调节,资料来源:芯朋微官网、市场研究部,原理与结构DC/DC,主流DC/DC芯片,主流的DC/DC芯片有Buck、Boost、Buck-Boost,其他隔离型DC/DC拓扑结构有:uk、Sepic、Zeta,类型,原理,拓扑结构,=,,0D1Vin Lout,,DC/DC按是否集成MOSFET分为转换器和控制器,前者有集成,后者需要外挂。DC/DC输出大小与PWM占空比D有关。,开关管导通时,环路由,,,Cout构成,Vin对负载供电且Vi对电感Lout进行充电;开关管断开时,环路由Lout Cout,降压稳压器,(
14、,Buck),,,,二极管构成,电感两端,产生感应电压,感应电压继续给负载供电,通过二极管形成回路。,=,/ (1D) ,0D1,DC/DC芯片分类,开关管导通时,环路由Vin,L构成。 此时Vin对电感L充电,负载由Cout供电;开关管断开时,环路有Vin,L,二极管D,Cout构成。电感两端产生感应电压,感应电压与Vin一起给负载供电,同时对C充电。,升压稳压器(Boost),=,D/(1D ) ,0D1,开关管导通时,二极管反向截止,电感器储能,电流回路为:输入Vin 开关,降压升压稳压器(BuckBoost),管,电感器L;开关管断开时,二极管,正向导通,电流回路为:电感L 电容,C,
15、负载 二极管,资料来源:CSDN、TI、市场研究部,原理与结构电荷泵,传统快充方案有高电压小电流和高电流小电压,高电压简单易行,对配件要求低,但因为需要降压,效率偏低,功率难以提升;高电流转化率高,但对配件要求高,尤其是线材,电流太大线材要么成本直线上升,要么无法承受,导致出现瓶颈。高电压高电流是快充技术演变的必然趋势,如何高效降压为电池充电成为关键。电荷泵也叫无电感式DC-DC转换器,利用电容作为储能元件。可以使输出电压减半或倍增,根据能量守恒,电压倍增会使电流减半,电压减半会使电流倍增。转换效率可以达到95%以上。,升压电荷泵原理,降压电荷泵应用于华为40W快充方案应用,资料来源:ency
16、clopedia2、雷科技、市场研究部,原理与结构线性稳压器,线性稳压器主要是低压差线性稳压器(LDO),线性稳压器无法存储大量的未使用能量,若压差太大,没有提供给负载的功耗将以热量形式消耗掉。工作在线性区,其作用是在输入电压或者负载电流发生变化的情况下仍然可以稳定的输出电压。,LDO,是物联网电子产品中应用最为广泛的电源芯片。,LDO电路结构,LDO应用场景, LDO基本结构:包括电压基准源、误差放大器、调整管、反馈电阻四个模块。, LDO工作原理:误差放大器、调整管、反馈电阻组成LDO控制环路,当输入电压或者负载电流变化的时候,LDO通过它的控制环路的负反馈调节作用可以抑制输出电压的变化。
17、,资料来源:CSDN、Ablic、市场研究部,原理与结构LED驱动电源, LED发光二极管是一种电流单向导通的能发光的电子元件,由于单向电流导通发光特性,使用交流电直接作为驱动电源时可能会产生频闪现象及击穿风险,选取合适的电源驱动十分重要。 LED驱动电路芯片主要分为恒压式驱动、恒流式驱动、脉冲式驱动。恒流式驱动芯片应用最广。 LED驱动芯片工作原理:,线性恒流式:基于MOS管线性放大原理,通过控制通过MOS管电流来获得稳定的电流输出。开关恒流式:控制内部功率开关,通过电流过大时关闭,过小时打开,使平均电流稳定在一定范围内。阻容降压恒压式:利用电容控制最大通过电流并和负载串联起到降压目的,经过
18、整流滤波及稳压后提供稳定电压的工作电源。,线性恒流电源电路,开关恒流电源电路,阻容降压电源电路,PT4515C,PT4115,资料来源:CSDN、联豪光电、华润矽威官网、市场研究部,原理与结构马达/电机分类, 马达(Motor)也叫电动机,是一种将电能转化为机械能的装置。 广义上可分为转子马达和线性马达,转子马达依靠转子旋转工作,根据电源分为直流马达和交流马达。,无刷马达:,转子马达分类,驱动芯片原理,通有直流电的电刷连接换相器为线圈通电,通电线圈在与外侧磁场作用下旋转,有刷马达无刷马达,通过对通电线圈通电顺序的控制,使得带有磁性的转子在电磁场作用下旋转,直流马达,通过控制电机线圈上的电脉冲顺
19、序、频率和数量,控制电机的转向、速度和旋转角度,有刷马达,步进马达,转子马达,两个绕组分别接入相位不同的单相交流电,转子在变换的磁场作用下旋转,单相交流马达三相交流马达,交流马达,三个绕组分别接入相位不同的三相交流电,转子在变换的磁场作用下旋转,资料来源:搜狐、知乎、市场研究部,原理与结构转子马达/电机驱动芯片, 转子马达驱动芯片:控制通过电机的电流或两端电压,进而控制电机转速,正反旋转方向及刹车等功能。 根据驱动的马达的不同,可按转子马达的分类对转子马达驱动芯片进行分类。 典型直流驱动芯片:通过H桥电路控制电机驱动方向以及刹车和高阻状态,通过PWM控制电机转速。,L298为例,H桥,正转状态
20、,反转状态,资料来源:ST官网、CSDN、市场研究部,原理与结构线性马达/电机驱动芯片, 线性马达:也称直线马达,初级通入电流后,在初次级之间产生磁场,在磁场与次级永磁体的作用下产生驱动力,从而实现运动部件的直线运动。音圈VCM马达是驱动镜头的直线运动,本质上也是直线马达。 典型线性马达驱动芯片:TI的DRV2605,通过ROM内置的触觉效果库,改变输出的驱动电压的波形,从而控制线性马达的振动效果,产生触觉反馈等振感。,线性马达原理结构图,DRV2605 驱动IC电路图,Click 触觉效果驱动波形,资料来源:youtube、TI官网、CSDN、市场研究部,原理与结构负载开关,负载开关是可用于
21、开启和关闭电源轨的集成电子继电器。作用:控制不同负载间配电,实现满足上电要求的上电排序、降低漏电流、浪涌电流控制、断电控制、保护电路、减少BOM数量和PCB面积。,常规负载开关框图,负载开关结构说明, 决定可处理的最大输入电压和最大负载电流 器件的导通电阻是导通FET的特性,1.导通FET, 对FET的栅极进行充放电 控制器件的上升时间,2.栅极驱动器3.控制逻辑4.电荷泵, 控制导通FET和其它模块的接通和关断 用于带有N沟道FET的负载开关, 连接Vout到GND的片上电阻,5.快速输出放电模块6.其它, 通过ON引脚禁用器件时,该电阻导通, 不同的负载开关包含其它功能,如热关断、限流和反
22、,向电流保护,资料来源:TI官网、市场研究部,原理与结构多通道电源管理IC(PMIC), PMIC是指单颗芯片内集成了多种电源管理功能的芯片,主要是集成降压DCDC、LDO,升压DCDC的场景使用较少,因此较少集成。高通、联发科、海思等手机芯片厂家的PMIC一般与SoC主控绑定销售。,目前国产厂家PMIC产品较少。,电源厂家PMIC集成统计,降压DCDC,升压DCDC型号,LDO,厂家,最大集成数,型号,最大集成数,最大集成数,型号,TPS658310、TPS658310、TPS65185,TPS769038、TPS658643、,TI,20,TPS65186,2,11,TPS65951,MP
23、Q7920、,MP5507E、MP5455、,MPS,4,1,5,MPQ7920、MP5416,MP5416,MP5515,MC34704AEP、MC34709VK、,MC13892CJVK、MC13892CJVL、MC13892DJVK,NXP,86,MC34704AEP,1-,1212,MC32PF4210A0ES,英集芯,IP6208,-,IP6208,资料来源:TI官网、MPS官网、NXP官网、英集芯官网、市场研究部,关键技术指标,电源管理芯片的核心结构为PWM控制器、MOSFET。具体选型依据输入输出电压与电流场景,以下评判标准主要体现厂家芯片技术水平。,关键指标说明,参数,定义,评
24、判标准越宽越好越高越好越大越好越小越好,输入电压范围开关频率反向击穿电压Rdson,芯片输入电压范围,宽电压输入代表器件耐压能力强控制MOSFET开关频率,反向电压达到一定数值,反向电流急剧增加MOSFET工作(启动)时,漏极D和源极S之间的电阻值,保护功能包括输入(开启/关断)欠压保护、VCC欠压锁定、过载保护、 越丰富越短路保护、输入过压保护、VCC过压保护和过热保护,保护电路,好,资料来源:市场研究部,关键技术指标,参数,定义,评判标准越小越好越小越好越小越好越小越好,静态电流线性调整率负载调整率热阻,处于待机模式且在轻载或空载条件下所消耗的电流,输出电压随输入电压变化的变化率(Vout
25、/,),衡量在不同负载情况下输出电压的稳定性能(Vout/I,),衡量芯片散热效率,与封装有关,通常尺寸越小,该值越大,=,输入输出功率之比 =P, =(,效率,)/( ( +,),越大越好越大越好,衡量对于干扰信号的抑制能力PSRR(dB) = 20*logVripple(in)/Vripple(out),PSRR电源纹波抑制比,导通状态电阻最大连续电流,引脚与 out引脚导通测的电阻,越小越好越大越好,可支持的最大连续直流电流,资料来源:市场研究部,技术演变趋势高效低能,集成化,内核数字化,智能化, 电能转换效率高 待机功耗低, 电源的轻薄短小是优, 为低电压大电流的负载提供电压,并保持电
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