第五章光纤的材料与制造光纤的分类光缆课件.ppt
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1、第5章 光纤的材料与制造、光纤的分类、光缆,5.1 光纤的材料与制造,材料是光纤的核心问题,对光纤制造材料的三个基本要求是: 高透明性,这是为实现长距离光通信而对光纤材料提出的最重要的质量要求;能将这种材料拉制成沿长度方向均匀分布、具有明晰的纤芯包层界面结构的细长纤维;能适应所需要的工作环境,如高低温、电磁、潮湿等环境。总之,光纤是由高度透明介质材料拉伸为细丝而制成的。 实际应用中的光纤材料,依据其所含化学元素区分,主要有三大类型:应用于传像与传光的“多组分玻璃”(multi-component glass)光纤;大量应用于光通信的石英光纤,又称为“高硅玻璃”(high-silica cont
2、ent glass)光纤;以及“塑料光纤”(plastic optical fiber)。光纤的制造工艺方法也因材料类型与应用要求的不同而不同,以下分别简要介绍。,5.1.1 玻璃光纤(多组分玻璃光纤),玻璃是一种非晶固体,普通玻璃是石英和其他氧化物所组成的非晶化合物,它是制造光 纤最常用的一类材料。普通窗玻璃看似透明,实际上由于杂质大量存在,光在其中衰减严重,透过率很低;18世纪以后,由于光学仪器工业发展的需求,材料更纯、损耗降低而透明度更高、缺陷更少的各类光学玻璃大量出现。通过掺杂不同的化合物,可以获得具有不同折射率的各种规格光学玻璃。标准光学玻璃在可见波长区的折射率分布在1.441.80
3、的范围内。其中,纯二氧化硅的折射率最低。,利用光学玻璃制造的玻璃光纤,其纤芯材料为具有高折射率的多组分光学玻璃,而包层材料为具有低折射率的光学玻璃。常用的多组分玻璃配方成分有钠-硼硅酸盐玻璃(Na-B-Si)、钾-硼硅酸盐玻璃(K-B-Si)、钠-锌-铝-硼硅酸盐玻璃(Na-Zn-Al-B-Si)等。 由光学玻璃制成的玻璃光纤虽然比普通窗玻璃的透明度大为提高,但仍具有较高的衰减值,一般约为1dB/m(或1000dB/km)。其原因在于,生产光纤的原料(SiO2)中不可避免地含有铁、铜、钴、镍、镁、铬等过渡族微量金属元素杂质,它们对0.61.6mm的可见光及近红外光具有较强的吸收,因而,不适合于
4、制作通信光纤。,但是,对于制造传输照明光能或图像的各类传光束、传 像束、光纤面板等光纤器件,这样的衰减与透过率值可以满足使用要求。表5.1给出了现行生 产的多组分玻璃光纤的一些主要性能参数与技术指标。,制造玻璃光纤采用直接拉丝工艺,即直接采用纤芯和包层材料拉制光纤。具体有两种方法:棒管法与双坩埚法。1. 棒管法 “棒管法”(rod-in-tube method)是最简单的光纤拉制工艺,方法是将具有较高折射率的 芯玻璃棒插人较低折射率的玻璃管中,然后通过电炉将其加热,使玻璃管熔化到棒上,形成 一个更粗的固体棒,称为“预制棒”。随后将预制棒由送料机构以一定的均匀速度向管状电 炉中输送,即将棒的一端
5、高温加热,则从预制棒熔融的另一端就能拉出细丝状的玻璃光纤。,其过程如图5.1所示。其中,拉丝速度v2可按如下经验公式计算:,式中,f1、f2分别为玻璃管的外径与内径,f为预制棒直径,d为要求拉成光纤的直径,v2 为预制棒的送料速度。,为了减少由于光纤芯与包层界面的反射不完全而造成的传输损失,要求芯-包层界面对于传输的光波段必须非常干净、光滑。为此,要求插人到管中的棒表面必须经过火焰抛光,而非机械抛光。因为后者易在芯-包层界面产生散射光的损失;另外,拉丝温度必须得到严格控制。对于制造传像束与传光束的光纤,为减少成束后照射到包层界面上的光能损失,以提高成束后的积分透过率,光纤的包层通常很薄(例如,
6、一般包层厚度约为芯径的1/10量级)。棒管法的优点是,控制温度较低,操作工艺简单方便。其缺点是,拉丝效率低,不能连续生产,损耗较大,可以高达400dB/km。,2. 双坩埚法 另一种制造玻璃光纤的方法是“双坩埚法Double-Crucible (DC) method”。这种方法出现于20世纪60年代,它是利用一对底部开有小孔、内坩埚与外嵌套坩埚严格同轴的铂制双层坩埚拉丝(将折射率高低不同的芯玻璃与包层玻璃从坩埚顶部分别放人内外双层坩埚中,然后将其在高温下熔化。芯、包层玻璃经熔融后通过同轴漏咀流出,并被连续拉制成光纤。双坩埚拉丝装置示意图如图5.2所示。 双坩埚法拉制光纤的优点是:节约材料,降低
7、成本,制造工艺简单,可以一道工序完成拉丝,并可连续大长度拉丝,温控要求简单方便;存在的缺点是,杂质污染的控制较难,因而制出的光纤损耗较大。,这种方法主要适用于制造多组分玻璃光纤及光纤朿。我国南京玻璃纤维研究设计院在20世纪70年代设计研制出双坩埚同轴内外漏嘴的整体配合结构;进而于1990年研制成功20孔双坩埚多组分玻璃光纤拉制工艺设备,大大提高了生产效率与质量;2003年更研制成功具有国际领先水不的56孔双坩埚拉制玻璃光纤工艺设备,具备了拉制6千克/小时高质量光纤的生产能力。该56孔双坩埚拉制的光纤丝达到的主要技术指标如表5.2所示。,目前,多组分玻璃光纤通常都是用双坩埚法制造的。 利用棒管法
8、与双坩埚法制造的常规多组分玻璃光纤,具有大的数值孔径,主要用于传光与传像器件制造方面。但是,由于光纤材料中金属元素杂质的吸收以及制造工艺过程中的气泡、结石、条纹等散射所造成的严重损耗影响,使其无法成为通信用光纤。 为了获得具有低损耗、高透明度的单模与多模石英系通信用光纤,必须将光纤材料中的金属杂质含量降至十亿分之一以下的水平,即得到高纯度的二氧化硅。因为这种材料在可见光到1.6mm的近红外波长范围实际上没有吸收。,5.1.2 熔石英光纤(石英系光纤),1. 材料与提纯 目前通信用的光纤主要是石英系光纤即熔石英光纤,其主要成分是高纯度的SiO2玻璃。熔石英是现代通信光纤的基础材料,它是用合成方法
9、制成的,即在氢氧焰中燃烧高纯度液态的四氯化硅(SiCl4)或其他卤化物化学试剂(如GeCl4),产生氯化物蒸气和二氧化硅,然后沉淀成为白色蓬松的粉尘状物。由于制作熔石英光纤的试剂材料的纯度直接影响光纤的损耗特性,为保证光纤的低损耗、高透明性,要求试剂材料的杂质含量不超过ppb(part per billion,十亿分之一,即110-9)的量级。,由于大部分卤化物试剂材料中的杂质含量均不符合要求,为此需进行提纯。利用被提纯物质与杂质沸点的不同,可以清除杂质即提纯,此即精馏法。 四氯化硅在室温下是液体,在58时即可沸腾;而铁、钴、镍、锰、铬、铜等杂质氯化物的沸点比四氯化硅的沸点高得多。因而当四氯化
10、硅变成蒸氧与氧气反应时,这些杂质的氧化物仍为液态。利用精馏法可清除过渡金属杂质;配合以“吸附法”清除OH-。这种“精馏-吸附-精馏”交替进行的综合提纯法,比用湿化学方法可得到更高纯度的SiCl4,将杂质降低至10亿分之一量级的水平(例如有害金属杂质的总含量降低至510-9以下,产生OH-的含氧化合物含量小于0.210-9),从而生产出透明度极高的石英光纤。精馏-吸附综合提纯法的工艺流程示意图如图5.3所示。,图5.3 精馏一吸附综合提纯法工艺流程,在解决石英系光纤上述提纯关键技术的基础上,经过二十余年的不断改进,已形成从原材料提纯、预制棒制备到拉丝、涂覆、光纤成缆严格的完整成熟的工艺流程,如图
11、5.4所示。,图5.4 光纤、光缆制备工艺流程,制造以单模光纤为代表的通信用石英系光纤,其基本的步骤分为两步,即制备光纤预制棒和拉丝。,2. 光纤预制棒制造工艺 制备光纤预制棒,即是将经过提纯的原材料制成一根其内芯与外包层折射指数分布与最终拉出光纤芯、包层折射指数分布相同的圆柱棒,通常称为“预制棒”或“光棒”。预制棒的制造是光纤制造的核心技术,因而其制造技术的水平也就代表了光纤制造技术的水平。 纯的熔石英具有单一的折射率,其光谱折射率的分布是从0. 55 mm处的1. 460到1.81mm处的1.444。为了制备具有高折射率棒芯(n1)和低折射率包层(n2)的预制棒,必须通过“掺杂”,即在石英
12、中掺以适当的杂质,来造成棒芯与包层的折射率差值。,最常见的做法是,在石英中掺人折射率高于石英的掺杂剂,如二氧化锗(GeO2)或五氧化二磷(P2O5),制成高折射率的棒芯,而以纯石英材料为低折射率的包层;也可以在石英中掺人折射率低于石英的掺杂剂如氟(F)、三氧化二硼(B2O3),构成低折射率的包层,同时以石英材料作棒芯或在 石英中掺人少量锗以稍微提高棒芯折射率。 两种棒芯与包层折射率差设计的方案如图5.5 所示。其中,图5.5(a)称为匹配包层光纤,图5.5(b)称为凹陷包层光纤。,光纤预制棒的基本制备方法是采用化学气相沉积工艺,具体过程采用“两步法”第一步是制造芯棒,同时制造部分包层;第二步是
13、在芯棒上附加外包层(俗称外包技术),制成预制棒。 预制棒的光学特性主要取决于芯棒制造质量,而预制棒的制造成本则主要取决于外包 技术。因此,芯棒制造技术加上外包技术才能全面反映光纤预制棒制造工艺的特征和水平。 光纤产业传统上都是用光纤预制棒的制造技术来命名光纤制造工艺。,经过近二十多的发展,制备光纤预制棒的方法在不同历史阶段先后出现过数十种。但是演变至今,目前并存流行的、能制造出优质光纤的制棒方法的共性都是,四氯化硅(掺杂时同时有四氯化锗等)与氧气在高温下反应生成蓬松状的熔石英(SiO2)粉尘状物;而区别则主要在于粉尘状物如何沉积,以及如何熔化为最终的预制棒。(1) 芯棒的制造作为制造光纤预制棒
14、的第一步,现行制造芯棒(以及部分包层)的主要工艺方法可以分为如下三大类:第一大类是管内化学气相沉积法,它是将粉尘沉积在熔石英管的内壁上,即石英管成为外包层,沉积在管内的是芯与包层材料。,根据其对反应区加热方法的不同,又可细分为两种工艺方法,即“改进的化学气相沉积法”(Modified Chemical Vapour Deposition, MCVD),“微波等离子体化学气相沉积法”(Plasma Chemical Vapour Deposition, PCVD);第二大类是“管外(外部)化学气相沉积法” (OVD法),或称粉尘法;第三大类称为“轴向化学气相沉积法”(VAD法)。以下依次介绍由这
15、三大类化学气相沉积法所演变形成的4类制棒工艺。 MCVD法。MCVD法是目前制作高质量石英光纤比较稳定可靠和广泛使用的光纤预制棒芯棒的生产工艺。它是1974年由美国贝尔实验室开发的经典工艺,并为朗讯公司所采用。,MCVD管内化学气相沉积法的工艺原理如图5. 6所示。以超纯氧气为载体将SiCl4等原料和GeCl4等掺杂剂送入旋转的熔石英管(转速为几十转/分),用14001600的高温氢氧焰加热石英管,使各种化学物质发生氧化反应,则SiO2、B2O3、GeO2等在管壁上沉积成精细的包层与芯层玻璃粉尘,反应后的废气被抽送到排气装置里。为使玻璃粉尘沿石英管长度方向均匀沉积,加热反应区应沿管轴方向左右移
16、动,通过加热使玻璃粉尘熔化,然后冷凝成透明的 SiO2-B2O3 (包层)和 SiO2-CeO2(芯层)玻璃。火焰每移动一次,管壁上就沉积一层厚度810 mm的玻璃膜层。,随着沉积不断产生,硅管中间的空腔逐渐缩小,管壁上沉积了相当厚度的玻璃层,并形成玻璃棒体的雏形,此时停止供料。然后,提高火焰加热温度,使石英管外壁温度达到1800左右,从而使石英管在高温下软化收缩,使中心孔封闭,形成实心棒,此即为原始的光纤预制棒。 在高温下管内依次发生的氧化反应与沉积顺序如下。首先氧化沉积的是预制棒的包层,其氧化反应的化学过程为,最后氧化沉积的为棒芯,其氧化反应的化学过程为,原始的光纤预制棒实际上有三层:中心
17、为芯层玻璃;紧邻芯层的是包层玻璃;最外面的是熔石英管壁玻璃,称为外包层,它是保护层,并不起导光作用。 总之,MCVD制棒工艺是一种以氢氧焰为热源、高温氧化为化学反应机理、在高纯度石英管内进行的气相沉积过程。,PCVD法(Plasma CVD)。PCVD法是由荷兰菲利浦研究实验室于1975年提出的工艺方法,它是一种管内低温等离子体的化学气相沉积法。它与MCVD法的工艺原理基本相同,只是不再用氢氧焰进行管外加热,而是改用微波谐振腔体产生的等离子体加热。其反应机理是,用高频功率(2. 46GHz)微波激活(电离)石英管内的低压气体,产生带电的等离子体,使其能量大大增加,并在低压下快速扩散到管内壁周围
18、发生反应,带电离子重新结合时释放出的热能熔化气态反应物,形成透明的玻璃态沉积薄层。,PCVD法制备芯棒工艺有两步,即沉积和成棒。沉积是借助低压等离子体使流进高纯石英管内的气态卤化物SiCl4、氧气和少量掺杂剂(GeCl4、F6C2)在大约1000的高温下直接沉积成设计要求的芯玻璃;成棒则是将沉积好的石英玻璃管在玻璃车床上用氢氧焰高温作用,使之熔缩成实心的芯棒。 PCVD法由于高频功率易于耦合进石英沉积管内,且微波谐振腔经过四代改进演变,效率大大提高,谐振腔可快速移动等,因而可实现高的沉积速率与效率,以及稳定的沉积状态。现在单台PCVD沉积设备的生产能力巳达百万千米/年以上。,OVD法(Outs
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