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1、准静态电磁场,下 页,1. 准静态场概念及准静态条件,3. 准静态场的计算方法,重点:,2. EQS和MQS的方程,准静态场概念及准静态条件,下 页,上 页,1. 准静态电磁场的概念,时变电磁场中电场和磁场相互激励形成循环影响的情景,构成统一的电磁场,电场和磁场存在滞后效应,需联立求解。,下 页,上 页,但当时变电磁场存在弱影响环节时,其循环影响图可被断开,场的滞后效应消失,电场和磁场不需联立求解,这种电磁场称为准静态电磁场或似稳场。,电准静态场(EQS),时变电磁场中各处感应电场远小于库仑电场时(忽略磁场变化对电场的影响)称为电准静态场。,下 页,上 页,EQS中忽略感应电场,场量是时间的函
2、数,电场是无旋场,可以引入电位概念。,结论,电场分布同静电场,利用静电场的方法求解出电场后,再用Maxwell方程求解与之共存的磁场。,工程中如两线间的电磁场和电容器中的电磁场可以看作EQS。,下 页,上 页,磁准静态场(MQS),时变电磁场中各处位移电流密度远小于传导电流密度时(忽略电场变化对磁场分布的影响)称为磁准静态场。,下 页,上 页,MQS中忽略位移电流,磁场完全由传导电流决定。,结论,磁场分布同静磁场,利用静磁场的方法求解出磁场后,再用Maxwell方程求解与之共存的电场。,工程中准静磁场大多存在于感应设备中。,时变电磁场,准静态电磁场,下 页,上 页,动态电磁场,时变电磁场分类总
3、结,电准静态场,磁准静态场,电准静态场,磁准静态场,磁场不影响电场,电场不影响磁场,判别式,判别式,电荷守恒关系,下 页,上 页,准静态电磁场的特点,属于时变电磁场但却具有一些静态场的性质。,位函数满足泊松方程,电准静态场,取洛仑兹规范,磁准静态场,下 页,上 页,取库仑规范,下 页,上 页,问题,满足怎样的条件可以不考虑场的滞后效应,把电磁场可作准静态场?,达朗贝尔方程的积分解,下 页,上 页,2. 准静态条件,1)低频情况(称为缓变场),电准静态场(EQS),磁准静态场(MQS),似稳条件,下 页,上 页,2)高频情况,导电媒质中的磁准静态场(MQS),导电媒质中的传导电流,导电媒质中的位
4、移电流,若,忽略位移电流,导电媒质中的似稳条件,满足 的媒质为良导体,例,已知蒸馏水的物理参数为,电磁波的频率为f1=30kHz,f2=15千兆赫,问蒸馏水可以看作良导体吗?,下 页,上 页,解,当f1=30kHz,蒸馏水为有损耗的介质,计算这一频率时的电磁波要考虑位移电流。,当f2=15千兆赫,蒸馏水可以看作良导体,注意,导电媒质的似稳条件说明时变场中良导体是一个相对的概念。,下 页,上 页,理想介质中的磁准静态场(MQS),当,忽略位移电流,近区场的似稳条件,下 页,上 页,例,求缓变场中电容器的等效电路模型。,证,设,不考虑感应场,下 页,上 页,例,应用MQS的概念分析轴向磁场向薄壁导
5、体筒内的扩散过程。,解,设外激磁电流源在t=0突然建立均匀磁场H0,导体筒产生感应电流,下 页,上 页,若外激磁电流源是交流电流,当频率很高时,感应电流的去磁作用,感应电流密度,涡流损耗,下 页,上 页,需要能量,工程应用:感应加热(温度可达2800度)、无损检测,例,解,铝制圆管放在B=1Wb/m2,f=500Hz的时变场中,若从20 0C开始融化铝管需要多少时间?已知铝管参数:,总耗散功率,设在局外力作用下导电媒质中积累有自由电荷,其体密度为,自由电荷体密度随时间衰减的过程称为电荷驰豫。,导电媒质中自由电荷的驰豫过程,1.电荷在均匀导电媒质中的驰豫过程,下 页,上 页,其解为,初始电荷密度,驰豫时间,下 页,上 页,说明良导体中电荷的弛豫过程非常短暂,除有局外电源作用,一般认为良导体内部无积累的自由电荷,电荷分布在导体表面。,对于电准静态场,说明导体中体电荷 产生的电位很快衰减,导体电位由面电荷决定。,下 页,上 页,2.导电媒质分界面自由电荷的驰豫过程,根据,当,下 页,上 页,例,研究双层有损介质平板电容器接至直流电压源的过渡过程,写出分界面上面电荷密度 的表达式。,解,极板间是EQS场,分界面衔接条件,特征根,通解,下 页,积累时间,稳态解,上 页,面电荷密度为,下 页,上 页,导体媒质充电瞬间,分界面上会有累积的面电。,当媒质参数满足 时,,结论,上 页,上 页,
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