半导体照明ppt课件第13章发光二极管的测试.ppt
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1、第13 章LED的测试,作为照明用的LED,要测试的有电学参数、光度学参数、色度学参数、热学参数、静电耐受性等。,信息科学与工程学院2008届毕业设计论文,问题: A器件的光通量输出为80 lm, B器件的光通量输出是110 lm,这是否说明B器件的性能就比A器件高呢? 如果A器件的输入功率是1W,而B器件的输入功率是2W呢?,发光器件的效率有几种: 发光效率、功率效率、量子效率等,13.1 发光器件的效率,一、发光效率,发光效率是指单位电功率(W)下输出的光通量(lm):,式中,I、V分别为器件的直流偏置电流和电压; Pe为输入的电功率;F为此偏置条件下器件输出的总光通量。,13.1 发光器
2、件的效率,二、功率效率,功率效率p是器件将输入功率Pe(W)转变成辐射功率P (W)的效率。,式中, F 和1 分别为器件的总光通量和照明效率;I、V分别是偏置电流与电压。,13.1 发光器件的效率,发光二极管的发光是由正向偏置P-N结注入的载流子复合而产生。但注入载流子的复合并不全是辐射复合,有部分将参与非辐射复合,如多声子过程、表面复合、俄竭复合等。而且载流子辐射复合产生的光也不全部能射出管外。因此,用单位时间内输出光子数和注入的载流子数之比来表示发光二极管的效率,称之为“外量子效率”。,外量子效率:P-N结注入载流子的效率有关,而且还与辐射发光及光子逸出器件外部的效率有关。,式子中 、
3、、 分别为注入效率、内量子效率和光出射效率。,13.1 发光器件的效率,三、量子效率,13.1 发光器件的效率,三、量子效率,(1) 外量子效率e,从有源区产生的光子通过半导体有部分可以被再吸收;还可能由于发生全反射而返回晶体内部,即使是垂直射到界面的光子,由于高折射率而产生高反射率,有相当部分被返回晶体内部。外量子效率为,13.1 发光器件的效率,三、量子效率,(1) 外量子效率e,设ne和nq。分别为单位时间内注入的电子-空穴对数和器件发出的光子数,则外量子效率可以表示成:,如器件输出的辐射功率P=nqhv,注入电子功率Pe=IV=neqV,则外量子效率可以表示成,已知器件峰值波长 ,辐射
4、功率P,偏置电压V 情况下可以求出器件的外量子效率。,13.1 发光器件的效率,三、量子效率,内量子效率是指每注入一个电子在p-n结中所产生的光子数。,(2) 内量子效率i,直接跃迁过程的内量子效率主要取决于非辐射复合与辐射复合的寿命。,13.1 发光器件的效率,三、量子效率,(1) 内量子效率i,电子-空穴对的产生率等于非平衡载流子的复合率(包括辐射复合和无辐射复合),而复合率又分别决定于寿命r(辐射复合寿命)和nr(无辐射复合寿命),辐射复合率正比于1/r ,无辐射复合率正比于1/r ,则i为,提高材料的纯度、减少晶体的缺陷,以降低非辐射复合中心,提高内量子效率i。,13.1 发光器件的效
5、率,三、量子效率,(3) 光出射效率u,光出射效率指P-N结辐射复合产生的光子射出发光管外部的百分比。 辐射复合产生的光子通过晶体传输到外部过程中的损耗主要是晶体的吸收和晶体界面的反射,因此,为了提高逸出效率,必须减小吸收损耗和增加界面的透射率。,13.2 电学参数,伏安特性,流过PN结的电流随电压(正反向电压)变化的特性。,13.2 电学参数,对于LED器件,一般常用的电学参数主要有:反向击穿电压、反向漏电流、正向电压、正向电流和等。,伏安特性,(1)反向击穿电压 当反向偏压一直增加使V大于VB时,则反向电流突然增加而出现击穿现象。由于所用半导体化合物材料种类不同,各种LED的反向击穿电压也
6、不同。,伏安特性,13.2 电学参数,(1)反向击穿电压 VB表示器件反向耐压高低的参数,通常是指一定漏电流下器件两端的反向电压值。 漏电流的标准可取10A, 合格器件的VB通常大于5V,一般在10-25V之间。,伏安特性,IR 指在给定反向电压下流过器件的反向电流。按LED的规定,习惯指反向电压在5V是的反向漏电流。,伏安特性,(2)反向漏电流,13.2 电学参数,VF标志着结的体电阻及欧姆接触串联电阻的高低,它可在一定程度上反应电极制作的好坏。其值视LED器件所用的半导体材料的不同而不同,一般在1.4V至4V之间。,伏安特性,(3) 正向电压VF,在指定正向电流下器件两端的正向电压值。所取
7、的正向电流一般均较大,通常处于器件工作的大信号区,如10-30mA。,伏安特性,(4) 正向电流,F指驱动发光二极管正常工作的额定正向激励电流。根据实际情况,LED具有最大正向电流IFm,实际电流IF 0.6 IFm ,与亮度成比例关系。,伏安特性,(4) 正向电流,有时为了反映正向电流上升的快慢,可以测量一电压增量VF下的电流增量IF ,用VF/IF来表示上升的梯度。,正反向电性的测量,正向电性能:采用恒流源供电,根据设定的电流自动调节输出正向工作电流,并测出LED两端的正向电压和流过LED的正向电流。,13.2 电学参数,正反向电性的测量,13.2 电学参数,反向电性能:采用恒压源供电,增
8、加恒压源电压,监测流过LED的电流,当电流达到设定的反向漏电流值时,此时的电压即为反向击穿电压; 根据设定的反向电压调节恒压源,测出流过LED的反向漏电流。,1、正向电压VF一般: 红、黄、黄绿=VF值在1.8-2.5V 蓝、绿、紫=VF值在2.7-4.0V。,正反向电性的测量,IF 值通常被设为一个测试条件和常亮时的标准电流;设定不同的值用以测试二极管的各项性能参数。IF 特性: 以正常的寿命讨论, 通常标准 IF值设为 20 30mA ;,正反向电性的测量,2、正向电流 IF, IF增大时 LAMP 的颜色、亮度、 VF 特性及工作温度均会受到影响,它是正常工作时的一个先决条件;IF值增大
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- 半导体 照明 ppt 课件 13 发光二极管 测试
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